ซีรีส์ JBX-8100FS
อิเล็กตรอนบีมลิโทกราฟีซิสเทม

ระบบพิมพ์หินลำแสงอิเล็กตรอนแบบเฉพาะจุด JBX-8100FS มีปริมาณงานสูง ใช้พื้นที่น้อย และประหยัดพลังงานไฟฟ้า

คุณสมบัติ

รอยเท้าเล็กๆ

พื้นที่ที่จำเป็นสำหรับระบบมาตรฐานคือ 4.9 ม. (กว้าง) x 3.7 ม. (ลึก) x 2.6 ม. (สูง) ซึ่งเล็กกว่าระบบทั่วไปมาก

การใช้พลังงานต่ำ

กำลังไฟฟ้าที่จำเป็นสำหรับการทำงานปกติอยู่ที่ประมาณ 3 kVA ซึ่งลดลงเหลือ 1/3 ของระบบทั่วไป

ปริมาณงานสูง

ระบบมีโหมดการเปิดรับแสงสองโหมด ความละเอียดสูงและโหมดปริมาณงานสูง รองรับรูปแบบประเภทต่างๆ ตั้งแต่การประมวลผลแบบละเอียดพิเศษไปจนถึงการผลิตขนาดเล็กจนถึงขนาดกลาง ช่วยลดเวลาว่างในระหว่างการเปิดรับแสงในขณะที่เพิ่มความเร็วในการสแกนสูงสุด 1.25 ถึง 2.5 เท่าเป็น 125 MHz (ระดับสูงสุดในโลก) สำหรับการเขียนความเร็วสูง

เวอร์ชั่น

JBX-8100FS มีให้ใน 2 เวอร์ชัน: G1 (รุ่นเริ่มต้น) และ G2 (รุ่นตัวเลือกเต็มรูปแบบ) สามารถเพิ่มอุปกรณ์เสริมในรุ่น G1 ได้ตามต้องการ

ฟังก์ชั่นใหม่

มีกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคอลให้เลือกใช้เพื่อตรวจสอบรูปแบบบนตัวอย่างโดยไม่ต้านทานแสง ไฟสัญญาณเตือนแบบชั้นถูกจัดเตรียมไว้เป็นมาตรฐานสำหรับการตรวจสอบการทำงานของระบบด้วยสายตา

ความละเอียดของตำแหน่งเลเซอร์

ตำแหน่งเวทีถูกวัดและควบคุมในขั้นตอน 0.6 นาโนเมตรเป็นมาตรฐาน และในขั้นตอน 0.15 นาโนเมตรพร้อมการอัพเกรดเสริม

ระบบควบคุม

ระบบปฏิบัติการ Linux® ที่ใช้งานได้หลากหลายรวมกับส่วนต่อประสานกราฟิกกับผู้ใช้แบบใหม่ช่วยให้ใช้งานได้ง่าย โปรแกรมเตรียมข้อมูลรองรับทั้ง Linux® และ Windows®

รุ่น 200 kV！

แรงดันไฟเร่งสูงสุด สู่โลก 200 kV

JBX-8100FS เป็นระบบ EBL การเขียนโดยตรงพร้อม Gaussian Beam Optics ที่ออกแบบมาเพื่อใช้ความต้องการปริมาณงานสูงและความแม่นยำสูงจากแอปพลิเคชันที่หลากหลาย
แพลตฟอร์มแบบแยกส่วนและสามารถอัพเกรดได้รองรับหลากหลายสาขาตั้งแต่การประดิษฐ์โครงสร้างนาโนขั้นสูงไปจนถึงการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำแบบผสม

การเปิดใช้งานแอปพลิเคชันขั้นสูง เช่น โฮโลแกรม สเกลสีเทา และอาร์เรย์ไมโครเลนส์

ภาพด้านล่างคือการเปรียบเทียบ EBL ระหว่าง 100 kV และ 200 kV
200 kV แสดงให้เห็นถึงเอฟเฟกต์การเรียวที่ลดลงพร้อมความต้านทานที่หนามาก

การเปรียบเทียบแรงดันไฟฟ้าแบบเร่งความเร็วระหว่าง 100kV และ 200kV (ตัวอย่าง: ตัวต้านทานแบบหนา 10um)

แรงดันไฟเร่ง 100 kV
3,000มคก./ตร.ซม.2

แรงดันไฟเร่ง 200 kV
5,000มคก./ตร.ซม.2

ต้านทาน : PMMA
ความหนา : 10um
ขนาดสนาม : 500um
ความกว้างของลวดลาย : 2um
พื้นผิว : Si

ประกาศเกี่ยวกับ:
Windows เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ Microsoft Corporation ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ
Linux®เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ Linus Torvalds ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ

ข้อบ่งชี้จำเพาะ

ดาวน์โหลดแคตตาล็อก

JBX-8100FS ซีรี่ส์ Electron Beam Lithography System

การใช้งาน

แอปพลิเคชัน JBX-8100FS

การพัฒนา JBX-8100FS Electron Beam Lithography System

รูปภาพ

• 
• 

ข้อมูลเพิ่มเติม