JEM-ARM200F ACCELARM กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนเชิงวิเคราะห์ความละเอียดระดับอะตอม
ตระหนักถึงความละเอียดของ STEM (HAADF) ที่ไม่เคยมีมาก่อนที่ 0.08 นาโนเมตร

ยกเลิก

JEM-ARM200F ACCELARM เป็นกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนเชิงวิเคราะห์ความละเอียดระดับอะตอม ซึ่งมีความละเอียดระดับ STEM-HAADF ที่ไม่เคยมีมาก่อนที่ 78 pm พร้อมตัวแก้ไข STEM Cs ที่รวมอยู่ในมาตรฐาน

คุณสมบัติ

ตระหนักถึงความละเอียดของ STEM-HAADF ที่ไม่เคยมีมาก่อนที่ 78 pm ^*1 รับประกัน

JEM-ARM200F ACCELARM ที่มีตัวแก้ไข STEM Cs รวมเป็นอุปกรณ์มาตรฐาน และความเสถียรทางกลและทางไฟฟ้าที่ได้รับการปรับปรุงจนถึงขีดจำกัดสูงสุด ทำให้ได้ความละเอียด STEM-HAADF ที่ 78 pm เป็นประวัติการณ์^*1 และ 82 น ^*2. และเนื่องจากโพรบอิเลคตรอนที่แก้ไขด้วย Cs มีความหนาแน่นกระแสเพิ่มขึ้นอย่างมาก ซึ่งมากกว่า FE TEM แบบเดิมถึงหนึ่งลำดับ การวิเคราะห์องค์ประกอบในระดับอะตอมจึงเป็นไปได้ พร้อมกับปริมาณงานที่เพิ่มขึ้นอย่างมาก
*1 : กับ Cold FEG, *2 : กับ Schottky FEG

การสังเกตตำแหน่งคอลัมน์อะตอมของธาตุเบาโดยตรงโดยใช้การถ่ายภาพ STEM-ABF

JEM-ARM200F ACCELARM มีโหมดการถ่ายภาพ STEM-ABF เป็นมาตรฐาน เทคนิคนี้แสดงภาพไซต์คอลัมน์องค์ประกอบแสงในตัวอย่างผลึก สามารถสังเกตภาพ STEM-HAADF ได้พร้อมกัน เนื่องจากระยะห่างระหว่างตัวตรวจจับ HAADF และ BF ได้รับการปรับให้เหมาะสม ด้วยภาพสองภาพ ตำแหน่งของคอลัมน์ปรมาณูสามารถประเมินได้โดยตรงอย่างง่ายดาย

การวิเคราะห์ความละเอียดของอะตอมด้วยเครื่องตรวจจับ EDS แบบมุมทึบขนาดใหญ่

การวิเคราะห์องค์ประกอบด้วยพื้นที่กว้างของ JEOL (100 มม²) เครื่องตรวจจับการดริฟท์ซิลิคอน (SDD)^*3 ให้การตรวจจับความเร็วสูงและความไวสูง นอกจากนี้ กระแสของโพรบขนาดใหญ่ในขนาดโพรบขนาดเล็ก ซึ่งนำเสนอโดยขนาดรูรับแสงที่ใหญ่ที่อนุญาตของระบบการสร้างโพรบเนื่องจากการแก้ไขความคลาดเคลื่อน ทำให้สามารถได้มาซึ่งสเปกตรัมและการทำแผนที่องค์ประกอบที่ความละเอียดระดับอะตอม
*3 : ตัวเลือก

การสังเกตและการวิเคราะห์ด้วยปืน FE เย็น ^*4

ปืน FE แบบเย็นซึ่งใช้ระบบสุญญากาศแบบใหม่ สามารถใช้งานได้ทันทีหลังจากกระพริบ ซึ่งแตกต่างจากปืนแบบ Cold-FE รุ่นก่อนหน้า นอกจากนี้ แหล่งกำเนิดอิเล็กตรอนมีขนาดเล็กพอที่จะให้ภาพที่มีความละเอียดสูงขึ้น การแพร่กระจายของพลังงานที่แคบซึ่งเป็นลักษณะเฉพาะของ FEG แบบเย็นช่วยให้สามารถวิเคราะห์ EELS ที่มีความละเอียดของพลังงานสูงและยังลดความคลาดเคลื่อนของสีอีกด้วย
*4 : ตัวเลือก

TEM Cs-ตัวแก้ไข ^*5

ด้วย TEM Cs-corrector ความละเอียดของอิมเมจ TEM จะได้รับการปรับปรุงเป็น 110 น. ในการกำหนดค่า UHR
*5 : ตัวเลือก

ข้อบ่งชี้จำเพาะ

องค์ประกอบ^*1	ความละเอียดสูงพิเศษ (UHR)	ความละเอียดสูง (HR)
[ปณิธาน]
STEM โหมดสนามมืด	82 น. (ที่ 200kV พร้อม Schottky FEG) 78 น. (ที่ 200kV พร้อม FEG เย็น)	100 น. (ที่ 200kV พร้อม Schottky FEG) 100 น. (ที่ 200kV พร้อม FEG เย็น)
TEM (ความละเอียดจุด)	190 น. (ที่ 200kV) 110 น. (ที่ 200kv พร้อม TEM Cs-corrector)	230 น. (ที่ 200kV) 120 น. (ที่ 200kv พร้อม TEM Cs-corrector)
[การขยายภาพ]
STEM	x 200 ถึง x 150,000,000
TEM	x 50 ถึง x 2,000,000
[แหล่งกำเนิดอิเล็กตรอน]
Emitter^*2	ซโร/ดับเบิลยู ชอตกี้ W เย็น (ไม่จำเป็น)	ซโร/ดับเบิลยู ชอตกี้ W เย็น (ไม่จำเป็น)
แรงดันไฟฟ้าเร่ง	200 ถึง 80kV (มาตรฐาน 200kV, 80kV)^3,4
[ระบบตัวอย่าง]^*5
ระยะ	ยูเซนตริก ไซด์ เอน โกนิโอมิเตอร์ สเตจ
ขนาดตัวอย่าง	3 มม
มุมเอียงสูงสุด^*3	แกน X: ±25°	แกน X: ±35°
มุมเอียงสูงสุด^*3	แกน X: ±25°	แกน X: ±30°
[แก้ไขความคลาดเคลื่อน]
ระบบขึ้นรูปโพรบ Cs-ตัวแก้ไข	บิวท์อินตามมาตรฐาน
ระบบสร้างภาพ Cs-ตัวแก้ไข	สามารถเลือกหรือไม่เลือกก็ได้
[ตัวเลือก]
ตัวเลือกการติดตั้งที่สำคัญ	EDS ปลาไหล กล้อง CCD ดิจิตอล ระบบเอกซเรย์ TEM/STEM ปริซึมสอง

*1 : เลือกการกำหนดค่าอย่างใดอย่างหนึ่งเมื่อสั่งซื้อ JEM-ARM200F
*2 : เลือก emitter อย่างใดอย่างหนึ่งเมื่อสั่งซื้อ JEM-ARM200F
*3 : มีสวิตช์ลัดวงจรเสริมสำหรับท่อเร่งความเร็ว 80 kV และ 100 kV
*4 : 100 kV, 120 kV และ 160 kV สามารถทำได้ด้วยการปรับตัวเลือกของ Cs Corrector
*5 : พร้อมตัวยึดเอียงชิ้นงานทดสอบเสริมความแข็งแรง (EM-01030RSTH) หรือตัวยึดเอียงชิ้นงานทดสอบ (EM-31630)