ปิด Btn

เลือกไซต์ภูมิภาคของคุณ

ปิดหน้านี้

ระบบตรวจสอบกระบวนการผลิตแผ่นเวเฟอร์ JWS-3000

ยกเลิก

ระบบตรวจสอบกระบวนการผลิตแผ่นเวเฟอร์ JWS-3000

เพื่อปรับปรุงผลผลิตในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ สาเหตุของข้อบกพร่องต้องได้รับการตรวจสอบทั้งจากการสังเกตด้วยสายตาและการวิเคราะห์องค์ประกอบใน SEM

คุณสมบัติ

เพื่อปรับปรุงผลผลิตในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ สาเหตุของข้อบกพร่องต้องได้รับการตรวจสอบทั้งจากการสังเกตด้วยสายตาและการวิเคราะห์องค์ประกอบใน SEM

JWS-3000 สามารถเชื่อมโยงข้อมูลพิกัด ย้ายแท่นวางไปยังตำแหน่งข้อบกพร่องได้อย่างง่ายดาย จากนั้นตรวจสอบและสังเกตบน SEM ความละเอียดสูงโดยใช้เครือข่ายออนไลน์กับระบบตรวจสอบข้อบกพร่องทางแสงประเภทต่างๆ การใช้ ADR (การตรวจสอบข้อบกพร่องอัตโนมัติ) และ ADC (การจัดประเภทข้อบกพร่องอัตโนมัติ) JWS สามารถรวบรวมข้อมูลข้อบกพร่องโดยอัตโนมัติและจัดประเภทเพื่อค้นหาแหล่งที่มาได้อย่างรวดเร็ว คุณสมบัติที่สำคัญคือใช้งานง่ายโดยไม่ต้องฝึกอบรมพิเศษ

ด้วยการใช้เลนส์ใกล้วัตถุทรงกรวยพิเศษ เวเฟอร์สามารถเอียงได้ถึง 45° โดยไม่ต้องเปลี่ยนระยะการทำงาน ความละเอียดสูงจะยังคงอยู่แม้ในการสังเกตการเอียง

ไม่จำเป็นต้องปรับแต่ละแกนด้วยเงื่อนไขการสังเกตที่เปลี่ยนไป JWS สามารถติดตั้งฟังก์ชั่นเสริมต่างๆ เช่น; เครื่องวัดซีดี, กล้องจุลทรรศน์แบบใช้แสง, EDS, INDEXER เป็นต้น
แรงดันเร่ง: 0 ~ 15kV
ความละเอียด: 3nm ที่ 1 kV
ความเสถียรของลำแสงในระยะยาวโดย TFE Electron Beam (ไม่จำเป็นต้องมีการกระพริบ)
ภาพความละเอียดสูงที่ความเอียง 45° ของเวเฟอร์ 300 มม. โดยใช้เลนส์ใกล้วัตถุทรงกรวยพิเศษ
การใช้งานที่เป็นมิตรกับผู้ใช้ด้วย GUI ขั้นสูง
การตรวจสอบข้อบกพร่องปริมาณงานสูงแบบออนไลน์พร้อมการสื่อสารไปยังระบบตรวจสอบข้อบกพร่องทางแสง
การสังเกตพลังงานต่ำ 100-500V สำหรับวัสดุที่มีค่า K ต่ำ
ปริมาณงานสูงในโหมดตรวจสอบข้อบกพร่องอัตโนมัติ
การวิเคราะห์ข้อบกพร่องอัตโนมัติ
ใช้งานได้จากระยะไกล
การถ่ายภาพ VC & HAR ที่เหนือกว่า

ตัวอย่างการสังเกตข้อบกพร่องของรูปแบบโดย JWS-3000

JWS-3000 สามารถรับข้อมูลที่เป็นประโยชน์สำหรับการปรับปรุงผลผลิตในกระบวนการผลิต แหล่งที่มาของข้อบกพร่องและอนุภาคสามารถสังเกตได้ที่กำลังขยายสูง เช่นเดียวกับการเปลี่ยนมุมเอียงและการหมุนหลายครั้ง

ข้อบ่งชี้จำเพาะ

ความละเอียด 3 นาโนเมตร (ที่ 1kV), 5 นาโนเมตร (ที่ 300 V)
แรงดันความเร่ง 100 V ถึง 20 kV
การขยายการสังเกต x 100 ถึง x 500,000
ระยะ XY: 300 มม., T: 45°, R: 360°
ขนาดตัวอย่าง 300 มม. (สำหรับ 200 มม. ก็สามารถทำได้เช่นกัน)
ADR (ตายเพื่อตาย) 750dph (ตัวอย่างมาตรฐาน JEOL)

ข้อมูลเพิ่มเติม

พื้นฐานวิทยาศาสตร์

คำอธิบายง่ายๆ เกี่ยวกับกลไกและ
การใช้งานผลิตภัณฑ์ JEOL

ปิดหน้านี้
แจ้งให้ทราบ

คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?

ไม่

โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป

ติดต่อ

เจอีโอแอล ให้บริการสนับสนุนที่หลากหลายเพื่อให้แน่ใจว่าลูกค้าของเราสามารถใช้ผลิตภัณฑ์ของเราได้อย่างสบายใจ
โปรดติดต่อเรา