ซีรีส์ BS/JEBG/EBG
แหล่งกำเนิดลำแสงอิเล็กตรอน

แหล่งกำเนิดลำแสงอิเล็กตรอน / แหล่งจ่ายพลังงานสำหรับการสะสมลำแสงอิเล็กตรอนที่ใช้สำหรับการสร้างฟิล์มประเภทต่างๆ รวมถึงฟิล์มออปติกและการเคลือบอิเล็กโทรด

คุณสมบัติ

คุณสมบัติของวิธีการทับถมของลำแสงอิเล็กตรอน

• ประสิทธิภาพเชิงความร้อนค่อนข้างดีเนื่องจากความร้อนจากการฉายรังสีโดยตรงของลำอิเล็กตรอนไปยังวัสดุที่ตกตะกอน เป็นไปได้ที่จะทำให้วัสดุหลายชนิดกลายเป็นไอ รวมถึงโลหะที่มีจุดหลอมเหลวสูง ออกไซด์ สารประกอบ และวัสดุระเหิด

• เนื่องจากวัสดุที่ตกสะสมได้รับความร้อนโดยตรงในถ้วยใส่ตัวอย่างที่ระบายความร้อนด้วยน้ำ (*) จึงไม่เกิดปฏิกิริยาของเรือหรือถ้วยใส่ตัวอย่าง เช่นเดียวกับการให้ความร้อนด้วยความต้านทานหรือวิธีการให้ความร้อนแบบเหนี่ยวนำ

• ในบางกรณีมีการใช้แผ่นซับในเตา

• เนื่องจากมีการควบคุมเอาท์พุตความเร็วสูง จึงสามารถควบคุมความหนาของฟิล์มได้อย่างแม่นยำ

• เมื่อเทียบกับวิธีการสปัตเตอร์และ CVD ความเร็วของการสร้างฟิล์มเป็นคุณสมบัติหลัก สิ่งนี้ยังมีประโยชน์ในการสร้างสารเคลือบหนาตั้งแต่ 1µm ขึ้นไป

คุณสมบัติของแหล่งกำเนิดลำแสงอิเล็กตรอน JEOL

[ ออกไซด์ ]

มีมุมตกกระทบของลำแสงที่ตั้งฉากกับวัสดุที่สะสมตัว และจุดลำแสงที่มีความหนาแน่นของพลังงานสูงซึ่งเกือบจะเป็นวงกลมที่สมบูรณ์แบบ เนื่องจากฟังก์ชันการกวาดด้วยความเร็วสูงเป็นฟังก์ชันมาตรฐาน จึงเหมาะสำหรับการตกตะกอนบนวัสดุระเหิดและออกไซด์ที่มีค่าการนำความร้อนต่ำและจุดหลอมเหลวสูง สามารถรับเศษที่หลอมละลายได้ดีเยี่ยม ช่วยให้กระจายความหนาของฟิล์มที่สม่ำเสมอและทำซ้ำได้บนพื้นที่กว้าง

[ โลหะ ]

มีการเลือกจากถ้วยใส่ตัวอย่างที่หลากหลาย ซึ่งช่วยให้สามารถตกตะกอนได้หลายแบบ ปริมาณมาก และอัตราสูง นอกจากนี้ยังมีปืนอิเล็กตรอนที่เข้ากันได้กับกระบวนการยกออกเพื่อจำกัดอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นระหว่างการสร้างฟิล์ม

[ การเคลือบโลหะผสม / หลายชั้น ]

การเคลือบโลหะผสมและหลายชั้นสามารถสร้างขึ้นได้โดยการวางวัสดุที่แตกต่างกันลงในถ้วยใส่ตัวอย่าง 2 หรือ 3 กระเป๋าที่อยู่ติดกัน และทำการสะสม 2 หรือ 3 แหล่งพร้อมกันโดยใช้ตัวควบคุมการกวาดแบบพิเศษ

ลิงค์สินค้าที่เกี่ยวข้อง

BS-60060DEBS

BS-60211DEM/BS-60210DEM แหล่งกำเนิดลำแสงอิเล็กตรอน

EBG-102TOOL

EBG-203TOOL

ข้อบ่งชี้จำเพาะ

• เนื่องจากเอาต์พุตสูงสุดของแหล่งจ่ายไฟ EB คือ 16 กิโลวัตต์ เอาต์พุตสูงสุดจริงที่สามารถใช้ได้คือ 16 กิโลวัตต์

• มีจำหน่ายตามสั่งพิเศษ ⇒12cc×4 หรือ 6 จุด เป็นต้น

• มีรูปทรงของหลุมเบ้าหลอมให้เลือก ⇒ 28cc（φ45×20h）×6 spot， 51cc（φ60×20h）×3 spot, etc.

• มีจำหน่ายตามคำสั่งพิเศษ ⇒40cc（φ50×25h）×4 or 6 spot， 114cc（φ75×30h）×1 spot , etc.

• มีจำหน่ายตามคำสั่งพิเศษ ⇒114cc（φ75×30h）×1 จุด， φ34×20h×3 รูใน 1 กระเป๋า (สำหรับการทับถมพร้อมกัน)， φ70×30h×4 จุด ฯลฯ

กรุณาสอบถามเกี่ยวกับข้อกำหนดของถ้วยใส่ตัวอย่าง

ดาวน์โหลดแคตตาล็อก

BS/JEBG/EBG ซีรีส์แหล่งกำเนิดลำแสงอิเล็กตรอน

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

BS-60060DEBS แหล่งกำเนิดลำแสงอิเล็กตรอน

แหล่งกำเนิดลำแสงอิเล็กตรอนช่วยลดปริมาณอิเล็กตรอนที่กระเจิงกลับให้เหลือน้อยที่สุดในขั้นสุดท้าย คุณสมบัติและประสิทธิภาพทั้งหมดของ BS-60050EBS ด้วยการเพิ่มฟิลาเมนต์ที่มีอายุการใช้งานยาวนานขึ้นและการทำซ้ำที่ได้รับการปรับปรุง

BS-60211DEM/BS-60210DEM แหล่งกำเนิดลำแสงอิเล็กตรอน

แหล่งกำเนิดลำแสงอิเล็กตรอนสำหรับการสะสมโลหะด้วยสุญญากาศเหมาะสำหรับกระบวนการที่อุณหภูมิต่ำ เช่น กระบวนการยกออกสำหรับการใช้งานฟิล์มอิเล็กโทรด แหล่งกำเนิดลำแสงอิเล็กทรอนิกส์นี้ติดตั้งกับดักอิเล็กตรอนแบบกระจัดกระจายและได้รับการออกแบบมาเพื่อป้องกันการปนเปื้อนข้าม

EBG-102 TOOL ตารางประกอบ jig

EBG-203 TOOL ตารางประกอบ jig

ข้อมูลเพิ่มเติม