สเปกโตรมิเตอร์ WDS ใหม่สำหรับเวเลนซ์อิเล็กตรอนสเปกโทรสโกปีตามกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน | หมายเหตุการใช้งาน

JEOLnews เล่มที่ 47 ฉบับที่ 1 ปี 2012 มาซามิ เทราอุจิ†, ฮิเดยูกิ ทากาฮาชิ††, โนบุโอะ ฮันดะ††,
ทาคาโนริ มูราโน่††, มาซาโตะ โคอิเคะ†††, เท็ตสึยะ คาวาจิ†††, ทาคาชิ
อิมาโซโนะ†††, มาซารุ โคเอดะ††††, เท็ตสึยะ นางาโนะ††††, ฮิโรยูกิ
Sasai††††, Yuki Oue††††, Zeno Yonezawa†††† และ Satoshi Kuramoto††††

† IMRAM มหาวิทยาลัยโทโฮคุ
†† หน่วยธุรกิจชิ้นส่วนอุปกรณ์ต่อพ่วง EO, JEOL Ltd.
††† Quantum Beam Science Directorate สำนักงานพลังงานปรมาณูแห่งประเทศญี่ปุ่น
†††† ฝ่ายอุปกรณ์ SHIMADZU Corp.

มีการสร้างสเปกโตรมิเตอร์ WDS ใหม่สำหรับกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน สเปกโตรมิเตอร์นี้สามารถครอบคลุมย่านพลังงานตั้งแต่ 50 eV ถึง 3800 eV โดยใช้ตะแกรงที่แก้ไขความคลาดสี่แบบสำหรับออปติกสนามแบน ด้วยการใช้ตะแกรงที่ออกแบบและผลิตใหม่ของ JS50XL สำหรับ 50-200 eV วัดสเปกตรัมการปล่อยรังสีเอกซ์แบบอ่อนของโลหะอย่างง่ายของ Mg, Li, Al และ Be โปรไฟล์ความเข้มเหล่านั้นสอดคล้องกับความหนาแน่นบางส่วนของสถานะของเวเลนซ์อิเล็กตรอน (อิเล็กตรอนที่มีพันธะ) และยังแสดงขอบ Fermi ที่ชัดเจน (ด้านบนของสถานะที่ถูกครอบครอง) ที่ขอบ Fermi ของการปล่อย Mg-L (49.5 eV) ความละเอียดของพลังงานได้รับการประเมินเป็น 0.16 eV Si-L emission spectra ของ Si และ TiSi2 แสดงความแตกต่างในการกระจายความเข้มเหล่านั้น ซึ่งบ่งชี้สถานะวาเลนซ์อิเล็กตรอนที่แตกต่างกันสำหรับวัสดุเหล่านั้น การเปรียบเทียบสเปกตรัมการปล่อย BK ของ CaB6 และ LaB6 ซึ่งได้มาจากการใช้ตะแกรง JS200N อีกอันหนึ่งแสดงขึ้น นอกจากนี้ยังสังเกตเห็นขอบ Fermi ที่ชัดเจนสำหรับ LaB6 ที่ประมาณ 187 eV ด้วยความละเอียดพลังงาน 0.4 eV