การทำแผนที่องค์ประกอบที่มีความละเอียดระดับอะตอมโดย EELS และ XEDS ใน STEM ที่แก้ไขความผิดปกติ | หมายเหตุการใช้งาน

JEOLnews เล่มที่ 45 ฉบับที่ 1 ปี 2010 M. Watanabe†, M. Kanno†† และ E. Okunishi††
† ภาควิชาวัสดุศาสตร์และวิศวกรรม / ศูนย์
วัสดุขั้นสูงและนาโนเทคโนโลยี, Lehigh University
†† หน่วยธุรกิจ EM, JEOL Ltd.

การปรับปรุงล่าสุดในการแก้ไขความคลาดเคลื่อนนำมาซึ่งข้อได้เปรียบอย่างมาก ไม่เพียงแต่ในการถ่ายภาพที่มีความละเอียดสูงเท่านั้น แต่ยังรวมถึงการวิเคราะห์ความละเอียดสูงด้วยเครื่องสเปกโตรเมทรีการสูญเสียพลังงานของอิเล็กตรอน (EELS) และเครื่องเอ็กซ์เรย์แบบกระจายพลังงาน (XEDS) ในกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดแบบส่องกราด (STEM) เมื่อการก่อตัวของโพรบตกกระทบได้รับการปรับให้เหมาะสมแล้ว การวิเคราะห์ความละเอียดระดับอะตอมสามารถทำได้โดยการรับสัญญาณที่เพียงพอสำหรับการวิเคราะห์ทางเคมีที่เหมาะสม ในขณะที่ยังคงรักษาขนาดโพรบที่ละเอียดไว้ นอกจากนี้ วิธีการรับและวิเคราะห์ข้อมูลที่ซับซ้อนยิ่งขึ้น เช่น การถ่ายภาพสเปกตรัม (SI) และการวิเคราะห์ทางสถิติหลายตัวแปร (MSA) เป็นสิ่งจำเป็นสำหรับการวิเคราะห์ทางเคมีที่มีความละเอียดระดับอะตอม ในความเป็นจริง เป็นไปได้ที่จะได้รับภาพทางเคมีที่มีความละเอียดระดับอะตอมของวัสดุ เนื่องจากทั้งความละเอียดเชิงพื้นที่และความไวในการวิเคราะห์ได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นอย่างมากโดยการใช้เครื่องมือแก้ไขความคลาดเคลื่อนร่วมกับเทคนิคการจัดหาและการวิเคราะห์ขั้นสูง ในต้นฉบับนี้ การก่อตัวของโพรบเหตุการณ์ การเก็บข้อมูล และการวิเคราะห์ข้อมูลได้รับการทบทวนสำหรับการวิเคราะห์ทางเคมีที่มีความละเอียดในระดับอะตอมโดย EELS และ XEDS ในเครื่องมือที่แก้ไขความคลาดเคลื่อน จากนั้น ภาพเคมีที่มีความละเอียดในระดับอะตอมหลายๆ แอปพลิเคชันที่ได้จากกล้องจุลทรรศน์แก้ไขความคลาดเคลื่อน JEM-ARM200F ที่พัฒนาขึ้นเมื่อเร็วๆ นี้จะแสดงเพื่อระบุแนวโน้มในอนาคตในการวิเคราะห์ทางเคมีของวัสดุ