ปิด Btn

เลือกไซต์ภูมิภาคของคุณ

ปิดหน้านี้

คุณสมบัติ

JSM-IT800 รวมเอา "ปืนอิเล็กตรอนในเลนส์ Schottky Plus field emission" ของเราสำหรับการถ่ายภาพความละเอียดสูงเพื่อทำแผนที่องค์ประกอบอย่างรวดเร็ว และระบบควบคุมอิเล็กตรอนแบบออปติคอล "Neo Engine" ที่เป็นนวัตกรรมใหม่ และระบบของ GUI "SEM Center" ที่ไร้รอยต่อ สำหรับการทำแผนที่องค์ประกอบอย่างรวดเร็วด้วยเอ็กซ์เรย์สเปกโตรมิเตอร์แบบกระจายพลังงาน (EDS) ของ JEOL ที่ฝังตัวอย่างสมบูรณ์เป็นแพลตฟอร์มทั่วไป
JSM-IT800 ช่วยให้สามารถเปลี่ยนเลนส์ใกล้วัตถุของ SEM เป็นโมดูลได้ โดยนำเสนอเวอร์ชันต่างๆ เพื่อตอบสนองความต้องการของผู้ใช้ที่หลากหลาย JSM-IT800 มีให้เลือก XNUMX รุ่นสำหรับเลนส์ใกล้วัตถุที่แตกต่างกัน: รุ่นเลนส์ไฮบริด (HL) ซึ่งเป็น FE-SEM สำหรับการใช้งานทั่วไป รุ่นเลนส์ซูเปอร์ไฮบริด (SHL/SHL สองเวอร์ชันที่มีฟังก์ชันต่างกัน) ซึ่งช่วยให้สามารถสังเกตและวิเคราะห์ความละเอียดสูงขึ้น และรุ่นกึ่งเลนส์ที่พัฒนาขึ้นใหม่ (i/is สองรุ่นที่มีฟังก์ชันต่างกัน) ซึ่งเหมาะสำหรับการสังเกตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์
นอกจากนี้ JSM-IT800 ยังสามารถติดตั้งอุปกรณ์ตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจายรังสีสะท้อนกลับ (SBED) แบบใหม่และเครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงกลับเอนกประสงค์ (VBED) ได้อีกด้วย SBED ช่วยให้ได้ภาพที่มีการตอบสนองสูง และสร้างคอนทราสต์ของวัสดุที่คมชัดแม้ใช้แรงดันไฟฟ้าที่เร่งความเร็วต่ำ ในขณะที่ VBED สามารถช่วยได้ภาพ 3 มิติ ภูมิประเทศ และคอนทราสต์ของวัสดุ ดังนั้น JSM-IT800 สามารถช่วยให้ผู้ใช้ได้รับข้อมูลที่ไม่สามารถหาได้และเพื่อแก้ปัญหาในการวัด

ปืนเลือกตั้งการปล่อยมลพิษในเลนส์ Schottky Plus (FEG)

Schottky Plus ในเลนส์ในตัวและเลนส์คอนเดนเซอร์ที่มีความคลาดเคลื่อนต่ำทำให้ได้ความสว่างของลำแสงสูง กระแสโพรบเหลือเฟือ ([ป้องกันอีเมล]) สามารถใช้ได้แม้ในแรงดันการเร่งต่ำ สิ่งนี้ช่วยให้ผู้ใช้สามารถทำการสังเกตที่มีความละเอียดสูง การทำแผนที่องค์ประกอบความเร็วสูง การวิเคราะห์ EBSD และการวิเคราะห์ X-ray แบบอ่อนด้วยการปรับพารามิเตอร์ SEM เพียงเล็กน้อย

Neo Engine (เอ็นจิ้นออปติคัลอิเล็กตรอนใหม่)

ระบบควบคุมแสงอิเล็กตรอนเจเนอเรชันถัดไป ซึ่งเป็นผลงานชิ้นเอกของเทคโนโลยีเลนส์อิเล็กตรอนของ JEOL ถูกรวมเข้าไว้ด้วยกัน การสังเกตที่เสถียรสามารถทำได้ในขณะที่ปรับพารามิเตอร์ต่างๆ ของกล้องจุลทรรศน์ นอกจากนี้ ระบบยังมีฟังก์ชันอัตโนมัติที่ได้รับการปรับปรุงเพื่อให้ใช้งานง่ายยิ่งขึ้น

เอเอฟเอส・เอซีบี


ก่อนปรับโฟกัสอัตโนมัติ


หลังการปรับโฟกัสอัตโนมัติ

ตัวอย่าง: Sn อนุภาคนาโนบนคาร์บอน
แรงดันไฟเร่ง: 15 kV, WD: 2 มม., โหมดการสังเกต: BD, ตัวตรวจจับ: UED, กำลังขยาย: x200,000

SEM Center・การรวม EDS

การรวม GUI ของกล้องจุลทรรศน์ "SEM Center" และ JEOL EDS เข้าด้วยกันอย่างเต็มรูปแบบทำให้เกิดการใช้งาน SEM รุ่นต่อไป นอกจากนี้ JSM-IT800 ยังรวม Smile Navi (ตัวเลือกเสริม) ที่สามารถช่วยเหลือผู้เริ่มต้นใช้งานฟิลเตอร์ SEM, LIVE-AI (ปัญญาประดิษฐ์) Live-AI (Live Image Visual Enhancer-AI:LIVE-AI) (ตัวเลือกเสริม) ให้ดูภาพสดได้ง่าย และ SMILE VIEW™ Lab สำหรับการสร้างรายงานที่รวดเร็ว

ห้องแล็บสไมล์วิว™

SMILENAVI *ตัวเลือก

SMILENAVI เป็นเครื่องมือช่วยที่ออกแบบมาสำหรับผู้เริ่มต้นใช้งานเพื่อให้การทำงาน SEM ขั้นพื้นฐานเป็นไปอย่างราบรื่น เมื่อตัวดำเนินการคลิกที่ปุ่มที่เหมาะสมตามที่ระบุโดยแผนผังลำดับงาน SMILENAVI SEM GUI จะเชื่อมโยงกับการดำเนินการคลิกสำหรับคำแนะนำของผู้ปฏิบัติงาน เนื่องจาก GUI แสดงขั้นตอนการทำงานและตำแหน่งของปุ่ม ผู้ปฏิบัติงานจะสามารถใช้งาน SEM ได้โดยไม่ต้องใช้ SMILENAVI

ฟิลเตอร์ LIVE-AI (Live Image Visual Enhancer-AI:LIVE-AI)

การใช้ความสามารถของ AI (ปัญญาประดิษฐ์) ตัวกรอง LIVE-AI ถูกรวมเข้าด้วยกันเพื่อคุณภาพของภาพสดที่สูงขึ้น ต่างจากการประมวลผลการรวมรูปภาพ ฟิลเตอร์ใหม่นี้สามารถแสดงภาพเคลื่อนไหวที่เคลื่อนไหวได้อย่างราบรื่นโดยไม่มีภาพตกค้าง คุณลักษณะเฉพาะนี้มีประสิทธิภาพมากสำหรับการค้นหาพื้นที่การสังเกต การโฟกัส และการปรับสติกมาเตอร์อย่างรวดเร็ว

เปรียบเทียบภาพสด

ตัวอย่าง: Ant exoskeleton, Accelerating voltage: 0.5 kV, Detector: SED

ตัวอย่าง: สนิมเหล็ก, แรงดันไฟเร่ง: 1 kV, เครื่องตรวจจับ: SED

รุ่นเลนส์ไฮบริด (HL;เลนส์ไฮบริด) /
รุ่นเลนส์ซุปเปอร์ไฮบริด (SHL;เลนส์ซุปเปอร์ไฮบริด) /
รุ่นกึ่งเลนส์

ซีรีส์ JSM-IT800 มีตัวเลือกเลนส์ใกล้วัตถุให้เหมาะกับวัตถุประสงค์ของผู้ใช้
เวอร์ชัน HL และเวอร์ชัน SHL (รวมถึงเวอร์ชัน SHL) มีการติดตั้งเลนส์ใกล้วัตถุแบบ Superposed ด้านแม่เหล็กไฟฟ้า/ไฟฟ้าสถิตที่พัฒนาขึ้นจากเลนส์เอนกประสงค์
สามารถสังเกตและวิเคราะห์ตัวอย่างที่มีความละเอียดสูงได้ตั้งแต่โลหะจนถึงวัสดุนาโน มีประโยชน์อย่างยิ่งในการสังเกตวัสดุแม่เหล็กและการวิเคราะห์ เช่น การวัด EBSD

รุ่น i และรุ่นเป็นเลนส์กึ่งเลนส์ เหมาะสมที่สุดสำหรับการสังเกตและวิเคราะห์ตัวอย่างแบบเอียงและแบบตัดขวางที่มีความละเอียดสูง ซึ่งจำเป็นสำหรับการวิเคราะห์ความล้มเหลวของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์
นอกจากนี้ ยังมีประโยชน์สำหรับการสังเกตความเปรียบต่างที่อาจเกิดขึ้นโดยใช้ตัวตรวจจับในเลนส์ด้านบน (UID)

ชนิดเลนส์นอก เลนส์ใกล้วัตถุซ้อนสนามแม่เหล็กไฟฟ้า/ไฟฟ้าสถิต เลนส์กึ่งในเลนส์

ความเก่งกาจสูง

ระบบ: JSM-IT700HR

ความเก่งกาจและความละเอียดสูง

ระบบ: JSM-IT800HL/SHL

ความละเอียดสูง

 ระบบ: JSM-IT800i/is

UHD เครื่องตรวจจับไฮบริดบน

UHD ซึ่งเป็นเครื่องตรวจจับใหม่ที่รวมอยู่ในเลนส์ใกล้วัตถุรุ่น SHL มีประสิทธิภาพสูงในการตรวจจับอิเล็กตรอนที่เกิดจากชิ้นงานทดสอบ ทำให้ได้ภาพที่มีอัตราส่วน S/N ที่ได้รับการปรับปรุง

UHD (เครื่องตรวจจับไฮบริดบน)

ตัวอย่างการสังเกต SHL

ตัวอย่าง: อนุภาคอะลูมิเนียมออกไซด์

แรงดันไฟเร่ง: 0.5 kV, โหมดสังเกต: BD, ตัวตรวจจับ: UHD
สามารถสังเกตโครงสร้างขั้นบันไดอันน่าทึ่งบนพื้นผิวของอนุภาคได้ สังเกตขั้นตอนนาโนเมตรได้อย่างชัดเจนบนพื้นผิวอนุภาค
※ ได้มาโดยรุ่น SHL

ตัวอย่าง: Aluminium Boehmite

แรงดันไฟเร่ง: 0.3 kV, โหมดสังเกต: BD, ตัวตรวจจับ: UHD
โครงสร้างนาโนแผ่นบางที่มีความหนาน้อยกว่า 10 นาโนเมตรสามารถสังเกตได้ชัดเจนบนพื้นผิวของอะลูมิเนียมโบเอไมต์

  • ได้มาโดยรุ่น SHL

ตัวอย่าง: เซลลูโลสนาโนไฟเบอร์ (CNF)

แรงดันไฟเร่ง: 0.2 kV, โหมดสังเกต: BD, ตัวตรวจจับ: UHD+UED (เพิ่มสัญญาณ)
ได้รับความอนุเคราะห์จาก Professor Hiroyuki Yano (สถาบันวิจัยเพื่อมนุษยธรรมที่ยั่งยืน, มหาวิทยาลัยเกียวโต, ประเทศญี่ปุ่น)
แม้ว่าชิ้นงานทดสอบจะเป็นเส้นใยอินทรีย์ การสังเกตยังทำได้โดยการควบคุมความเสียหายของลำแสงบนเส้นใยอินทรีย์

  • ได้มาโดยรุ่น SHL

ตัวอย่าง: ภาพตัดขวางของชิป IC (การกัดพื้นผิว, การเคลือบออสเมียม)

แรงดันไฟเร่ง: 5.0 kV (ไม่มีโหมด BD), โหมดสังเกต: SHL, ตัวตรวจจับ: UHD, UED (โหมด BSE)
สามารถรับภาพ SE ได้โดยใช้ UHD; และสามารถรับภาพ BSE ได้โดยใช้ UED

ตัวอย่างการสังเกต HL

ตัวอย่าง: Pt อนุภาคนาโนบนคาร์บอน

แรงดันไฟเร่ง: 20 kV, WD: 2 มม., โหมดการสังเกต: BD, ตัวตรวจจับ: UED

ตัวอย่าง: ซีโอไลต์

แรงดันไฟเร่ง: 1 kV, WD: 3 มม., โหมดการสังเกต: STD, ตัวตรวจจับ: SED

ตัวอย่าง: เทปปิดผนึก

แรงดันไฟเร่ง: 0.5 kV, WD: 2 มม., โหมดการสังเกต: BD, ตัวตรวจจับ: UED

ตัวอย่าง: ไส้ตะเกียงไฟฟ้า

แรงดันไฟเร่ง: 10 kV, WD: 6 มม., โหมดการสังเกต: LV, ตัวตรวจจับ: LVBED

ฉันสังเกตตัวอย่าง

ภาพอิเล็กตรอนทุติยภูมิ (SE) ของอนุภาคตัวเร่งปฏิกิริยาด้วยแสง

ภาพนี้ได้มาโดยใช้ตัวตรวจจับ UED ของ JSM-IT800(i)
เอื้อเฟื้อตัวอย่างโดย Project Professor Kazunari Domen, The University of Tokyo, Japan

ตัวเร่งปฏิกิริยาด้วยแสงนี้เผยให้เห็นประสิทธิภาพควอนตัมของปฏิกิริยาการแยกน้ำที่ใกล้เคียง 100% ภาพ SE ที่มีความละเอียดสูงแสดงให้เห็นอย่างชัดเจนว่าอนุภาคโคคาตาลิสต์ที่มีขนาดน้อยกว่า 10 นาโนเมตรจะถูกสะสมไว้บนคริสตัลด้าน {100} ด้านของอนุภาคลูกบาศก์เพื่อส่งเสริมปฏิกิริยาวิวัฒนาการของไฮโดรเจนและออกซิเจน

อ้างอิง

ต. ทากาตะ et. al., "การแยกน้ำด้วยโฟโตคะตาไลติกด้วยประสิทธิภาพควอนตัมที่เกือบจะเป็นหนึ่งเดียว" ธรรมชาติ , 581, 411-414, 2020.

ส่วนประกอบ SRAM ภาพคอนทราสต์องค์ประกอบ / ภาพคอนทราสต์แรงดัน / ภาพคอนทราสต์ภูมิประเทศ

เงื่อนไขการสังเกต: แรงดันลงจอด 1 kV, WD 8 mm, โหมด SIL และสัญญาณจะได้รับจากเครื่องตรวจจับ UED, UID และ SED พร้อมกัน

การสังเกตฉนวน (ไม่เคลือบ)
ตัวอย่าง: พื้นผิวของฟิล์ม Al anodic oxide

เงื่อนไขการสังเกต: แรงดันลงจอด 5 kV, WD 4.5 mm, โหมด LV (50 Pa), เครื่องตรวจจับ LVBED
สามารถสังเกตรูพรุนระดับนาโนบนพื้นผิวได้โดยไม่ต้องใช้เอฟเฟกต์การชาร์จเมื่อใช้สุญญากาศต่ำ

การสังเกตอนุภาคในแหล่งกำเนิดในของเหลว ตัวอย่าง: CeO2 กระจายตัวในน้ำ

เงื่อนไขการสังเกต: แรงดันลงจอด 10 kV, WD 4.5 mm, โหมด LV (50 Pa), เครื่องตรวจจับ LVBED
การปิดล้อมของเหลวในตัวยึดแบบฝังใน Flow View ช่วยให้สามารถสังเกตอนุภาคผ่านช่องหน้าต่างซิลิกอนไนไตรด์ของตัวจับยึดได้
นอกจากนี้ยังสามารถสังเกตการกระจายตัวของอนุภาคในของเหลวได้อีกด้วย (ผู้ถือ Flow View ผลิตโดย FlowVIEW Tek)

อ้างอิง

น. อาซาโนะ et. al., "เทคนิคการสังเกตโดยตรงโดยใช้กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดสำหรับนาโนคริสตัลและนาโนคลัสเตอร์ที่สังเคราะห์ด้วยความร้อนด้วยความร้อน" วัสดุนาโน , 11, 908, 2021

ใหม่ เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงกลับ

เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงสะท้อนกลับแบบเรืองแสงวาบ (SBED) มีความไวที่ดีเยี่ยมและมีประโยชน์ในการได้ภาพคอนทราสต์ของวัสดุที่แรงดันไฟเร่งต่ำ เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงสะท้อนกลับเอนกประสงค์ (VBED) ช่วยให้ได้ภาพที่มีลักษณะเฉพาะ เช่น 3D และภูมิประเทศพื้นผิวตามรูปร่างขององค์ประกอบการตรวจจับแบบแบ่ง

SBED (เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบเรืองแสงสะท้อนกลับ)

การใช้ตัวเรืองแสงวาบสำหรับเครื่องตรวจจับได้ปรับปรุงความไวและการตอบสนองในการตรวจจับเมื่อเปรียบเทียบกับองค์ประกอบเซมิคอนดักเตอร์

รูปภาพ VBED (เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงกลับเอนกประสงค์)

องค์ประกอบการตรวจจับเซมิคอนดักเตอร์แบ่งออกเป็น 5 ส่วน ทำให้สามารถเลือกสัญญาณที่เหมาะสมกับการสังเกตการณ์ได้

การเลือกมุม

ตัวอย่าง: เรืองแสงวาบ, แรงดันไฟฟ้าเร่ง: 3.0kV
ข้อมูลองค์ประกอบจะได้รับการปรับปรุงโดยส่วนภายใน ในขณะที่ข้อมูลภูมิประเทศจะได้รับการปรับปรุงโดยส่วนนอก นอกจากนี้ การเปรียบเทียบความคมชัดของตัวเรืองแสงใต้ฟิล์มสะสม AI สามารถตรวจสอบข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับความลึกที่แตกต่างกันได้

การสร้างใหม่ 3 มิติ

ตัวอย่าง: เลนส์ไมโครบนชิปของชิ้นเลนส์ CCD, แรงดันไฟเร่ง: 7.0kV
การสร้างภาพ 3 มิติขึ้นใหม่สามารถทำได้โดยใช้ภาพ 2 มิติที่ได้จากสี่ส่วน

ลิงค์

  • ข่าวประชาสัมพันธ์

ข้อบ่งชี้จำเพาะ

JSM-IT800 (เอชแอล) JSM-IT800 (คือ) JSM-IT800 (ผม) JSM-IT800 (SHL) JSM-IT800 (SHL)
ความละเอียด 0.7 นาโนเมตร (20kV) 0.6 นาโนเมตร (15kV) 0.5 นาโนเมตร (15kV) 0.6 นาโนเมตร (15kV) 0.5 นาโนเมตร (15kV)
1.3 นาโนเมตร (1kV) 1.0 นาโนเมตร (1kV) 0.7 นาโนเมตร (1kV) 1.1 นาโนเมตร (1kV) 0.7 นาโนเมตร (1kV)
0.9 นาโนเมตร (500V)
3.0nm (15kV, 5nA, WD 10 มม.) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 8 มม.) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 8 มม.) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 10 มม.) 3.0nm (5kV, 5nA, WD 10 มม.)
การอวดอ้าง ภาพถ่าย
ขยาย:
×10 ถึง ×2,000,000
(128 × 96 มม.)

กำลังขยายจอแสดงผล:
×27 ถึง ×5,480,000
(1,280 × 960 พิกเซล)
ภาพถ่าย
แว่นขยาย:
×25 ถึง ×2,000,000 (128 × 96 มม.)

กำลังขยายจอแสดงผล:
×69 ถึง ×5,480,000 (1,280 × 960 พิกเซล)
ภาพถ่าย
แว่นขยาย:
×25 ถึง ×2,000,000 (128 × 96 มม.)

กำลังขยายจอแสดงผล:
×69 ถึง ×5,480,000 (1,280 × 960 พิกเซล)
ภาพถ่าย
ขยาย:
×10 ถึง ×2,000,000
(128 × 96 มม.)

กำลังขยายจอแสดงผล:
×27 ถึง ×5,480,000
(1,280 × 960 พิกเซล)
ภาพถ่าย
ขยาย:
×10 ถึง ×2,000,000
(128 × 96 มม.)

กำลังขยายจอแสดงผล:
×27 ถึง ×5,480,000
(1,280 × 960 พิกเซล)
แรงดันไฟฟ้าเร่ง 0.01 ถึง 30 kV
โพรบปัจจุบัน ไม่กี่ pA ถึง 300 nA (30 kV)
ไม่กี่ pA ถึง 100 nA (5 kV)
ไม่กี่ pA ถึง 300 nA (30 kV)
ไม่กี่ pA ถึง 100 nA (5 kV)
ไม่กี่ pA ถึง 500 nA (30 kV)
ไม่กี่ pA ถึง 100 nA (5 kV)
ไม่กี่ pA ถึง 500 nA (30 kV)
ไม่กี่ pA ถึง 100 nA (5 kV)
ไม่กี่ pA ถึง 500 nA (30 kV)
ไม่กี่ pA ถึง 100 nA (5 kV)
เครื่องตรวจจับ (มาตรฐาน) เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนรอง (SED)
เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนตอนบน (UED)
เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนรอง (SED)
ตัวตรวจจับในเลนส์ด้านบน (UID)
เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนรอง (SED)
ตัวตรวจจับในเลนส์ด้านบน (UID)
เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนตอนบน (UED)
เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนรอง (SED)
เครื่องตรวจจับไฮบริดส่วนบน (UHD)
เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนรอง (SED)
เครื่องตรวจจับไฮบริดส่วนบน (UHD)
ปืนอิเล็กตรอน ปืนอิเล็กตรอนแบบปล่อยสนามไฟฟ้า Schottky Plus ในเลนส์
Emitter
ระยะเวลาการรับประกัน
เลนส์ควบคุมมุมรูรับแสง (ACL) Built-in Built-in Built-in Built-in Built-in
เลนส์ใกล้วัตถุ เลนส์ไฮบริด เลนส์กึ่งในเลนส์ เลนส์กึ่งในเลนส์ เลนส์ซุปเปอร์ไฮบริด เลนส์ซุปเปอร์ไฮบริด
ขั้นตอนตัวอย่าง ระยะโกนิโอมิเตอร์แบบยูเซนตริกแบบเต็ม ระยะโกนิโอมิเตอร์แบบยูเซนตริกแบบเต็ม ระยะโกนิโอมิเตอร์แบบยูเซนตริกแบบเต็ม ระยะโกนิโอมิเตอร์แบบยูเซนตริกแบบเต็ม ระยะโกนิโอมิเตอร์แบบยูเซนตริกแบบเต็ม
การควบคุมเวที ตัวขับมอเตอร์ 5 แกน ตัวขับมอเตอร์ 5 แกน ตัวขับมอเตอร์ 5 แกน ตัวขับมอเตอร์ 5 แกน ตัวขับมอเตอร์ 5 แกน
ขนาดตัวอย่าง
(วาด, ออกแบบ)
Type1 (มาตรฐาน) 
เส้นผ่านศูนย์กลางสูงสุด: 170 มม. ความสูงสูงสุด: 45 มม. (WD 5 มม.)
ช่วงการเคลื่อนที่ของฉาก (X:70 มม. Y:50 มม. Z:1 ถึง 41 มม. เอียง: -5 ถึง 70° การหมุน: 360°)

Type2 (ตัวเลือก)
เส้นผ่านศูนย์กลางสูงสุด: 200 มม. ความสูงสูงสุด: 55 มม. (WD 5 มม.)
ช่วงการเคลื่อนที่ของฉาก (X:100 มม. Y:100 มม. Z:1 ถึง 50 มม. เอียง: -5 ถึง 70° การหมุน: 360°)

Type3 (ตัวเลือก)
เส้นผ่านศูนย์กลางสูงสุด: 200 มม. ความสูงสูงสุด: 45 มม. (WD 5 มม.)
ช่วงการเคลื่อนที่ของฉาก (X:140 มม. Y:80 มม. Z:1 ถึง 41 มม. เอียง: -5 ถึง 70° การหมุน: 360°)
โหมดสูญญากาศต่ำ
 (ตัวเลือก)
มีจำหน่าย กรุณาติดต่อเราก่อนสั่งซื้อ
ฟังก์ชันการวิเคราะห์
 (ตัวเลือก)
EDS
WDS
โรคอีบีเอสดี
CL
EDS
WDS
CL
EDS
WDS
CL
EDS
WDS
โรคอีบีเอสดี
CL
EDS
WDS
โรคอีบีเอสดี
CL
แอปพลิเคชันหลัก (ตัวอย่าง) วัสดุแม่เหล็ก
พื้นที่กว้างEBSD
การวิเคราะห์อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ วัสดุแม่เหล็ก, EBSD, ตัวอย่างทางชีวภาพ
(เอกซเรย์คอมพิวเตอร์, CLEM)

ระบบแลกเปลี่ยนตัวอย่าง

การรับภาพด้วยแสงรองรับทั้งระบบแลกเปลี่ยนชิ้นงานทดสอบ

ระบบดึงออกเหมาะสำหรับการแลกเปลี่ยนตัวอย่างขนาดใหญ่

  • พร้อมระบบดึงออก

  • แม็กซ์ ขนาดชิ้นงานทดสอบ: เส้นผ่านศูนย์กลาง 170 มม.

  • การอพยพสูญญากาศ: 3 ถึง 5 นาที

  • พื้นที่ภาพออปติคอล: 120 มม. × 120 มม.

ห้องแลกเปลี่ยนตัวอย่างช่วยให้การโหลด/ขนตัวอย่างรวดเร็วและสะอาด

  • พร้อมห้องเตรียมอพยพ

  • แม็กซ์ ขนาดชิ้นงานทดสอบ: เส้นผ่านศูนย์กลาง 100 มม.

  • การอพยพสูญญากาศ: 60 วินาทีหรือน้อยกว่า

  • พื้นที่ภาพออปติคอล: 70 มม. × 70 มม.

  • เวลาในการอพยพและระบายอากาศจะเปลี่ยนแปลงไปตามสิ่งส่งตรวจหรือสภาพแวดล้อมในการติดตั้ง

  • จำเป็นต้องใช้ระบบนำทางบนเวที (SNS) ที่เป็นอุปกรณ์เสริมสำหรับการใช้ภาพออปติคัล

  • ห้องแลกเปลี่ยนตัวอย่างเป็นทางเลือก

รายละเอียดของเครื่องตรวจจับ DrySD™

พื้นที่ตรวจจับ 60 มม2
ความละเอียดพลังงาน 133 eV หรือน้อยกว่า
องค์ประกอบที่ตรวจจับได้ บีทูยู
ฟังก์ชันการจัดการข้อมูลและการสร้างรายงาน ห้องแล็บสไมล์วิว™

ตัวเลือกหลัก

  • เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนตอนบน (UED) *SHL, SHLs, is

  • เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิตอนบน (USD) *HL

  • เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนตอนบน (UED) *is

  • คอนเวอร์เตอร์อิเล็คตรอนตอนบน (UEC) *is

  • เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจัดกระจาย (BED)

  • เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจัดกระจายแบบเรืองแสงวาบ (SBED)

  • เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงกลับเอนกประสงค์ (VBED) *HL, SHL, SHLs

  • เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบส่งกำลัง (TED)

  • สูญญากาศต่ำ (รวมเครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจัดกระจายต่ำแบบสุญญากาศ (LVBED))

  • เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิต่ำ (LVSED)

  • ระบบการเลี้ยวเบนกลับของอิเล็กตรอน (EBSD)

  • เอ็กซ์เรย์สเปกโตรมิเตอร์แบบกระจายความยาวคลื่น (WDS)

  • สเปกโตรมิเตอร์การแผ่รังสีเอกซ์แบบอ่อน (SXES) *HL, SHL, SHLs

  • โพรบเครื่องตรวจจับปัจจุบัน

  • ห้องแลกเปลี่ยนตัวอย่าง

  • ระบบนำทางบนเวที

  • กล้องแชมเบอร์

  • ตารางการทำงาน

  • แผงควบคุมการทำงาน

  • ติดตามบอล

  • สไมล์เลนาวี

  • การตัดต่อ

  • แผนที่สด

  • ตัวกรอง AI สด

  • แผนที่สไมล์วิว™

ดาวน์โหลดแคตตาล็อก

การใช้งาน

แอปพลิเคชัน JSM-IT800

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

ข้อมูลเพิ่มเติม

พื้นฐานวิทยาศาสตร์

คำอธิบายง่ายๆ เกี่ยวกับกลไกและ
การใช้งานผลิตภัณฑ์ JEOL

ปิดหน้านี้
แจ้งให้ทราบ

คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?

ไม่

โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป

ติดต่อ

เจอีโอแอล ให้บริการสนับสนุนที่หลากหลายเพื่อให้แน่ใจว่าลูกค้าของเราสามารถใช้ผลิตภัณฑ์ของเราได้อย่างสบายใจ
โปรดติดต่อเรา