ปิด Btn

เลือกไซต์ภูมิภาคของคุณ

ปิดหน้านี้

โซลูชั่นใหม่สำหรับการเตรียมชิ้นงานทดสอบ

JIB-PS500i มีสามโซลูชั่นเพื่อช่วยในการเตรียมชิ้นงานทดสอบ TEM มั่นใจได้กับเวิร์กโฟลว์ปริมาณงานสูงตั้งแต่การเตรียมชิ้นงานจนถึงการสังเกต TEM

คุณสมบัติ

ความล้ำสมัยในการเตรียมการ การสร้างภาพ การวิเคราะห์

TEM-เชื่อมโยง

การใช้คาร์ทริดจ์แบบ double-tilt ของ JEOL และที่จับ TEM* ช่วยอำนวยความสะดวกในการเชื่อมโยงระหว่าง TEM และ FIB สามารถติดตั้งคาร์ทริดจ์เข้ากับตัวจับชิ้นงานทดสอบ TEM เฉพาะด้วยการสัมผัสเพียงครั้งเดียว

●ขั้นตอนการถ่ายโอนชิ้นงานด้วยตลับเอียงคู่*

* เป็นตัวเลือก

●ออมนิโพรบ 400*

OmniProbe 400* (Oxford Instruments) ที่นำมาใช้ช่วยให้สามารถหยิบจับชิ้นงานได้อย่างแม่นยำและราบรื่น การทำงานของ OmniProbe 400* รวมอยู่ในซอฟต์แวร์สำหรับ JIB-PS500i

ตัวอย่าง: อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กฎการออกแบบ 5 นาโนเมตร (FinFET)
เงื่อนไขการสังเกต: (ซ้าย) แรงดันเร่ง 2 kV, ภาพอิเล็กตรอนรองของเครื่องตรวจจับ SED,
(กลางและขวา) แรงดันไฟเร่ง 200 kV, ภาพ TEM, เครื่องมือ: JEM-ARM200F

ตรวจสอบและดำเนินการ

ในการเตรียมชิ้นงานทดสอบ TEM อย่างแม่นยำและมีประสิทธิภาพ จำเป็นต้องตรวจสอบความคืบหน้าในการเตรียมอย่างรวดเร็ว ด้วยระยะเอียงสูงและรูปแบบเครื่องตรวจจับ JIB-PS500i ช่วยให้สามารถเปลี่ยนจากการกัด FIB เป็นการถ่ายภาพด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน (STEM) แบบสแกนได้อย่างราบรื่น การเปลี่ยนอย่างรวดเร็วระหว่างการประมวลผลแผ่นลาเมลลาและการสร้างภาพ STEM นำไปสู่การเตรียมชิ้นงานอย่างมีประสิทธิภาพ

ตัวอย่าง: อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้า SiC เงื่อนไขการสังเกต: แรงดันเร่ง 30 kV,
ตัวตรวจจับ (บนซ้าย) STEM-BF, (บนขวา) STEM-DF, (ซ้ายล่าง) SED ภาพอิเล็กตรอนทุติยภูมิ,
(ขวาล่าง) แผนที่ EDS สีม่วง: Al Yellow: Ti Orange: P Blue: O Green: Si

การเตรียมการอัตโนมัติ

JIB-PS500i เตรียมชิ้นงานทดสอบโดยอัตโนมัติโดยใช้ระบบเตรียมชิ้นงานทดสอบ TEM อัตโนมัติ STEMPLING2* ระบบอัตโนมัตินี้ช่วยให้ผู้ปฏิบัติงานสามารถเตรียมชิ้นงานสำหรับ TEM ได้อย่างราบรื่น

 

ตัวอย่าง: การชุบทองแดง
(บน) การเตรียมบล็อกชิ้นงานทดสอบโดยอัตโนมัติ (ล่าง) การทำให้บล็อกชิ้นงานบางลงโดยการประมวลผลอัตโนมัติ
เงื่อนไขการสังเกต: แรงดันไฟฟ้าเร่ง 30 kV, เครื่องตรวจจับ SED (ภาพซิม)

การถ่ายภาพ SEM ความละเอียดสูงและคอนทราสต์สูง
หยุดลังเล หยุดพลาดจุดสิ้นสุดในการกัด รูปภาพ SEM คุณภาพสูงช่วยคุณได้

ระบบตรวจจับสัญญาณ

มีเครื่องตรวจจับหลายตัว รวมทั้งมาตรฐาน SED, UED และ iBED การเลือกเครื่องตรวจจับที่เหมาะสมทำให้สามารถสังเกตภาพที่คมชัดของตัวอย่างต่างๆ ภายใต้เงื่อนไขการทดลองต่างๆ

การถ่ายภาพ SEM ความละเอียดสูง

ระบบเลนส์ Super Conical ที่พัฒนาขึ้นใหม่ถูกสร้างขึ้นในคอลัมน์ SEM ซึ่งช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพการถ่ายภาพอย่างมากที่แรงดันการเร่งความเร็วต่ำ การถ่ายภาพที่ยอดเยี่ยมนี้มีประโยชน์มากในการตรวจสอบสถานะการกัดปลายของชิ้นงานแบบลาเมลาโดยใช้ SEM

ตัวอย่าง: อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กฎการออกแบบ 5 นาโนเมตร (FinFET)

การถ่ายภาพ SEM ของส่วนตัดขวางที่เตรียมโดย FIB

เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจายแสงสะท้อนกลับ (RBED)* ที่มีขนาดเล็กมากและยืดหดได้สามารถใช้ได้แม้ในการเอียงเวทีสูง สำหรับการถ่ายภาพของภาคตัดขวางที่เตรียมโดย FIB ซึ่งต้องใช้ทั้งพื้นผิวของชิ้นงานทดสอบและการถ่ายภาพที่เอียง การรวมกันของเครื่องตรวจจับต่างๆ รวมถึง SED และ UED ทำให้เหมาะสำหรับการถ่ายภาพ SEM แบบภาคตัดขวาง

 

ตัวอย่าง: ภาพตัดขวางที่เตรียมโดย FIB ของอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลช 3D NAND 200 นาโนเมตร
เงื่อนไขการสังเกต: แรงดันเร่ง 2 kV, ตัวตรวจจับ (บนสุด) ภาพอิเล็กตรอนแบบกระจายกลับ RBED, (ซ้าย) ภาพอิเล็กตรอนทุติยภูมิ SED,
(กลาง) ภาพอิเล็กตรอนแบบกระจายกลับ RBED, (ขวา) ภาพอิเล็กตรอนแบบกระจายกลับ UED

ซอฟต์แวร์บูรณาการ EDS*

ฟังก์ชันการวิเคราะห์ EDS ถูกสร้างขึ้นในซอฟต์แวร์ควบคุมเครื่องมือหลัก จึงช่วยให้สามารถวิเคราะห์องค์ประกอบของชิ้นงานได้โดยไม่ต้องเปลี่ยนซอฟต์แวร์ (ใช้ได้เฉพาะเมื่ออุปกรณ์ติดตั้ง JEOL EDS*)

 

กำลังสูงและการประมวลผล FIB คุณภาพสูง
เพื่อการเตรียมชิ้นงานทดสอบที่ดีที่สุด การประมวลผล FIB ที่ทรงพลังยิ่งขึ้น

พื้นที่ขนาดใหญ่ การประมวลผล FIB ที่รวดเร็ว

คอลัมน์ FIB ช่วยให้สามารถประมวลผลด้วยลำแสง Ga ไอออนที่มีกระแสสูง (สูงสุด 100 nA)
การประมวลผลกระแสสูงนี้มีประสิทธิภาพอย่างยิ่งสำหรับการถ่ายภาพและการวิเคราะห์พื้นที่ขนาดใหญ่

 

ตัวอย่าง: อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ
เงื่อนไขการสังเกต: แรงดันเร่ง 3 kV, ภาพอิเล็กตรอนทุติยภูมิของเครื่องตรวจจับ SED
บล็อกตัวอย่าง (200 × 4 × 15 μm) เก็บตัวอย่างชิ้นงานด้วย OmniProbe 400*

การกำจัดชั้นความเสียหายด้วยการประมวลผลแบบ kV ต่ำ

คอลัมน์ FIB ถูกตั้งค่าให้ระยะการทำงานสั้นกว่า JEOL รุ่นก่อนหน้า เมื่อใช้ร่วมกับพาวเวอร์ซัพพลายใหม่ ทำให้ประสิทธิภาพการประมวลผลดีขึ้นอย่างมากที่แรงดันไฟฟ้าที่มีอัตราเร่งต่ำ การเพิ่มระบบควบคุมใหม่ ทำให้ได้ความสามารถในการกัดละเอียดที่มีประสิทธิภาพสูงซึ่งจำเป็นสำหรับการเตรียมแผ่นลาเมลลาที่มีคุณภาพ

การออกแบบห้องและเวทีใหม่
ยืดหยุ่นสูง เอียงสูง & เวทีขนาดใหญ่เพื่อตอบสนองทุกความต้องการ

กำลังโหลดชิ้นงานขนาดใหญ่

JIB-PS500i ใช้ห้องเก็บตัวอย่างขนาดใหญ่และสเตจมอเตอร์ขนาดใหญ่แบบ 5 แกนเต็มรูปแบบที่พัฒนาขึ้นใหม่ เพิ่มระยะการเคลื่อนที่ของสเตจในขณะที่รองรับชิ้นงานขนาดใหญ่ ระยะขนาดใหญ่นี้ช่วยให้สามารถประมวลผลและถ่ายภาพพื้นผิวทั้งหมดของชิ้นงานที่มีเส้นผ่านศูนย์กลาง 130 มม. นอกจากนี้ ยังสามารถโหลดตัวอย่างที่มีความสูงไม่เกิน 80 มม. ไปยังห้องเก็บตัวอย่างได้

บรรจุเวเฟอร์ซิลิคอนขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 150 มม. เข้าไปในห้องเก็บตัวอย่าง

AVRT Engine เพื่อกำหนดขีดจำกัดการเคลื่อนไหวโดยใช้โมเดล 3 มิติ

AVERT Engine ใช้เพื่อระบุขีดจำกัดการเคลื่อนที่ของชิ้นงานทดสอบโดยใช้แบบจำลอง 3 มิติของแท่นวางชิ้นงาน แท่นวาง และวัตถุภายในห้องเพาะเลี้ยง ดังนั้นไม่ว่าในสภาวะใด ชิ้นงานจะไม่สามารถรบกวนเครื่องตรวจจับและเลนส์ใกล้วัตถุได้

* เป็นตัวเลือก

ข้อบ่งชี้จำเพาะ

SEM (Search Engine Marketing)

ความละเอียดของภาพ 0.7 นาโนเมตร (15 กิโลโวลต์)
1.4 นาโนเมตร (1 กิโลโวลต์)
1.0 นาโนเมตร (1 kV, โหมด BD)
การอวดอ้าง ×50 ถึง ×1,000,000 (โหมด STD)
×1,000 ถึง ×1,000,000 (โหมด UHR)
×10 ถึง ×19,000 (โหมด LDF)
(ขนาดการพิมพ์ 128 มม. × 96 มม.)
แรงดันไฟฟ้าลงจอด 0.01 ถึง 30 kV
ลำแสงปัจจุบัน ~1 pA ถึง 500 nA หรือมากกว่า
แรงดันไบอัสของชิ้นงานทดสอบ 0.0 ถึง -5.0 กิโลโวลต์
ปืนอิเล็กตรอน ปืนอิเล็กตรอนแบบปล่อยสนามไฟฟ้า Schottky Plus ในเลนส์
มุมรูรับแสง
เลนส์ควบคุม (ACL)
Built-in
เลนส์ใกล้วัตถุ เลนส์ป้องกันภาพสั่นไหว
ความลึกที่ยาวนานของ
โหมดโฟกัส (LDF)
Built-in
เครื่องตรวจจับ (มาตรฐาน) เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิ (SED)
ตัวตรวจจับอิเล็กตรอนส่วนบน (UED)
ตัวตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจายกลับในเลนส์ (iBED)

IBF

ความละเอียดของภาพ 3 นาโนเมตร (ที่ 30 กิโลโวลต์)
การอวดอ้าง ×50 ถึง ×300,000
(จำกัดขึ้นอยู่กับแรงเร่ง)
แรงดันไฟฟ้าเร่ง 0.5 ถึง 30 kV
ลำแสงปัจจุบัน 1.0 pA ถึง 100 nA
สลับได้ 13 สเตจ (30 kV)
รูรับแสงที่เคลื่อนย้ายได้ มอเตอร์ขับเคลื่อน 16 สเตจสลับได้
(3 ขั้นตอนเป็นตัวช่วย)
แหล่งกำเนิดไอออน แหล่งกำเนิดไอออนโลหะเหลวของ Ga
รูปทรงการประมวลผล
โดยการกัด
สี่เหลี่ยมผืนผ้า วงกลม รูปหลายเหลี่ยม จุด เส้น BMP

ขั้นตอนตัวอย่าง

ประเภท ระยะโกนิโอมิเตอร์แบบยูเซนตริกแบบเต็ม
Control การควบคุมด้วยคอมพิวเตอร์, การควบคุมมอเตอร์ 5 แกน
การวัดสัญญาณรบกวน 3 มิติ AVRT Engine
ตัวอย่าง
การเคลื่อนไหว
X: 130 มม.
Y: 130 มม.
Z: 1.0 มม. ถึง 40 mm
ความเอียง: –40.0 ถึง 93.0°
การหมุน: 360.0° ไม่มีที่สิ้นสุด

ดาวน์โหลดแคตตาล็อก

รูปภาพ

ข้อมูลเพิ่มเติม

พื้นฐานวิทยาศาสตร์

คำอธิบายง่ายๆ เกี่ยวกับกลไกและ
การใช้งานผลิตภัณฑ์ JEOL

ปิดหน้านี้
แจ้งให้ทราบ

คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?

ไม่

โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป

ติดต่อ

เจอีโอแอล ให้บริการสนับสนุนที่หลากหลายเพื่อให้แน่ใจว่าลูกค้าของเราสามารถใช้ผลิตภัณฑ์ของเราได้อย่างสบายใจ
โปรดติดต่อเรา