ปิด Btn

เลือกไซต์ภูมิภาคของคุณ

ปิดหน้านี้

สำรวจวิทยาศาสตร์ ด้วย JSM-IT800/การวิเคราะห์ EDS แบบไร้หน้าต่าง



การวิเคราะห์ EDS ที่ปราศจากความเครียดจากองค์ประกอบที่เบาถึงหนัก!
ด้วยแรงผลักดันจากความเป็นกลางของคาร์บอน การพัฒนาวัสดุจึงมีความสำคัญมากขึ้น
ตัวอย่างเช่น ในวัสดุแบตเตอรี่ จำเป็นต้องมีการวิเคราะห์ที่หลากหลายตั้งแต่องค์ประกอบแสง เช่น Li ไปจนถึงโลหะทรานสิชัน รวมถึง Ni, Co และ Mn
ความต้องการการวิเคราะห์ที่มีประสิทธิภาพและมีความละเอียดอ่อนสูงเพิ่มขึ้นในการวิเคราะห์วัสดุเซมิคอนดักเตอร์และอนุภาคนาโนของตัวเร่งปฏิกิริยา
DrySD™ Gather-X ที่พัฒนาขึ้นใหม่เป็น EDS แบบไม่มีหน้าต่างซึ่งสามารถติดตั้งได้กับ JSM-IT800* การวิเคราะห์รังสีเอกซ์ความไวสูงสามารถทำได้ในทุกแถบพลังงาน รวมถึงการเอกซเรย์ลักษณะพลังงานต่ำ เช่น Li-K (54eV) นอกจากนี้ ฟังก์ชันความปลอดภัยที่ประสานกับ JSM-IT800 และซอฟต์แวร์การรวม SEM/EDS ช่วยให้ทุกคนสามารถใช้งานได้อย่างปลอดภัยและสะดวกสบาย

คุณสมบัติ

การตรวจจับเอ็กซ์เรย์ที่มีลักษณะเฉพาะน้อยกว่า 100 eV (บริเวณเอ็กซ์เรย์แบบอ่อน)

การวิเคราะห์ความไวสูงสำหรับทุกภูมิภาคพลังงาน

มุมทึบขนาดใหญ่

การวิเคราะห์ความไวสูงสำหรับทุกภูมิภาคพลังงาน

วิเคราะห์ที่ความเร่งสูง

การวิเคราะห์ความไวสูงสำหรับทุกภูมิภาคพลังงาน

การวิเคราะห์โหมด WD / BD แบบสั้น

แผนที่ความละเอียดเชิงพื้นที่สูง

การรวม EDS

ความสามารถในการใช้งานสูง

ระบบความปลอดภัยที่ชอบ JSM-IT800

ความสามารถในการใช้งานสูง

การวิเคราะห์ความไวสูงสำหรับทุกภูมิภาคพลังงาน

การตรวจจับเอ็กซ์เรย์ที่มีลักษณะเฉพาะน้อยกว่า 100 eV (บริเวณเอ็กซ์เรย์แบบอ่อน)

EDS แบบไม่มีหน้าต่างทำให้สามารถปรับปรุงความไวในการตรวจจับได้อย่างมากสำหรับรังสีเอกซ์ที่มีลักษณะเฉพาะน้อยกว่า 1 keV และยังสามารถตรวจจับบริเวณเอ็กซ์เรย์แบบอ่อนที่น้อยกว่า 100 eV (Li-K เป็นต้น)

ตัวอย่างการวิเคราะห์วัสดุแอโนดสำหรับแบตเตอรี่ลิเธียมไอออนแบบโซลิดสเตต

ตัวอย่าง: Si แอโนดสำหรับแบตเตอรี่ลิเธียมไอออนแบบโซลิดสเตตทั้งหมด
เงื่อนไขการวิเคราะห์: แรงดันไฟเร่ง 3 kV, WD 7 mm,
กระแสโพรบ 0.6 nA เวลาในการวัด 15 นาที
SEM: JSM-IT800 <SHL>

ตัวอย่างมารยาท:
ศาสตราจารย์ อัตสึโนริ มัตสึดะ
ภาควิชาวิศวกรรมข้อมูลไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์
มหาวิทยาลัยโทโยฮาชิ แห่งเทคโนโลยี

 

แผนที่ EDS ของลิเธียม (Li-K: 54 eV) และซิลิกอน (Si-L: 90 eV) เนื่องจากพีคสเปกตรัมสองพีคที่มีพลังงานเอ็กซ์เรย์อยู่ใกล้กัน ถูกแยกและทำแผนที่ แผนที่จึงเผยให้เห็นการกระจายของลิเธียมและซิลิกอนบนแอโนดซิลิกอน

ความสามารถสูงในการตรวจจับรังสีเอกซ์ที่น้อยกว่า 100 eV เป็นคุณสมบัติที่ใหญ่ที่สุดของ Windowless EDS

 

มุมทึบขนาดใหญ่

มุมทึบขนาดใหญ่ช่วยให้สามารถวิเคราะห์ EDS ได้โดยมีอัตราการนับสูง ข้อได้เปรียบนี้ทำให้เวลาในการวัดสั้นลงอย่างมากและความเสียหายของลำแสงอิเล็กตรอนที่ถูกกดทับอย่างสูงต่อชิ้นงานทดสอบ

ตัวอย่างการวิเคราะห์วัสดุแคโทดสำหรับแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน

ตัวอย่าง: วัสดุแคโทดสำหรับแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน
เงื่อนไขการวิเคราะห์: แรงดันไฟฟ้าเร่ง 1.5 kV, (อคติกับชิ้นงาน: –5 kV),
WD 7 มม. กระแสโพรบ 4.8 nA เวลาในการวัด 13 นาที
SEM: JSM-IT800 <SHL>

 

แผนที่ EDS ของสารออกฤทธิ์ของแมงกานีส (Mn) โคบอลต์ (Co) นิกเกิล (Ni) และออกซิเจน (O) ตัวช่วยนำไฟฟ้าของคาร์บอน (C) และสารยึดเกาะฟลูออรีน (F)
วัสดุเหล่านี้ไวต่อความเสียหายของลำแสงอิเล็กตรอนและมีการกระจายตัวประสานบนพื้นผิวของชิ้นงานทดสอบ แผนที่ EDS ดำเนินการที่แรงดันไฟฟ้าเร่งต่ำ (1.5 kV)

เปรียบเทียบกับ EDS มาตรฐาน (DrySD™ 100 มม2) จำนวน X-ray จะสูงกว่าใน Windowless EDS ซึ่งช่วยปรับปรุงความแม่นยำในการแยกสูงสุด จำนวนที่สูงช่วยให้เราได้รับการกระจายฟลูออรีนที่ชัดเจนและแม่นยำยิ่งขึ้น

เซ็นเซอร์เอ็กซ์เรย์รูปทรงสนามแข่งทำให้เครื่องตรวจจับอยู่ใกล้กับชิ้นงานมากขึ้น ทำให้เกิดมุมทึบขนาดใหญ่

 

วิเคราะห์ที่ความเร่งสูง

ระบบดักอิเล็กตรอน ซึ่งป้องกันไม่ให้อิเล็กตรอนที่กระจัดกระจายกลับจากชิ้นงานทดสอบเข้าสู่เซนเซอร์ X-ray ช่วยให้สามารถวิเคราะห์เชิงคุณภาพและเชิงปริมาณได้แม้ที่แรงดันไฟฟ้าสูง 30 kV

ตัวอย่างการวิเคราะห์ STEM / EDS สำหรับเซมิคอนดักเตอร์

การวิเคราะห์ STEM / EDS ของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่แรงดันไฟฟ้าเร่ง 30 kV

เนื่องจากอิเล็กตรอนที่กระจัดกระจายกลับติดอยู่ การเพิ่มขึ้นของพื้นหลังจึงถูกระงับและหลีกเลี่ยงความเสียหายต่อเซ็นเซอร์เอ็กซ์เรย์

ตัวอย่าง: แผ่นเคลือบ FIB ของสารกึ่งตัวนำกำลัง SiC
เงื่อนไขการวิเคราะห์: แรงดันไฟเร่ง 30 kV, WD 8 mm,
กระแสโพรบ 4.1 nA เวลาในการวัด 5 นาที
SEM: JSM-IT800 <SHL>* 1

 

  • ใช้เครื่องตรวจจับ STEM ของ Deben

  • ซอฟต์แวร์วิเคราะห์เฟส EDS เป็นทางเลือก

แผนที่เฟส EDS

ซอฟต์แวร์วิเคราะห์เฟส EDS* 2 ทำให้สามารถระบุเฟสตามลำดับในตัวอย่าง ซึ่งแยกความแตกต่างของสารประกอบขององค์ประกอบหลาย ๆ อย่าง (ไม่จำกัดเพียงองค์ประกอบโดยองค์ประกอบ)

 

แผนที่ความละเอียดเชิงพื้นที่สูง

การวิเคราะห์โหมด WD / BD แบบสั้น

การวิเคราะห์เชิงคุณภาพที่ WD สั้นกว่า WD มาตรฐาน (7 มม.) ร่วมกับการใช้โหมด BD ร่วมกันซึ่งใช้แรงดันไบแอสกับขั้นตอนของชิ้นงานทดสอบ ช่วยให้ได้แผนที่ EDS ที่มีความละเอียดเชิงพื้นที่สูงที่แรงดันไฟฟ้าเร่งต่ำ

ตัวอย่างการวิเคราะห์ตัวเร่งปฏิกิริยา (อนุภาคนาโน)

แผนที่ EDS ของอนุภาคนาโนเงิน (Ag) (ขนาด 18 นาโนเมตร) บนไททาเนียมออกไซด์ สังเกตได้ที่ ×200,000
แผนที่ EDS ที่มีความละเอียดเชิงพื้นที่สูงมีประสิทธิภาพสำหรับการวิเคราะห์อนุภาคละเอียด เช่น อนุภาคตัวเร่งปฏิกิริยา

ตัวอย่าง: Ag อนุภาคนาโนบนไททาเนียมออกไซด์
เงื่อนไขการวิเคราะห์: แรงดันไฟฟ้าเร่ง 5 kV, (อคติกับชิ้นงาน: –5 kV),
WD 4 มม. กระแสโพรบ 1 nA เวลาในการวัด 9 นาที
SEM: JSM-IT800 <SHL>

สีครีม : Ag-L สีม่วง : OK + Ti-L

คุณสมบัตินี้แสดงพลังสูงสุดของ JSM-IT800 สำหรับการวิเคราะห์ SEM / EDS ที่ยอดเยี่ยม

ความสามารถในการใช้งานสูง

การรวม EDS

คุณสามารถใช้งาน Windowless EDS ด้วยซอฟต์แวร์ควบคุม SEM (SEM Center) สำหรับ JSM-IT800 การดำเนินงานที่ราบรื่นตั้งแต่การสังเกต SEM ไปจนถึงการวิเคราะห์ EDS ด้วย Gather-X สามารถทำได้

การวิเคราะห์ EDS (จุด พื้นที่ แผนที่ เส้น) บนหน้าจอมอนิเตอร์ SEM Center สามารถดำเนินการได้
ฟังก์ชันการคัดกรองยังมีมากมาย เช่น การวิเคราะห์สดและ Live MAP

 

ระบบความปลอดภัยที่เชื่อมโยงกับ JSM-IT800

JEOL ในฐานะผู้ผลิตกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนที่ใช้เทคโนโลยีระบบความปลอดภัย ให้การทำงานที่ปลอดภัยผ่านการเชื่อมโยงด้านความปลอดภัยกับ JSM-IT800 และ Gather-X

ระบบป้องกันเซ็นเซอร์เอ็กซ์เรย์

ระบบความปลอดภัยป้องกันความเสียหายต่อเซ็นเซอร์ X-ray ที่ระบายความร้อน เนื่องจากการให้เซ็นเซอร์ X-ray สัมผัสกับอากาศ
เมื่อเซ็นเซอร์เอ็กซ์เรย์ถูกทำให้เย็นลง ระดับสุญญากาศของห้องตัวอย่าง SEM จะถูกจำกัด

ระบบป้องกันการชนด้วย SEM stage

ระบบป้องกันการชนกันของตัวตรวจจับกับตัวจับยึดต่างๆ ที่ตำแหน่งแทรก การเคลื่อนที่ของฉากถูกจำกัดขึ้นอยู่กับขนาดของตัวจับยึดชิ้นงานทดสอบ ดังนั้นจึงมีการวิเคราะห์ที่ปลอดภัย

ระบบป้องกันการชนกันของอุปกรณ์เสริมต่างๆ

ระบบป้องกันการชนกันของเครื่องตรวจจับด้วยตัวเลือกต่างๆ ที่แนบมากับ JSM-IT800 หากติดตั้งอุปกรณ์เสริมอยู่ในตำแหน่งที่สามารถชนกับเครื่องตรวจจับที่ใส่เข้าไป ตำแหน่งการแทรกของ Gather-X จะถูกจำกัดโดยอัตโนมัติ

เมื่อ Gather-X จะไม่ชนกับไฟล์แนบที่ใส่เข้าไป
การวิเคราะห์สามารถทำได้ที่ตำแหน่งแทรกของ Gather-X

เพื่อป้องกันการชนกับสิ่งที่แนบที่ใส่เข้าไป
ตำแหน่งการแทรกของ Gather-X ถูกจำกัด

ข้อบ่งชี้จำเพาะ

องค์ประกอบที่ตรวจจับได้ ลี่ ไป U
ความละเอียดพลังงาน 129 eV หรือน้อยกว่า (Mn-Kα)
59 eV หรือน้อยกว่า (C-Kα)
ประเภทเซนเซอร์เอ็กซ์เรย์ ประเภท SDD
ขนาดเซนเซอร์เอ็กซ์เรย์ 100 มม2
แรงดันไฟฟ้าลงจอด 30 kV หรือน้อยกว่า
โหมดสูญญากาศ โหมดสูญญากาศสูง
เซ็นเซอร์เอ็กซ์เรย์ระบายความร้อน เพลเทียร์คูลลิ่ง
ระบบขับเคลื่อน มอเตอร์ขับเคลื่อน
ระบบความปลอดภัย ระบบป้องกันเซ็นเซอร์เอ็กซ์เรย์ที่เชื่อมโยงกับสุญญากาศของ JSM-IT800
( เซ็นเซอร์ X-ray เย็นลงเฉพาะในโหมดสุญญากาศสูง )
ระบบป้องกันการชนกับเวทีและสิ่งที่แนบมาต่างๆ
รวบรวม-X ควบคุม สร้างขึ้นในซอฟต์แวร์ควบคุม SEM
รูปแบบที่ใช้งานได้ JSM-IT800<HL>, JSM-IT800<SHL/SHL>
การติดตั้ง
ความต้องการ
อุณหภูมิห้อง: 20±5 ℃
ความชื้น: 60% หรือน้อยกว่า (ไม่มีการควบแน่น)
เครื่องตรวจจับหลายตัว สามารถกำหนดค่าด้วย Standard EDS

ดาวน์โหลดแคตตาล็อก

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

ข้อมูลเพิ่มเติม

พื้นฐานวิทยาศาสตร์

คำอธิบายง่ายๆ เกี่ยวกับกลไกและ
การใช้งานผลิตภัณฑ์ JEOL

ปิดหน้านี้
แจ้งให้ทราบ

คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?

ไม่

โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป

ติดต่อ

เจอีโอแอล ให้บริการสนับสนุนที่หลากหลายเพื่อให้แน่ใจว่าลูกค้าของเราสามารถใช้ผลิตภัณฑ์ของเราได้อย่างสบายใจ
โปรดติดต่อเรา