JSM-IT800
การปล่อยสนามชอตกี
สแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน

คุณสมบัติ

JSM-IT800 รวมเอา "ปืนอิเล็กตรอนในเลนส์ Schottky Plus field emission" ของเราสำหรับการถ่ายภาพความละเอียดสูงเพื่อทำแผนที่องค์ประกอบอย่างรวดเร็ว และระบบควบคุมอิเล็กตรอนแบบออปติคอล "Neo Engine" ที่เป็นนวัตกรรมใหม่ และระบบของ GUI "SEM Center" ที่ไร้รอยต่อ สำหรับการทำแผนที่องค์ประกอบอย่างรวดเร็วด้วยเอ็กซ์เรย์สเปกโตรมิเตอร์แบบกระจายพลังงาน (EDS) ของ JEOL ที่ฝังตัวอย่างสมบูรณ์เป็นแพลตฟอร์มทั่วไป
JSM-IT800 ช่วยให้สามารถเปลี่ยนเลนส์ใกล้วัตถุของ SEM เป็นโมดูลได้ โดยนำเสนอเวอร์ชันต่างๆ เพื่อตอบสนองความต้องการของผู้ใช้ที่หลากหลาย JSM-IT800 มีให้เลือก XNUMX รุ่นสำหรับเลนส์ใกล้วัตถุที่แตกต่างกัน: รุ่นเลนส์ไฮบริด (HL) ซึ่งเป็น FE-SEM สำหรับการใช้งานทั่วไป รุ่นเลนส์ซูเปอร์ไฮบริด (SHL/SHL สองเวอร์ชันที่มีฟังก์ชันต่างกัน) ซึ่งช่วยให้สามารถสังเกตและวิเคราะห์ความละเอียดสูงขึ้น และรุ่นกึ่งเลนส์ที่พัฒนาขึ้นใหม่ (i/is สองรุ่นที่มีฟังก์ชันต่างกัน) ซึ่งเหมาะสำหรับการสังเกตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์
นอกจากนี้ JSM-IT800 ยังสามารถติดตั้งอุปกรณ์ตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจายรังสีสะท้อนกลับ (SBED) แบบใหม่และเครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงกลับเอนกประสงค์ (VBED) ได้อีกด้วย SBED ช่วยให้ได้ภาพที่มีการตอบสนองสูง และสร้างคอนทราสต์ของวัสดุที่คมชัดแม้ใช้แรงดันไฟฟ้าที่เร่งความเร็วต่ำ ในขณะที่ VBED สามารถช่วยได้ภาพ 3 มิติ ภูมิประเทศ และคอนทราสต์ของวัสดุ ดังนั้น JSM-IT800 สามารถช่วยให้ผู้ใช้ได้รับข้อมูลที่ไม่สามารถหาได้และเพื่อแก้ปัญหาในการวัด

ปืนเลือกตั้งการปล่อยมลพิษในเลนส์ Schottky Plus (FEG)

In-Lens Schottky Plus ในตัวและเลนส์คอนเดนเซอร์ความคลาดเคลื่อนต่ำให้ความสว่างของลำแสงสูง กระแสโพรบที่เพียงพอ (100nA@5kV) สามารถใช้ได้แม้ในแรงดันไฟเร่งต่ำ สิ่งนี้ทำให้ผู้ใช้สามารถทำการสังเกตที่มีความละเอียดสูง, การทำแผนที่องค์ประกอบความเร็วสูง, การวิเคราะห์ EBSD และการวิเคราะห์ Soft X-ray ด้วยการปรับพารามิเตอร์ SEM น้อยที่สุด

Neo Engine (เอ็นจิ้นออปติคัลอิเล็กตรอนใหม่)

ระบบควบคุมแสงอิเล็กตรอนเจเนอเรชันถัดไป ซึ่งเป็นผลงานชิ้นเอกของเทคโนโลยีเลนส์อิเล็กตรอนของ JEOL ถูกรวมเข้าไว้ด้วยกัน การสังเกตที่เสถียรสามารถทำได้ในขณะที่ปรับพารามิเตอร์ต่างๆ ของกล้องจุลทรรศน์ นอกจากนี้ ระบบยังมีฟังก์ชันอัตโนมัติที่ได้รับการปรับปรุงเพื่อให้ใช้งานง่ายยิ่งขึ้น

เอเอฟเอส・เอซีบี

ก่อนปรับโฟกัสอัตโนมัติ

หลังการปรับโฟกัสอัตโนมัติ

ตัวอย่าง: Sn อนุภาคนาโนบนคาร์บอน
แรงดันไฟเร่ง: 15 kV, WD: 2 มม., โหมดการสังเกต: BD, ตัวตรวจจับ: UED, กำลังขยาย: x200,000

SEM Center・การรวม EDS

การรวม GUI ของกล้องจุลทรรศน์ "SEM Center" และ JEOL EDS เข้าด้วยกันอย่างเต็มรูปแบบทำให้เกิดการใช้งาน SEM รุ่นต่อไป นอกจากนี้ JSM-IT800 ยังรวม Smile Navi (ตัวเลือกเสริม) ที่สามารถช่วยเหลือผู้เริ่มต้นใช้งานฟิลเตอร์ SEM, LIVE-AI (ปัญญาประดิษฐ์) Live-AI (Live Image Visual Enhancer-AI:LIVE-AI) (ตัวเลือกเสริม) ให้ดูภาพสดได้ง่าย และ SMILE VIEW™ Lab สำหรับการสร้างรายงานที่รวดเร็ว

ห้องแล็บสไมล์วิว™

SMILENAVI *ตัวเลือก

SMILENAVI เป็นเครื่องมือช่วยที่ออกแบบมาสำหรับผู้เริ่มต้นใช้งานเพื่อให้การทำงาน SEM ขั้นพื้นฐานเป็นไปอย่างราบรื่น เมื่อตัวดำเนินการคลิกที่ปุ่มที่เหมาะสมตามที่ระบุโดยแผนผังลำดับงาน SMILENAVI SEM GUI จะเชื่อมโยงกับการดำเนินการคลิกสำหรับคำแนะนำของผู้ปฏิบัติงาน เนื่องจาก GUI แสดงขั้นตอนการทำงานและตำแหน่งของปุ่ม ผู้ปฏิบัติงานจะสามารถใช้งาน SEM ได้โดยไม่ต้องใช้ SMILENAVI

ฟิลเตอร์ LIVE-AI (Live Image Visual Enhancer-AI:LIVE-AI)

การใช้ความสามารถของ AI (ปัญญาประดิษฐ์) ตัวกรอง LIVE-AI ถูกรวมเข้าด้วยกันเพื่อคุณภาพของภาพสดที่สูงขึ้น ต่างจากการประมวลผลการรวมรูปภาพ ฟิลเตอร์ใหม่นี้สามารถแสดงภาพเคลื่อนไหวที่เคลื่อนไหวได้อย่างราบรื่นโดยไม่มีภาพตกค้าง คุณลักษณะเฉพาะนี้มีประสิทธิภาพมากสำหรับการค้นหาพื้นที่การสังเกต การโฟกัส และการปรับสติกมาเตอร์อย่างรวดเร็ว

เปรียบเทียบภาพสด

รุ่นเลนส์ไฮบริด (HL；เลนส์ไฮบริด) /
รุ่นเลนส์ซุปเปอร์ไฮบริด (SHL；เลนส์ซุปเปอร์ไฮบริด) /
รุ่นกึ่งเลนส์

ซีรีส์ JSM-IT800 มีตัวเลือกเลนส์ใกล้วัตถุให้เหมาะกับวัตถุประสงค์ของผู้ใช้
เวอร์ชัน HL และเวอร์ชัน SHL (รวมถึงเวอร์ชัน SHL) มีการติดตั้งเลนส์ใกล้วัตถุแบบ Superposed ด้านแม่เหล็กไฟฟ้า/ไฟฟ้าสถิตที่พัฒนาขึ้นจากเลนส์เอนกประสงค์
สามารถสังเกตและวิเคราะห์ตัวอย่างที่มีความละเอียดสูงได้ตั้งแต่โลหะจนถึงวัสดุนาโน มีประโยชน์อย่างยิ่งในการสังเกตวัสดุแม่เหล็กและการวิเคราะห์ เช่น การวัด EBSD

รุ่น i และรุ่นเป็นเลนส์กึ่งเลนส์ เหมาะสมที่สุดสำหรับการสังเกตและวิเคราะห์ตัวอย่างแบบเอียงและแบบตัดขวางที่มีความละเอียดสูง ซึ่งจำเป็นสำหรับการวิเคราะห์ความล้มเหลวของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์
นอกจากนี้ ยังมีประโยชน์สำหรับการสังเกตความเปรียบต่างที่อาจเกิดขึ้นโดยใช้ตัวตรวจจับในเลนส์ด้านบน (UID)

UHD เครื่องตรวจจับไฮบริดบน

UHD ซึ่งเป็นเครื่องตรวจจับใหม่ที่รวมอยู่ในเลนส์ใกล้วัตถุรุ่น SHL มีประสิทธิภาพสูงในการตรวจจับอิเล็กตรอนที่เกิดจากชิ้นงานทดสอบ ทำให้ได้ภาพที่มีอัตราส่วน S/N ที่ได้รับการปรับปรุง

UHD (เครื่องตรวจจับไฮบริดบน)

ตัวอย่างการสังเกต SHL

ตัวอย่าง: อนุภาคอะลูมิเนียมออกไซด์

แรงดันไฟเร่ง: 0.5 kV, โหมดสังเกต: BD, ตัวตรวจจับ: UHD
สามารถสังเกตโครงสร้างขั้นบันไดอันน่าทึ่งบนพื้นผิวของอนุภาคได้ สังเกตขั้นตอนนาโนเมตรได้อย่างชัดเจนบนพื้นผิวอนุภาค
※ ได้มาโดยรุ่น SHL

ตัวอย่าง: Aluminium Boehmite

แรงดันไฟเร่ง: 0.3 kV, โหมดสังเกต: BD, ตัวตรวจจับ: UHD
โครงสร้างนาโนแผ่นบางที่มีความหนาน้อยกว่า 10 นาโนเมตรสามารถสังเกตได้ชัดเจนบนพื้นผิวของอะลูมิเนียมโบเอไมต์

• ได้มาโดยรุ่น SHL

ตัวอย่าง: เซลลูโลสนาโนไฟเบอร์ (CNF)

แรงดันไฟเร่ง: 0.2 kV, โหมดสังเกต: BD, ตัวตรวจจับ: UHD+UED (เพิ่มสัญญาณ)
ได้รับความอนุเคราะห์จาก Professor Hiroyuki Yano (สถาบันวิจัยเพื่อมนุษยธรรมที่ยั่งยืน, มหาวิทยาลัยเกียวโต, ประเทศญี่ปุ่น)
แม้ว่าชิ้นงานทดสอบจะเป็นเส้นใยอินทรีย์ การสังเกตยังทำได้โดยการควบคุมความเสียหายของลำแสงบนเส้นใยอินทรีย์

• ได้มาโดยรุ่น SHL

ตัวอย่าง: ภาพตัดขวางของชิป IC (การกัดพื้นผิว, การเคลือบออสเมียม)

แรงดันไฟเร่ง: 5.0 kV (ไม่มีโหมด BD), โหมดสังเกต: SHL, ตัวตรวจจับ: UHD, UED (โหมด BSE)
สามารถรับภาพ SE ได้โดยใช้ UHD; และสามารถรับภาพ BSE ได้โดยใช้ UED

ตัวอย่างการสังเกต HL

ตัวอย่าง: Pt อนุภาคนาโนบนคาร์บอน

แรงดันไฟเร่ง: 20 kV, WD: 2 มม., โหมดการสังเกต: BD, ตัวตรวจจับ: UED

ตัวอย่าง: ซีโอไลต์

แรงดันไฟเร่ง: 1 kV, WD: 3 มม., โหมดการสังเกต: STD, ตัวตรวจจับ: SED

ตัวอย่าง: เทปปิดผนึก

แรงดันไฟเร่ง: 0.5 kV, WD: 2 มม., โหมดการสังเกต: BD, ตัวตรวจจับ: UED

ตัวอย่าง: ไส้ตะเกียงไฟฟ้า

แรงดันไฟเร่ง: 10 kV, WD: 6 มม., โหมดการสังเกต: LV, ตัวตรวจจับ: LVBED

ฉันสังเกตตัวอย่าง

ภาพอิเล็กตรอนทุติยภูมิ (SE) ของอนุภาคตัวเร่งปฏิกิริยาด้วยแสง

ภาพนี้ได้มาโดยใช้ตัวตรวจจับ UED ของ JSM-IT800(i)
เอื้อเฟื้อตัวอย่างโดย Project Professor Kazunari Domen, The University of Tokyo, Japan

ตัวเร่งปฏิกิริยาด้วยแสงนี้เผยให้เห็นประสิทธิภาพควอนตัมของปฏิกิริยาการแยกน้ำที่ใกล้เคียง 100% ภาพ SE ที่มีความละเอียดสูงแสดงให้เห็นอย่างชัดเจนว่าอนุภาคโคคาตาลิสต์ที่มีขนาดน้อยกว่า 10 นาโนเมตรจะถูกสะสมไว้บนคริสตัลด้าน {100} ด้านของอนุภาคลูกบาศก์เพื่อส่งเสริมปฏิกิริยาวิวัฒนาการของไฮโดรเจนและออกซิเจน

อ้างอิง

ต. ทากาตะ et. al., "การแยกน้ำด้วยโฟโตคะตาไลติกด้วยประสิทธิภาพควอนตัมที่เกือบจะเป็นหนึ่งเดียว" ธรรมชาติ , 581, 411-414, 2020.

ส่วนประกอบ SRAM ภาพคอนทราสต์องค์ประกอบ / ภาพคอนทราสต์แรงดัน / ภาพคอนทราสต์ภูมิประเทศ

เงื่อนไขการสังเกต: แรงดันลงจอด 1 kV, WD 8 mm, โหมด SIL และสัญญาณจะได้รับจากเครื่องตรวจจับ UED, UID และ SED พร้อมกัน

การสังเกตฉนวน (ไม่เคลือบ)
ตัวอย่าง: พื้นผิวของฟิล์ม Al anodic oxide

เงื่อนไขการสังเกต: แรงดันลงจอด 5 kV, WD 4.5 mm, โหมด LV (50 Pa), เครื่องตรวจจับ LVBED
สามารถสังเกตรูพรุนระดับนาโนบนพื้นผิวได้โดยไม่ต้องใช้เอฟเฟกต์การชาร์จเมื่อใช้สุญญากาศต่ำ

การสังเกตอนุภาคในแหล่งกำเนิดในของเหลว ตัวอย่าง: CeO2 กระจายตัวในน้ำ

เงื่อนไขการสังเกต: แรงดันลงจอด 10 kV, WD 4.5 mm, โหมด LV (50 Pa), เครื่องตรวจจับ LVBED
การปิดล้อมของเหลวในตัวยึดแบบฝังใน Flow View ช่วยให้สามารถสังเกตอนุภาคผ่านช่องหน้าต่างซิลิกอนไนไตรด์ของตัวจับยึดได้
นอกจากนี้ยังสามารถสังเกตการกระจายตัวของอนุภาคในของเหลวได้อีกด้วย (ผู้ถือ Flow View ผลิตโดย FlowVIEW Tek)

อ้างอิง

น. อาซาโนะ et. al., "เทคนิคการสังเกตโดยตรงโดยใช้กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดสำหรับนาโนคริสตัลและนาโนคลัสเตอร์ที่สังเคราะห์ด้วยความร้อนด้วยความร้อน" วัสดุนาโน , 11, 908, 2021

ใหม่ เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงกลับ

เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงสะท้อนกลับแบบเรืองแสงวาบ (SBED) มีความไวที่ดีเยี่ยมและมีประโยชน์ในการได้ภาพคอนทราสต์ของวัสดุที่แรงดันไฟเร่งต่ำ เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงสะท้อนกลับเอนกประสงค์ (VBED) ช่วยให้ได้ภาพที่มีลักษณะเฉพาะ เช่น 3D และภูมิประเทศพื้นผิวตามรูปร่างขององค์ประกอบการตรวจจับแบบแบ่ง

SBED (เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบเรืองแสงสะท้อนกลับ)

การใช้ตัวเรืองแสงวาบสำหรับเครื่องตรวจจับได้ปรับปรุงความไวและการตอบสนองในการตรวจจับเมื่อเปรียบเทียบกับองค์ประกอบเซมิคอนดักเตอร์

ตัวอย่าง: ส่วนบางเฉียบของสมองน้อยของหนู (ความคมชัดผกผัน) แรงดันไฟเร่ง: 2.0kV

ชิ้นงาน: ผงหมึก, แรงดันเร่ง: 1.5kV

ชิ้นงาน: แผ่นทองแดง (การสังเกตการเปลี่ยนแปลง), แรงดันเร่ง: 25kV

รูปภาพ VBED (เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงกลับเอนกประสงค์)

องค์ประกอบการตรวจจับเซมิคอนดักเตอร์แบ่งออกเป็น 5 ส่วน ทำให้สามารถเลือกสัญญาณที่เหมาะสมกับการสังเกตการณ์ได้

การเลือกมุม

ตัวอย่าง: เรืองแสงวาบ, แรงดันไฟฟ้าเร่ง: 3.0kV
ข้อมูลองค์ประกอบจะได้รับการปรับปรุงโดยส่วนภายใน ในขณะที่ข้อมูลภูมิประเทศจะได้รับการปรับปรุงโดยส่วนนอก นอกจากนี้ การเปรียบเทียบความคมชัดของตัวเรืองแสงใต้ฟิล์มสะสม AI สามารถตรวจสอบข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับความลึกที่แตกต่างกันได้

การสร้างใหม่ 3 มิติ

ตัวอย่าง: เลนส์ไมโครบนชิปของชิ้นเลนส์ CCD, แรงดันไฟเร่ง: 7.0kV
การสร้างภาพ 3 มิติขึ้นใหม่สามารถทำได้โดยใช้ภาพ 2 มิติที่ได้จากสี่ส่วน

ลิงค์

• ข่าวประชาสัมพันธ์

การเปิดตัว Schottky Field Emission Scanning Electron Microscope รุ่น JSM-IT800(i)/(is) －FE-SEM พร้อมแพลตฟอร์มเทคโนโลยีอัจฉริยะ (IT) － (2021/8/31)

การเปิดตัวกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดภาคสนามชอตต์กี้ JSM-IT800 －FE-SEM พร้อมแพลตฟอร์มเทคโนโลยีอัจฉริยะ (IT) － (2020/5/25)

JSM-IT800 เนื้อหาพิเศษ

ข้อบ่งชี้จำเพาะ

ระบบแลกเปลี่ยนตัวอย่าง

การรับภาพด้วยแสงรองรับทั้งระบบแลกเปลี่ยนชิ้นงานทดสอบ

ระบบดึงออกเหมาะสำหรับการแลกเปลี่ยนตัวอย่างขนาดใหญ่

• พร้อมระบบดึงออก

• แม็กซ์ ขนาดชิ้นงานทดสอบ: เส้นผ่านศูนย์กลาง 170 มม.

• การอพยพสูญญากาศ: 3 ถึง 5 นาที

• พื้นที่ภาพออปติคอล: 120 มม. × 120 มม.

ห้องแลกเปลี่ยนตัวอย่างช่วยให้การโหลด/ขนตัวอย่างรวดเร็วและสะอาด

• พร้อมห้องเตรียมอพยพ

• แม็กซ์ ขนาดชิ้นงานทดสอบ: เส้นผ่านศูนย์กลาง 100 มม.

• การอพยพสูญญากาศ: 60 วินาทีหรือน้อยกว่า

• พื้นที่ภาพออปติคอล: 70 มม. × 70 มม.

• เวลาในการอพยพและระบายอากาศจะเปลี่ยนแปลงไปตามสิ่งส่งตรวจหรือสภาพแวดล้อมในการติดตั้ง

• จำเป็นต้องใช้ระบบนำทางบนเวที (SNS) ที่เป็นอุปกรณ์เสริมสำหรับการใช้ภาพออปติคัล

• ห้องแลกเปลี่ยนตัวอย่างเป็นทางเลือก

รายละเอียดของเครื่องตรวจจับ DrySD™

ตัวเลือกหลัก

• เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนตอนบน (UED) *SHL, SHLs, is

• เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิตอนบน (USD) *HL

• เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนตอนบน (UED) *is

• คอนเวอร์เตอร์อิเล็คตรอนตอนบน (UEC) *is

• เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจัดกระจาย (BED)

• เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจัดกระจายแบบเรืองแสงวาบ (SBED)

• เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงกลับเอนกประสงค์ (VBED) *HL, SHL, SHLs

• เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบส่งกำลัง (TED)

• สูญญากาศต่ำ (รวมเครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจัดกระจายต่ำแบบสุญญากาศ (LVBED))

• เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิต่ำ (LVSED)

• ระบบการเลี้ยวเบนกลับของอิเล็กตรอน (EBSD)

• เอ็กซ์เรย์สเปกโตรมิเตอร์แบบกระจายความยาวคลื่น (WDS)

• สเปกโตรมิเตอร์การแผ่รังสีเอกซ์แบบอ่อน (SXES) *HL, SHL, SHLs

• โพรบเครื่องตรวจจับปัจจุบัน

• ห้องแลกเปลี่ยนตัวอย่าง

• ระบบนำทางบนเวที

• กล้องแชมเบอร์

• ตารางการทำงาน

• แผงควบคุมการทำงาน

• ติดตามบอล

• สไมล์เลนาวี

• การตัดต่อ

• แผนที่สด

• ตัวกรอง AI สด

• แผนที่สไมล์วิว™

ดาวน์โหลดแคตตาล็อก

รุ่น JSM-IT800 Schottky Field Emission Scanning Electron Microscope

การใช้งาน

แอปพลิเคชัน JSM-IT800

ไครโอโน้ต

เคล็มโน้ต

การวิเคราะห์การเสื่อมสภาพของฟิล์มโพลีเอทิลีนเทเรพทาเลตโดยการฉายรังสี UV โดยใช้แมสสเปกโตรเมทรีด้วยเอกซ์เรย์และกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

IB-10500HMS CROSS SECTION POLISHER™ ระบบการกัดปริมาณงานสูง

IB-19520CCP ข้ามส่วนขัด™

ความเสียหายจากความร้อนสามารถลดลงได้โดยการทำให้ชิ้นงานเย็นลงด้วยไนโตรเจนเหลวในระหว่างการประมวลผล ออกแบบมาเพื่อลดการใช้ไนโตรเจนเหลว ทำให้สามารถทำความเย็นได้นาน การทำให้ชิ้นงานเย็นลงอย่างรวดเร็วในขณะที่แช่อยู่ในไนโตรเจนเหลว กลับสู่อุณหภูมิห้อง ออกแบบมาเพื่อให้ถอดชิ้นส่วนได้ รวมกลไกที่ช่วยให้กระบวนการตั้งแต่การขัดเงาจนถึงการสังเกตดำเนินการได้โดยไม่ต้องให้ตัวอย่างสัมผัสกับอากาศ

IB-19530CP CROSS SECTION POLISER™

IB-19530CP มีเวทีอเนกประสงค์ที่ออกแบบอย่างสร้างสรรค์เพื่อตอบสนองความต้องการของตลาดที่มีความหลากหลายมากขึ้น และตระหนักถึงฟังก์ชันอเนกประสงค์โดยผู้ถือฟังก์ชันประเภทต่างๆ แท่นอเนกประสงค์รวมกับตัวจับยึดที่ใช้งานได้เฉพาะ ทำให้ผู้ใช้สามารถทำหน้าที่ต่างๆ เช่น การกัดและขัดพื้นผิวระนาบ การเคลือบผิวด้วยสปัตเตอร์ และการกัดไอออนแบบภาคตัดขวางแบบดั้งเดิมมากขึ้น

Gather-X JED ซีรีส์ Dry SD™ Windowless EDS

สำรวจวิทยาศาสตร์ด้วย JSM-IT800/การวิเคราะห์ EDS แบบไร้หน้าต่าง

การวิเคราะห์ EDS ที่ปราศจากความเครียดจากองค์ประกอบที่เบาไปจนถึงหนัก! การพัฒนาวัสดุมีความสำคัญมากขึ้นด้วยแรงผลักดันจากความเป็นกลางของคาร์บอน
ตัวอย่างเช่น ในวัสดุแบตเตอรี่ จำเป็นต้องมีการวิเคราะห์ที่หลากหลายตั้งแต่องค์ประกอบแสง เช่น Li ไปจนถึงโลหะทรานสิชัน รวมถึง Ni, Co และ Mn
ความต้องการการวิเคราะห์ที่มีประสิทธิภาพและมีความละเอียดอ่อนสูงเพิ่มขึ้นในการวิเคราะห์วัสดุเซมิคอนดักเตอร์และอนุภาคนาโนของตัวเร่งปฏิกิริยา
Dry SD™ Gather-X ที่พัฒนาขึ้นใหม่เป็น EDS แบบไม่มีหน้าต่างซึ่งติดตั้งกับ JSM-IT800* ได้ การวิเคราะห์เอ็กซ์เรย์ความไวสูงสามารถทำได้ในทุกย่านพลังงาน ซึ่งรวมถึงเอ็กซ์เรย์ที่มีลักษณะเฉพาะพลังงานต่ำ เช่น Li-K (54eV) นอกจากนี้ ฟังก์ชันความปลอดภัยที่เชื่อมต่อระหว่าง JSM-IT800 และซอฟต์แวร์การรวม SEM/EDS ยังช่วยให้ทุกคนใช้งานได้อย่างปลอดภัยและสะดวกสบาย

*ติดตั้งได้กับ JSM-IT800 / .

สเปกโตรมิเตอร์เอ็กซ์เรย์แบบอ่อน (SXES)

Soft X-Ray Emission Spectrometer (SXES) เป็นสเปกโตรมิเตอร์ความละเอียดสูงพิเศษที่ประกอบด้วยตะแกรงเลี้ยวเบนแสงที่พัฒนาขึ้นใหม่และกล้อง X-ray CCD ความไวสูง
เช่นเดียวกับ EDS การตรวจจับแบบขนานสามารถทำได้ และการวิเคราะห์ความละเอียดพลังงานสูงพิเศษ 0.3 eV (มาตรฐาน Fermi-edge, Al-L) สามารถทำได้ ซึ่งเหนือกว่าความละเอียดด้านพลังงานของ WDS

ข้อมูลเพิ่มเติม