JEM-2100F กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบปล่อยภาคสนาม
ยกเลิก
JEM-2100F เป็นกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนเชิงวิเคราะห์ 200 kV FE (การปล่อยภาคสนาม) อเนกประสงค์ มีเวอร์ชันที่หลากหลายเพื่อปรับให้เข้ากับวัตถุประสงค์ของผู้ใช้ ปืนอิเล็กตรอน FE (FEG) สร้างโพรบอิเล็กตรอนที่มีความเสถียรสูงและสว่าง ซึ่งไม่สามารถทำได้ด้วยปืนอิเล็กตรอนความร้อนทั่วไป คุณสมบัตินี้จำเป็นสำหรับความละเอียดสูงพิเศษในการสแกนด้วยกล้องจุลทรรศน์แบบส่องผ่านและในการวิเคราะห์ตัวอย่างขนาดนาโน เครื่องมือวิเคราะห์ต่างๆ และ/หรือกล้อง เช่น EDS (Energy Dispersive X-ray Spectrometer) หรือ EELS (Electron Energy Loss Spectrometer) หรือกล้อง CCD พร้อมสำหรับการรวมเข้ากับระบบ PC ของการควบคุมกล้องจุลทรรศน์
คุณสมบัติ
FETEM สำหรับการสังเกตความละเอียดสูงและการวิเคราะห์ระดับนาโน
FEG ที่มีความสว่างสูงและความเสถียรสูงทำให้ได้ภาพสแกนโครงสร้างที่ความละเอียดระดับอะตอม โพรบขนาดย่อยนาโนเมตรที่สว่างสูงช่วยให้เราสามารถวิเคราะห์ตัวอย่างที่ละเอียดอ่อนที่สุดได้ที่ความละเอียดย่อยนาโนเมตร ด้วย FEG คอนทราสต์ของภาพที่มีความละเอียดสูงก็ได้รับการปรับปรุงเช่นกัน เนื่องจากให้แสงที่สอดคล้องกันสูงพร้อมการกระจายพลังงานที่แคบ นอกจากนี้ กล้องจุลทรรศน์แบบอิเลคตรอนโฮโลแกรมที่ต้องการการส่องสว่างที่สัมพันธ์กันสูงมีให้ใช้งานสำหรับกล้องจุลทรรศน์นี้ที่มีอุปกรณ์เสริมแบบปริซึมอิเล็กตรอนแบบคู่
ระบบขับเคลื่อนชิ้นงานที่มีความเสถียรสูง
ระบบขับเคลื่อนชิ้นงานทดสอบที่เสถียรช่วยให้เราทำการวิเคราะห์ในระดับนาโนเมตรได้ ระบบนี้ช่วยให้ชิ้นงานสามารถเอียงและ/หรือเปลี่ยนตำแหน่งได้โดยมีดริฟต์และการสั่นสะเทือนต่ำเป็นพิเศษ ด้วยระบบขับเคลื่อนชิ้นงานแบบเพียโซที่มีให้เลือก ชิ้นงานสามารถปรับเลื่อนได้ที่ความละเอียดระดับนาโนเมตรในช่วง ± 1.2 μm
เนื่องจากระบบยอมรับตัวจับยึดชิ้นงานทดสอบที่หลากหลาย สภาวะทางกายภาพต่างๆ ของชิ้นงานทดสอบ เช่น อุณหภูมิ การหมุน หรือการเอียงจึงสามารถเปลี่ยนแปลงได้
บูรณาการกับเครื่องมืออื่น ๆ
กล้องจุลทรรศน์สามารถควบคุมได้อย่างสมบูรณ์โดยพีซี แนวคิดการออกแบบช่วยให้เราสามารถรวมเครื่องมือวิเคราะห์ต่างๆ และ/หรือกล้อง เช่น EDS หรือ EELS หรือกล้อง CCD
ข้อบ่งชี้จำเพาะ
| องค์ประกอบ※ 1 | ความละเอียดสูงพิเศษ (ยูเอชอาร์) |
ความละเอียดสูง (ทรัพยากรบุคคล) |
ความเอียงของชิ้นงานสูง (ไม่รวมภาษี) |
เสา Cryo (ซีอาร์) |
ความคมชัดสูง (เอชซี) |
|---|---|---|---|---|---|
| เสา | ยูอาร์พี | ชม | PH | CRP | HCP |
| ความละเอียด | |||||
| จุด | นาโนเมตร 0.19 | นาโนเมตร 0.23 | นาโนเมตร 0.25 | นาโนเมตร 0.27 | นาโนเมตร 0.31 |
| ขัดแตะ | นาโนเมตร 0.1 | นาโนเมตร 0.1 | นาโนเมตร 0.1 | นาโนเมตร 0.14 | นาโนเมตร 0.14 |
| บัญชี แรงดันไฟฟ้า※ 2 | 160 กิโลโวลต์，200 กิโลโวลต์※ 1 | ||||
| ขั้นตอนขั้นต่ำ | V 50 | ||||
| ขนาดขั้น | ขั้นต่ำ 50 V | ||||
| แหล่งกำเนิดอิเล็กตรอน | |||||
| Emitter | ZrO/W(100) ชอตต์กี | ||||
| ความสว่าง | ≧4×108 ก/ซม2 / อาวุโส | ||||
| วัดความแรงบีบคั้น | ×ฮิต-8 ป้าสั่ง | ||||
| โพรบปัจจุบัน | 0.5 nA สำหรับโพรบ 1 นาโนเมตร | ||||
| เสถียรภาพของพลังงาน | |||||
| บัญชี แรงดันไฟฟ้า | ≦1×10-6/นาที | ||||
| OL ปัจจุบัน | ≦1×10-6/นาที | ||||
| พารามิเตอร์ทางแสงสำหรับเลนส์ใกล้วัตถุ | |||||
| ความยาวโฟกัส | 1.9 มม | 2.3 มม | 2.7 มม | 2.8 มม | 3.9 มม |
| ทรงกลม ค่าสัมประสิทธิ์ | 0.5 มม | 1.0 มม | 1.4 มม | 2.0 มม | 3.3 มม |
| โครมาติก ค่าสัมประสิทธิ์ | 1.1 มม | 1.4 มม | 1.8 มม | 2.1 มม | 3.0 มม |
| ระยะโฟกัสต่ำสุด | นาโนเมตร 1.0 | นาโนเมตร 1.4 | นาโนเมตร 1.8 | นาโนเมตร 2.0 | นาโนเมตร 5.2 |
| ขนาดสปอต (เส้นผ่านศูนย์กลาง) | |||||
| โหมด TEM | 2 ถึง 5 นาโนเมตร | ７ ถึง 30 นาโนเมตร | |||
| โหมด EDS | 0.5 ถึง 2.4 นาโนเมตร | - | - | 4 ถึง 20 นาโนเมตร | |
| โหมด NBD | - | - | - | ||
| โหมด CBD | 1.0 ถึง 2.4 นาโนเมตร | - | |||
| พารามิเตอร์สำหรับการเลี้ยวเบนของลำแสงบรรจบกัน | |||||
| มุมบรรจบกัน | 1.5 ถึง 20 mrad | - | - | ||
| มุมรับ | ± 10 ° | - | - | ||
| การอวดอ้าง | |||||
| โหมด MAG | ×2,000 ถึง 1,500,000 | ×1,500 ถึง 1,200,000 | ×1,200 ถึง 1,000,000 | ×1,000 ถึง 800,000 | |
| โหมด LOW MAG | ×50 ถึง 6,000 | ×50 ถึง 2,000 | |||
| โหมด SA MAG | ×8,000 ถึง 800,000 | ×6,000 ถึง 600,000 | ×5,000 ถึง 600,000 | ×5,000 ถึง 400,000 | |
| ความยาวกล้อง | |||||
| SA การเลี้ยวเบน(มิลลิเมตร) | เพื่อ 80 2,000 | เพื่อ 100 2,500 | เพื่อ 150 3,000 | ||
| การเลี้ยวเบน HD(ม.) | เพื่อ 4 80 | ||||
| การเลี้ยวเบนของ HR※ 2 | 333 มม | ||||
| การเปลี่ยนตัวอย่าง | |||||
| เอ็กซ์, วาย | 2 มม | 2 มม | 2 มม | 2 มม | 2 มม |
| Z | ± 0.1 มม | ± 0.2 มม | ± 0.2 มม | ||
| การเอียงของชิ้นงาน | |||||
| X／ย※ 3 | ±25/±25° | ±35/±30° | ±42/±30° | ±15/±10° | ±38/±30° |
| X※ 4 | ± 25 ° | ± 80 ° | ± 80 ° | ± 80 ° | ± 80 ° |
| STEM※ 5 | |||||
| ความละเอียดของโครงตาข่ายแบบสว่าง | นาโนเมตร 0.2 | - | - | ||
| EDS※ 6 | |||||
| มุมทึบ(30มม2) | 0.13 อาวุโส | 0.13 อาวุโส | 0.13 อาวุโส | ※ 8 | 0.09 วิ |
| มุมทึบ(50มม2)※ 7 | 0.24 อาวุโส | 0.28 อาวุโส | 0.23 อาวุโส | ||
| มุมบินขึ้น (30 มม2) | ° 25 | ° 25 | ° 25 | ※ 8 | ° 20 |
| มุมบินขึ้น (50 มม2)※ 7 | ° 22.3 | ° 24.1 | ° 25 | ||
เลือกการกำหนดค่าอย่างใดอย่างหนึ่งเมื่อสั่งซื้อ JEM-2100F
80 kV, 100 kV และ 120 kV สามารถทำได้ด้วยสวิตช์ลัดวงจรที่เป็นอุปกรณ์เสริมสำหรับท่อเร่งความเร็ว
ด้วยตัวจับยึดชิ้นงานทดสอบ (EM-31630)
ด้วยตัวยึดชิ้นงานแบบเอียงสูง (EM-21310)
ด้วยอุปกรณ์สังเกตการณ์ภาพสแกนที่เป็นอุปกรณ์เสริม
ด้วยตัวตรวจจับ EDS ที่เป็นอุปกรณ์เสริม
ด้วย JEOL 50 มม2 เครื่องตรวจจับ EDS
เครื่องตรวจจับ EDS ไม่พร้อมใช้งาน
การใช้งาน
แอพพลิเคชั่น JEM-2100F
การปรับ JEM-2100F สำหรับการถ่ายภาพด้วยแม่เหล็กโดย Lorentz TEM
รูปภาพ
-
-
-
ตัวอย่าง: ท่อนาโนคาร์บอนบนโบรอนไนไตรด์
ได้รับความอนุเคราะห์จาก Dr.Yoshio Baondo, International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute of Material Science -
ตัวอย่าง: DRAM
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
กล้อง SightSKY (EM-04500SKY) กล้อง CMOS คัปปลิ้งไฟเบอร์เสียงรบกวนต่ำ
เซนเซอร์ CMOS ความไวสูง สัญญาณรบกวนต่ำ 19 เมกะพิกเซล ช่วยให้ถ่ายภาพได้ชัดเจนขึ้นพร้อมรายละเอียดของชิ้นงานละเอียดที่สามารถสังเกตได้แม้ในปริมาณอิเล็กตรอนต่ำ
ชัตเตอร์ทั่วโลกและอัตราเฟรมสูง (58 fps/โหมดเต็มพิกเซล) ช่วยให้ได้รับชุดภาพที่มีสิ่งประดิษฐ์น้อยลงระหว่างการสังเกตแบบไดนามิก
ซอฟต์แวร์ควบคุมระบบกล้อง "SightX" ให้การทำงานที่เป็นมิตรต่อผู้ใช้
ข้อมูลเพิ่มเติม
คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?
ไม่
โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป