การพัฒนากล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนความเร็วสูง JEM-2800 | หมายเหตุการใช้งาน

JEOLnews เล่มที่ 46 ฉบับที่ 1,2011 มิตสึฮิเดะ มัตสึชิตะ†, ชูจิ คาวาอิ†, ทาเคชิ อิวามะ†, คัตสึฮิโระ ทานากะ†,
โทชิโกะ คูบะ†† และโนริอากิ เอนโด†

† หน่วยธุรกิจ EM, JEOL Ltd.
†† ฝ่ายขาย Electron Optics, JEOL Ltd.

ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา การพัฒนาวัสดุใหม่โดยใช้เทคโนโลยีการควบคุมโครงสร้างลำดับนาโนเมตรกำลังดำเนินการอยู่ เช่นเดียวกับการพัฒนาผลิตภัณฑ์โดยใช้วัสดุที่พัฒนาขึ้นใหม่เหล่านี้ ในกระบวนการพัฒนาวัสดุและผลิตภัณฑ์เหล่านี้ การใช้กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดและ/หรือกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน ((S)TEM) เป็นสิ่งที่ขาดไม่ได้สำหรับวิธีการสังเกตและวิเคราะห์ลักษณะทางสัณฐานวิทยาของพื้นที่ในท้องถิ่น นอกจากนี้ ในอุตสาหกรรมที่มีเทคโนโลยีสูง เช่น อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ มีการติดตั้ง (S)TEM ในไซต์งานใกล้กับสายการผลิตเพื่อเป็นเครื่องมือวิเคราะห์เพื่อปรับปรุงอัตราผลผลิตของการผลิตและวิเคราะห์สาเหตุของข้อบกพร่อง และผู้ใช้ก็ใช้ประโยชน์อย่างเต็มที่ ของ (S)TEM ได้ตลอดเวลาทั้งกลางวันและกลางคืน อย่างไรก็ตาม การติดตั้ง (S)TEM ในไซต์ดังกล่าวมักทำให้เกิดปัญหาจากมุมมองของต้นทุนและความสามารถในการใช้งาน เพื่อแก้ปัญหาเหล่านี้ กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนความเร็วสูง JEM-2800 จึงได้รับการพัฒนาขึ้นใหม่ รายงานนี้อธิบายแนวคิดผลิตภัณฑ์และคุณสมบัติของเครื่องมือนี้