BS-80020CPPS
แหล่งกำเนิดพลาสม่า
สำหรับกระบวนการที่อุณหภูมิต่ำ
แหล่งพลาสมานี้มีความเฉพาะทางสำหรับกระบวนการที่อุณหภูมิต่ำ เช่น สำหรับซับสเตรต/ฟิล์มพลาสติก คุณภาพฟิล์มของฟิล์มที่สะสมในสุญญากาศสามารถปรับปรุงได้ด้วยพลาสมาช่วยสะสมด้วยการเพิ่มอุณหภูมิที่ต่ำลงของซับสเตรต และยังสามารถใช้สำหรับการบำบัดด้วยพลาสม่า เช่น การทำความสะอาดและการปรับเปลี่ยนพื้นผิว
คุณสมบัติ
สามารถสร้างฟิล์มออกไซด์ความหนาแน่นสูงในกระบวนการที่อุณหภูมิต่ำ
การสะสมของปฏิกิริยาโดยพลาสมากระตุ้นลำแสงอิเล็กตรอน ซึ่งสัมพันธ์กับผลกระทบของสารช่วยไอออน
เทคนิค Activated Reactive Evaporation (ARE) ซึ่งส่งเสริมการปลดปล่อยที่มีประสิทธิภาพสูงเหนือถ้วยใส่ตัวอย่าง เพื่อเพิ่มการแตกตัวเป็นไอออนของวัสดุระเหย
เลือกได้จากโหมด CPPS สำหรับกระบวนการที่อุณหภูมิต่ำ และโหมดพลาสม่าปกติ
สามารถติดตั้งเพิ่มเติมกับห้องสุญญากาศที่มีอยู่ได้
ข้อบ่งชี้จำเพาะ
| เอาต์พุตพลาสม่าสูงสุด | 3.2kW (160V, 20A) |
|---|---|
| เอาต์พุตความช่วยเหลือสูงสุด | 2kW (200V, 10A) |
| ความดันในการใช้งาน | 8 × 10-3 ถึง 8×10-2ปะ (อ, โอ2, N2 บรรยากาศ) |
| ปล่อยแก๊ส (อ.) | 8 ถึง 20 มล./นาที |
| น้ำเย็น | 5 ถึง 8 ลิตร/นาที |
| แหล่งจ่ายไฟควบคุมที่ใช้งานได้ | BS-92040ซีพีพีซี |
ดาวน์โหลดแคตตาล็อก
BS-80020CPPS แหล่งพลาสม่าสำหรับกระบวนการที่อุณหภูมิต่ำ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
BS-80011BPG แหล่งพลาสม่ากำลังสูงสำหรับพลาสมาความหนาแน่นสูง
แหล่งพลาสมารวมอยู่ในห้องสุญญากาศและสร้างพลาสมาความหนาแน่นสูง แหล่งพลาสม่าสามารถใช้เป็นพลาสม่า Assisted Deposition (Ion Plating) และเป็นไปได้ที่จะปรับปรุงคุณสมบัติของฟิล์มสำหรับฟิล์มบางแบบออปติคัล ฟิล์มป้องกัน และฟิล์มที่ใช้งานได้ และยังสามารถใช้สำหรับการบำบัดด้วยพลาสม่า เช่น การทำความสะอาดและการปรับเปลี่ยนพื้นผิว
ข้อมูลเพิ่มเติม
คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?
ไม่
โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป