SED, ตัวตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิ, ตัวตรวจจับ SE, ตัวตรวจจับ ET

เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิ (SE) ที่ใช้กันอย่างแพร่หลายที่สุดคือเครื่องตรวจจับ ET (Everhart-Thornley) ซึ่งประกอบด้วยเครื่องเรืองแสงวาบและหลอดโฟโตมัลติพลายเออร์ (PMT) ชื่อของเครื่องตรวจจับ ET มาจากผู้ประดิษฐ์เครื่องตรวจจับนี้ ได้แก่ Everhart และ Thornley
ใน SEM วัตถุประสงค์ทั่วไป วางชิ้นงานทดสอบไว้ด้านนอก (ด้านล่าง) ของเลนส์ใกล้วัตถุ และติดตั้งเครื่องตรวจจับ ET ไว้ในช่องว่างระหว่างเลนส์ใกล้วัตถุและชิ้นงานทดสอบ (ที่ส่วนด้านข้างของห้องเก็บตัวอย่าง) รูปด้านล่างแสดงโครงสร้างของเครื่องตรวจจับ ET และความสัมพันธ์ของตำแหน่งระหว่างเลนส์ใกล้วัตถุและชิ้นงานทดสอบ
พื้นผิวของตัวเรืองแสงวาบซึ่งทำจากผงอิตเทรียมซิลิเกตเคลือบอะลูมิเนียม (Al) อิเล็กโทรด (เรียกว่า "ตัวสะสม") วางอยู่ด้านหน้าตัวเรืองแสงวาบ
สามารถใช้แรงดันไฟฟ้าสูงถึง 100 V กับตัวสะสมได้ สนามไฟฟ้าที่เกิดจากแรงดันไฟฟ้าที่ใช้จะรวบรวมอิเล็กตรอนทุติยภูมิที่ปล่อยออกมาจากชิ้นงานทดสอบ อิเล็กตรอนเหล่านั้นที่ถูกนำทางไปยังตัวเรืองแสงวาบจะถูกเร่งเพิ่มเติมด้วยแรงดันไฟฟ้าสูง +10 kV ที่จ่ายให้กับฟิล์มเคลือบอัลของตัวเรืองแสงวาบและชนกับตัวเรืองแสงวาบ ทำให้เกิดการเปล่งแสง แสงที่ปล่อยออกมาจะถูกนำทางไปยัง PMT ผ่านท่อนำแสง และแปลงกลับเป็นอิเล็กตรอนและถูกคูณ อิเล็กตรอนคูณจะมาถึงขั้วบวกและถูกแปลงเป็นสัญญาณแรงดันไฟฟ้าและขยายโดยวงจรไฟฟ้าที่เชื่อมต่อกับ PMT
ใน SEM ที่มีความละเอียดสูง ชิ้นงานจะถูกวางใน (หรือใกล้กับ) เลนส์ใกล้วัตถุ ดังนั้นอิเล็กตรอนทุติยภูมิจะถูกสร้างขึ้นใน (หรือเข้าสู่) เลนส์ใกล้วัตถุ ในการรวบรวมอิเล็กตรอนทุติยภูมิเหล่านี้ เครื่องตรวจจับ ET จะถูกวางไว้ภายในคอลัมน์กล้องจุลทรรศน์ เครื่องตรวจจับ ET ซึ่งใช้กันอย่างแพร่หลายเป็นเครื่องตรวจจับ SE มีความเร็วในการตอบสนองสูงเนื่องจากใช้เครื่องเรืองแสงวาบเหมือนเครื่องตรวจจับอิตเทรียมอะลูมิเนียมโกเมน (YAG) ดังนั้น จึงสามารถสังเกตภาพของชิ้นงานทดสอบได้โดยไม่เบลอและไม่มีการหน่วงเวลา แม้ว่าจะสแกนหรือเคลื่อนย้ายแท่นชิ้นงานอย่างรวดเร็วก็ตาม
มีข้อสังเกตว่าในการตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจายกลับ ส่วนใหญ่จะใช้เครื่องตรวจจับเซมิคอนดักเตอร์ซิลิคอน (Si) แต่เครื่องตรวจจับ YAG จะใช้เมื่อต้องการความเร็วในการตอบสนองสูง

มะเดื่อ เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิ (ET detector)
อิเล็กตรอนทุติยภูมิที่ปล่อยออกมาจากชิ้นงานจะถูกนำทางไปยังเครื่องตรวจจับ SE (เครื่องตรวจจับ ET) โดยตัวรวบรวม อิเล็กตรอนทุติยภูมิที่ถูกนำทางจะถูกแปลงเป็นแสงโดยตัวเรืองแสงวาบ และแปลงกลับเป็นอิเล็กตรอนโดย PMT ซึ่งพวกมันจะถูกขยายและกลายเป็นกระแสไฟฟ้า กระแสไฟฟ้าจะถูกแปลงเป็นสัญญาณแรงดันไฟฟ้าและขยายโดยวงจรไฟฟ้าที่เชื่อมต่ออยู่ พื้นผิวของตัวเรืองแสงวาบเคลือบอะลูมิเนียมเพื่อป้องกันการเสื่อมสภาพของพื้นผิวที่เกิดจากการคายประจุ สังเกตว่ามีการตรวจจับอิเล็กตรอนที่กระจัดกระจายกลับจำนวนเล็กน้อยด้วยเครื่องตรวจจับ ET
ตัวเรืองแสงวาบทำจากอิตเทรียมซิลิเกตแบบผงซึ่งมีราคาถูกกว่า YAG แบบผลึก