【เลิกผลิตแล้ว】กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบอะตอมความละเอียดระดับ GRAND ARM รุ่น JEM-ARM300F
ยกเลิก

ความละเอียด STEM-HAADF ที่ไม่เคยมีมาก่อน – 58 น
JEM-ARM300F GRAND ARM เป็นกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนความละเอียดระดับอะตอมที่ให้แรงดันเร่งสูงสุด 300 kV และติดตั้ง Cs Correctors ของ JEOL เอง เครื่องมือนี้รับประกันความละเอียดของภาพ STEM-HAADF ที่ 58 pm ที่ไม่เคยมีมาก่อน
คุณสมบัติ
ตระหนักถึงความละเอียด STEM-HAADF ที่ไม่เคยมีมาก่อนในเวลา 58 น※ 1
ตัวแก้ไข STEM Cs ที่เป็นกรรมสิทธิ์ของ JEOL มอบความละเอียดที่รับประกันได้ที่ 58 pm สำหรับการสแกนภาพด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน (ภาพ STEM) (แรงดันไฟฟ้าเร่ง 300 kV) *1 (เมื่อกำหนดค่าตัวแก้ไขความคลาดเคลื่อนทรงกลม STEM)
เมื่อติดตั้งกับชิ้นเสาที่มีความละเอียดสูงสุด
ตัวแก้ไข ETA - ตัวแก้ไขความคลาดเคลื่อน dodeca-pole ของ JEOL ※ตัวเลือก
ETA Corrector (Expanding Trajectory Aberration Corrector) ประกอบด้วย dodeca-pole และขยายโดย JEOL
สามารถกำหนดค่าตัวแก้ไขความคลาดเคลื่อนทรงกลม STEM และ/หรือตัวแก้ไขความคลาดเคลื่อน TEM ได้ นอกจากนี้ยังมีการกำหนดค่าที่ไม่มีตัวแก้ไข
HyperCF300 - ปืน FE เย็นประสิทธิภาพสูง
ปืนยิงสนามเย็นประสิทธิภาพสูงที่ออกแบบใหม่ได้รับการติดตั้งในการกำหนดค่ามาตรฐาน ลำแสงอิเล็กตรอนความสว่างสูงที่มีการแพร่กระจายของพลังงานแคบให้การสังเกตและการวิเคราะห์ที่มีความละเอียดสูง
ชิ้นขั้วเลนส์ใกล้วัตถุสองประเภท
ชิ้นขั้วเลนส์ใกล้วัตถุสองประเภทที่มีลักษณะเฉพาะได้รับการพัฒนาเพื่อรองรับคำขอของผู้ใช้ที่หลากหลาย
ระบบตรวจจับ ※ตัวเลือก
มี EDS มุมทึบขนาดใหญ่ (เอ็กซ์เรย์สเปกโตรมิเตอร์แบบกระจายพลังงาน), EELS (สเปกโตรมิเตอร์การสูญเสียพลังงานของอิเล็กตรอน), ตัวตรวจจับอิเล็กตรอนแบบสะท้อนกลับ และตัวตรวจจับการสังเกต STEM 4 ประเภท
การตั้งค่าแรงดันเร่งที่หลากหลาย
แรงดันไฟฟ้าเร่ง 300 kV และ 80 kV มีให้ในการกำหนดค่ามาตรฐาน แรงดันไฟฟ้าเร่งความเร็วสามารถเลือกได้ในช่วงตั้งแต่ 40 kV ถึง 300 kV เพื่อปรับให้เหมาะกับการใช้งานที่หลากหลาย
ระบบสุญญากาศที่พัฒนาขึ้นใหม่
ระดับสุญญากาศสูงทำได้ด้วยระบบการอพยพแบบใหม่ ปั๊มโมเลกุลเทอร์โบใช้สำหรับระบบก่อนการอพยพ ซึ่งช่วยลดการปนเปื้อนของชิ้นงาน ส่งผลให้มีการสังเกตและวิเคราะห์ที่ความละเอียดระดับอะตอม
เสาและเวทีที่มีความเสถียรสูง
เทคโนโลยีการรักษาเสถียรภาพถูกนำไปใช้กับ JEM-ARM300F รวมถึงเสาขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 330 มม. เพื่อปรับปรุงความแข็งเชิงกล ตลอดจนเสถียรภาพและความทนทานทางกลและทางไฟฟ้าโดยรวมที่ดีขึ้น
ข้อบ่งชี้จำเพาะ
2018/01/15
STEM
(พร้อมตัวแก้ไข STEM) |
การกำหนดค่า UHR | การกำหนดค่าทรัพยากรบุคคล |
---|---|---|
ความละเอียด@300 kV (HAADF) | นาโนเมตร 0.058 | นาโนเมตร 0.063 |
TEM
(พร้อม TEM Corrector) |
การกำหนดค่า UHR | การกำหนดค่าทรัพยากรบุคคล |
ความละเอียดขัดแตะ | นาโนเมตร 0.05 | นาโนเมตร 0.06 |
(ไม่เป็นเชิงเส้น) ขีด จำกัด ข้อมูล
(การทดสอบขอบของ Young กับชิ้นงานหนา) |
นาโนเมตร 0.06 | นาโนเมตร 0.07 |
(เชิงเส้น) ขีด จำกัด ข้อมูล
(3D FFT TEST หรือชิ้นงานบาง) |
นาโนเมตร 0.09 | นาโนเมตร 0.12 |
การปรับปรุงหรือเปลี่ยนแปลงรูปลักษณ์หรือข้อกำหนดของอุปกรณ์อาจทำได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
ดาวน์โหลดแคตตาล็อก
JEM-ARM300F GRAND ARM กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนความละเอียดระดับอะตอม
การใช้งาน
แอพพลิเคชั่น JEM-ARM300F
การวิเคราะห์โครงสร้างของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์โดยใช้เอกซ์เรย์ STEM/EDS
รูปภาพ

ข้อมูลเพิ่มเติม


คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?
ไม่
โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป