Gather-X JED Series DrySD™ EDS แบบไม่มีหน้าต่าง

สำรวจวิทยาศาสตร์ ด้วย JSM-IT800/การวิเคราะห์ EDS แบบไร้หน้าต่าง
การวิเคราะห์ EDS ที่ปราศจากความเครียดจากองค์ประกอบที่เบาถึงหนัก!
ด้วยแรงผลักดันจากความเป็นกลางของคาร์บอน การพัฒนาวัสดุจึงมีความสำคัญมากขึ้น
ตัวอย่างเช่น ในวัสดุแบตเตอรี่ จำเป็นต้องมีการวิเคราะห์ที่หลากหลายตั้งแต่องค์ประกอบแสง เช่น Li ไปจนถึงโลหะทรานสิชัน รวมถึง Ni, Co และ Mn
ความต้องการการวิเคราะห์ที่มีประสิทธิภาพและมีความละเอียดอ่อนสูงเพิ่มขึ้นในการวิเคราะห์วัสดุเซมิคอนดักเตอร์และอนุภาคนาโนของตัวเร่งปฏิกิริยา
DrySD™ Gather-X ที่พัฒนาขึ้นใหม่เป็น EDS แบบไม่มีหน้าต่างซึ่งสามารถติดตั้งได้กับ JSM-IT800* การวิเคราะห์รังสีเอกซ์ความไวสูงสามารถทำได้ในทุกแถบพลังงาน รวมถึงการเอกซเรย์ลักษณะพลังงานต่ำ เช่น Li-K (54eV) นอกจากนี้ ฟังก์ชันความปลอดภัยที่ประสานกับ JSM-IT800 และซอฟต์แวร์การรวม SEM/EDS ช่วยให้ทุกคนสามารถใช้งานได้อย่างปลอดภัยและสะดวกสบาย
*ติดตั้งได้กับ JSM-IT800
คุณสมบัติ

การวิเคราะห์ความไวสูงสำหรับทุกภูมิภาคพลังงาน

การตรวจจับเอ็กซ์เรย์ที่มีลักษณะเฉพาะน้อยกว่า 100 eV (บริเวณเอ็กซ์เรย์แบบอ่อน)
EDS แบบไม่มีหน้าต่างทำให้สามารถปรับปรุงความไวในการตรวจจับได้อย่างมากสำหรับรังสีเอกซ์ที่มีลักษณะเฉพาะน้อยกว่า 1 keV และยังสามารถตรวจจับบริเวณเอ็กซ์เรย์แบบอ่อนที่น้อยกว่า 100 eV (Li-K เป็นต้น)
ตัวอย่างการวิเคราะห์วัสดุแอโนดสำหรับแบตเตอรี่ลิเธียมไอออนแบบโซลิดสเตต

ตัวอย่าง: Si แอโนดสำหรับแบตเตอรี่ลิเธียมไอออนแบบโซลิดสเตตทั้งหมด
เงื่อนไขการวิเคราะห์: แรงดันไฟเร่ง 3 kV, WD 7 mm,
กระแสโพรบ 0.6 nA เวลาในการวัด 15 นาที
SEM: JSM-IT800 <SHL>
ตัวอย่างมารยาท:
ศาสตราจารย์ อัตสึโนริ มัตสึดะ
ภาควิชาวิศวกรรมข้อมูลไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์
มหาวิทยาลัยโทโยฮาชิ แห่งเทคโนโลยี
แผนที่ EDS ของลิเธียม (Li-K: 54 eV) และซิลิกอน (Si-L: 90 eV) เนื่องจากพีคสเปกตรัมสองพีคที่มีพลังงานเอ็กซ์เรย์อยู่ใกล้กัน ถูกแยกและทำแผนที่ แผนที่จึงเผยให้เห็นการกระจายของลิเธียมและซิลิกอนบนแอโนดซิลิกอน


ความสามารถสูงในการตรวจจับรังสีเอกซ์ที่น้อยกว่า 100 eV เป็นคุณสมบัติที่ใหญ่ที่สุดของ Windowless EDS

มุมทึบขนาดใหญ่
มุมทึบขนาดใหญ่ช่วยให้สามารถวิเคราะห์ EDS ได้โดยมีอัตราการนับสูง ข้อได้เปรียบนี้ทำให้เวลาในการวัดสั้นลงอย่างมากและความเสียหายของลำแสงอิเล็กตรอนที่ถูกกดทับอย่างสูงต่อชิ้นงานทดสอบ
ตัวอย่างการวิเคราะห์วัสดุแคโทดสำหรับแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน

ตัวอย่าง: วัสดุแคโทดสำหรับแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน
เงื่อนไขการวิเคราะห์: แรงดันไฟฟ้าเร่ง 1.5 kV, (อคติกับชิ้นงาน: –5 kV),
WD 7 มม. กระแสโพรบ 4.8 nA เวลาในการวัด 13 นาที
SEM: JSM-IT800 <SHL>
แผนที่ EDS ของสารออกฤทธิ์ของแมงกานีส (Mn) โคบอลต์ (Co) นิกเกิล (Ni) และออกซิเจน (O) ตัวช่วยนำไฟฟ้าของคาร์บอน (C) และสารยึดเกาะฟลูออรีน (F)
วัสดุเหล่านี้ไวต่อความเสียหายของลำแสงอิเล็กตรอนและมีการกระจายตัวประสานบนพื้นผิวของชิ้นงานทดสอบ แผนที่ EDS ดำเนินการที่แรงดันไฟฟ้าเร่งต่ำ (1.5 kV)

เปรียบเทียบกับ EDS มาตรฐาน (DrySD™ 100 มม2) จำนวน X-ray จะสูงกว่าใน Windowless EDS ซึ่งช่วยปรับปรุงความแม่นยำในการแยกสูงสุด จำนวนที่สูงช่วยให้เราได้รับการกระจายฟลูออรีนที่ชัดเจนและแม่นยำยิ่งขึ้น


เซ็นเซอร์เอ็กซ์เรย์รูปทรงสนามแข่งทำให้เครื่องตรวจจับอยู่ใกล้กับชิ้นงานมากขึ้น ทำให้เกิดมุมทึบขนาดใหญ่

วิเคราะห์ที่ความเร่งสูง
ระบบดักอิเล็กตรอน ซึ่งป้องกันไม่ให้อิเล็กตรอนที่กระจัดกระจายกลับจากชิ้นงานทดสอบเข้าสู่เซนเซอร์ X-ray ช่วยให้สามารถวิเคราะห์เชิงคุณภาพและเชิงปริมาณได้แม้ที่แรงดันไฟฟ้าสูง 30 kV

ตัวอย่างการวิเคราะห์ STEM / EDS สำหรับเซมิคอนดักเตอร์
การวิเคราะห์ STEM / EDS ของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่แรงดันไฟฟ้าเร่ง 30 kV


เนื่องจากอิเล็กตรอนที่กระจัดกระจายกลับติดอยู่ การเพิ่มขึ้นของพื้นหลังจึงถูกระงับและหลีกเลี่ยงความเสียหายต่อเซ็นเซอร์เอ็กซ์เรย์
ตัวอย่าง: แผ่นเคลือบ FIB ของสารกึ่งตัวนำกำลัง SiC
เงื่อนไขการวิเคราะห์: แรงดันไฟเร่ง 30 kV, WD 8 mm,
กระแสโพรบ 4.1 nA เวลาในการวัด 5 นาที
SEM: JSM-IT800 <SHL>* 1

ใช้เครื่องตรวจจับ STEM ของ Deben
ซอฟต์แวร์วิเคราะห์เฟส EDS เป็นทางเลือก
●แผนที่เฟส EDS


ซอฟต์แวร์วิเคราะห์เฟส EDS* 2 ทำให้สามารถระบุเฟสตามลำดับในตัวอย่าง ซึ่งแยกความแตกต่างของสารประกอบขององค์ประกอบหลาย ๆ อย่าง (ไม่จำกัดเพียงองค์ประกอบโดยองค์ประกอบ)
แผนที่ความละเอียดเชิงพื้นที่สูง

การวิเคราะห์โหมด WD / BD แบบสั้น
การวิเคราะห์เชิงคุณภาพที่ WD สั้นกว่า WD มาตรฐาน (7 มม.) ร่วมกับการใช้โหมด BD ร่วมกันซึ่งใช้แรงดันไบแอสกับขั้นตอนของชิ้นงานทดสอบ ช่วยให้ได้แผนที่ EDS ที่มีความละเอียดเชิงพื้นที่สูงที่แรงดันไฟฟ้าเร่งต่ำ

ตัวอย่างการวิเคราะห์ตัวเร่งปฏิกิริยา (อนุภาคนาโน)
แผนที่ EDS ของอนุภาคนาโนเงิน (Ag) (ขนาด 18 นาโนเมตร) บนไททาเนียมออกไซด์ สังเกตได้ที่ ×200,000
แผนที่ EDS ที่มีความละเอียดเชิงพื้นที่สูงมีประสิทธิภาพสำหรับการวิเคราะห์อนุภาคละเอียด เช่น อนุภาคตัวเร่งปฏิกิริยา

ตัวอย่าง: Ag อนุภาคนาโนบนไททาเนียมออกไซด์
เงื่อนไขการวิเคราะห์: แรงดันไฟฟ้าเร่ง 5 kV, (อคติกับชิ้นงาน: –5 kV),
WD 4 มม. กระแสโพรบ 1 nA เวลาในการวัด 9 นาที
SEM: JSM-IT800 <SHL>

สีครีม : Ag-L สีม่วง : OK + Ti-L

คุณสมบัตินี้แสดงพลังสูงสุดของ JSM-IT800 สำหรับการวิเคราะห์ SEM / EDS ที่ยอดเยี่ยม
ความสามารถในการใช้งานสูง

การรวม EDS
คุณสามารถใช้งาน Windowless EDS ด้วยซอฟต์แวร์ควบคุม SEM (SEM Center) สำหรับ JSM-IT800 การดำเนินงานที่ราบรื่นตั้งแต่การสังเกต SEM ไปจนถึงการวิเคราะห์ EDS ด้วย Gather-X สามารถทำได้
การวิเคราะห์ EDS (จุด พื้นที่ แผนที่ เส้น) บนหน้าจอมอนิเตอร์ SEM Center สามารถดำเนินการได้
ฟังก์ชันการคัดกรองยังมีมากมาย เช่น การวิเคราะห์สดและ Live MAP


ระบบความปลอดภัยที่เชื่อมโยงกับ JSM-IT800
JEOL ในฐานะผู้ผลิตกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนที่ใช้เทคโนโลยีระบบความปลอดภัย ให้การทำงานที่ปลอดภัยผ่านการเชื่อมโยงด้านความปลอดภัยกับ JSM-IT800 และ Gather-X
ระบบป้องกันเซ็นเซอร์เอ็กซ์เรย์
ระบบความปลอดภัยป้องกันความเสียหายต่อเซ็นเซอร์ X-ray ที่ระบายความร้อน เนื่องจากการให้เซ็นเซอร์ X-ray สัมผัสกับอากาศ
เมื่อเซ็นเซอร์เอ็กซ์เรย์ถูกทำให้เย็นลง ระดับสุญญากาศของห้องตัวอย่าง SEM จะถูกจำกัด
ระบบป้องกันการชนด้วย SEM stage

ระบบป้องกันการชนกันของตัวตรวจจับกับตัวจับยึดต่างๆ ที่ตำแหน่งแทรก การเคลื่อนที่ของฉากถูกจำกัดขึ้นอยู่กับขนาดของตัวจับยึดชิ้นงานทดสอบ ดังนั้นจึงมีการวิเคราะห์ที่ปลอดภัย
ระบบป้องกันการชนกันของอุปกรณ์เสริมต่างๆ
ระบบป้องกันการชนกันของเครื่องตรวจจับด้วยตัวเลือกต่างๆ ที่แนบมากับ JSM-IT800 หากติดตั้งอุปกรณ์เสริมอยู่ในตำแหน่งที่สามารถชนกับเครื่องตรวจจับที่ใส่เข้าไป ตำแหน่งการแทรกของ Gather-X จะถูกจำกัดโดยอัตโนมัติ

เมื่อ Gather-X จะไม่ชนกับไฟล์แนบที่ใส่เข้าไป
การวิเคราะห์สามารถทำได้ที่ตำแหน่งแทรกของ Gather-X

เพื่อป้องกันการชนกับสิ่งที่แนบที่ใส่เข้าไป
ตำแหน่งการแทรกของ Gather-X ถูกจำกัด
ข้อบ่งชี้จำเพาะ
องค์ประกอบที่ตรวจจับได้ | ลี่ ไป U |
---|---|
ความละเอียดพลังงาน | 129 eV หรือน้อยกว่า (Mn-Kα) 59 eV หรือน้อยกว่า (C-Kα) |
ประเภทเซนเซอร์เอ็กซ์เรย์ | ประเภท SDD |
ขนาดเซนเซอร์เอ็กซ์เรย์ | 100 มม2 |
แรงดันไฟฟ้าเร่ง | 30 kV หรือน้อยกว่า |
โหมดสูญญากาศ | โหมดสูญญากาศสูง |
เซ็นเซอร์เอ็กซ์เรย์ระบายความร้อน | เพลเทียร์คูลลิ่ง |
ระบบขับเคลื่อน | มอเตอร์ขับเคลื่อน |
ระบบความปลอดภัย | ระบบป้องกันเซ็นเซอร์เอ็กซ์เรย์ที่เชื่อมโยงกับสุญญากาศของ JSM-IT800 ( เซ็นเซอร์ X-ray เย็นลงเฉพาะในโหมดสุญญากาศสูง ) ระบบป้องกันการชนกับเวทีและสิ่งที่แนบมาต่างๆ |
รวบรวม-X ควบคุม | สร้างขึ้นในซอฟต์แวร์ควบคุม SEM |
รูปแบบที่ใช้งานได้ | JSM-IT800<HL>, JSM-IT800<SHL/SHL> |
การติดตั้ง ความต้องการ |
อุณหภูมิห้อง: 20±5 ℃ ความชื้น: 60% หรือน้อยกว่า (ไม่มีการควบแน่น) |
เครื่องตรวจจับหลายตัว | สามารถกำหนดค่าด้วย Standard EDS |


ดาวน์โหลดแคตตาล็อก
Gather-X JED Series DrySD™ EDS แบบไม่มีหน้าต่าง
สินค้าที่เกี่ยวข้อง

รุ่น JSM-IT800 Schottky Field Emission Scanning Electron Microscope
JSM-IT800 รวมเอา "ปืนอิเล็กตรอนในเลนส์ Schottky Plus field emission" ของเราสำหรับการถ่ายภาพความละเอียดสูงเพื่อทำแผนที่องค์ประกอบอย่างรวดเร็ว และระบบควบคุมอิเล็กตรอนแบบออปติคอล "Neo Engine" ที่เป็นนวัตกรรมใหม่ และระบบของ GUI "SEM Center" ที่ไร้รอยต่อ สำหรับการทำแผนที่องค์ประกอบอย่างรวดเร็วด้วยเอ็กซ์เรย์สเปกโตรมิเตอร์แบบกระจายพลังงาน (EDS) ของ JEOL ที่ฝังตัวอย่างสมบูรณ์เป็นแพลตฟอร์มทั่วไป
JSM-IT800 ช่วยให้สามารถเปลี่ยนเลนส์ใกล้วัตถุของ SEM เป็นโมดูลได้ โดยนำเสนอเวอร์ชันต่างๆ เพื่อตอบสนองความต้องการของผู้ใช้ที่หลากหลาย JSM-IT800 มีให้เลือก XNUMX รุ่นสำหรับเลนส์ใกล้วัตถุที่แตกต่างกัน: รุ่นเลนส์ไฮบริด (HL) ซึ่งเป็น FE-SEM สำหรับการใช้งานทั่วไป รุ่นเลนส์ซูเปอร์ไฮบริด (SHL/SHL สองเวอร์ชันที่มีฟังก์ชันต่างกัน) ซึ่งช่วยให้สามารถสังเกตและวิเคราะห์ความละเอียดสูงขึ้น และรุ่นกึ่งเลนส์ที่พัฒนาขึ้นใหม่ (i/is สองรุ่นที่มีฟังก์ชันต่างกัน) ซึ่งเหมาะสำหรับการสังเกตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์
นอกจากนี้ JSM-IT800 ยังสามารถติดตั้งอุปกรณ์ตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจายรังสีสะท้อนกลับ (SBED) แบบใหม่และเครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงกลับเอนกประสงค์ (VBED) ได้อีกด้วย SBED ช่วยให้ได้ภาพที่มีการตอบสนองสูง และสร้างคอนทราสต์ของวัสดุที่คมชัดแม้ใช้แรงดันไฟฟ้าที่เร่งความเร็วต่ำ ในขณะที่ VBED สามารถช่วยได้ภาพ 3 มิติ ภูมิประเทศ และคอนทราสต์ของวัสดุ ดังนั้น JSM-IT800 สามารถช่วยให้ผู้ใช้ได้รับข้อมูลที่ไม่สามารถหาได้และเพื่อแก้ปัญหาในการวัด
ข้อมูลเพิ่มเติม


คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?
ไม่
โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป