JBX-8100FS ซีรี่ส์ Electron Beam Lithography System
ระบบพิมพ์หินลำแสงอิเล็กตรอนแบบเฉพาะจุด JBX-8100FS มีปริมาณงานสูง ใช้พื้นที่น้อย และประหยัดพลังงานไฟฟ้า
คุณสมบัติ
รอยเท้าเล็กๆ
พื้นที่ที่จำเป็นสำหรับระบบมาตรฐานคือ 4.9 ม. (กว้าง) x 3.7 ม. (ลึก) x 2.6 ม. (สูง) ซึ่งเล็กกว่าระบบทั่วไปมาก
การใช้พลังงานต่ำ
กำลังไฟฟ้าที่จำเป็นสำหรับการทำงานปกติอยู่ที่ประมาณ 3 kVA ซึ่งลดลงเหลือ 1/3 ของระบบทั่วไป
ปริมาณงานสูง
ระบบมีโหมดการเปิดรับแสงสองโหมด ความละเอียดสูงและโหมดปริมาณงานสูง รองรับรูปแบบประเภทต่างๆ ตั้งแต่การประมวลผลแบบละเอียดพิเศษไปจนถึงการผลิตขนาดเล็กจนถึงขนาดกลาง ช่วยลดเวลาว่างในระหว่างการเปิดรับแสงในขณะที่เพิ่มความเร็วในการสแกนสูงสุด 1.25 ถึง 2.5 เท่าเป็น 125 MHz (ระดับสูงสุดในโลก) สำหรับการเขียนความเร็วสูง
รุ่น
JBX-8100FS มีให้ใน 2 เวอร์ชัน: G1 (รุ่นเริ่มต้น) และ G2 (รุ่นตัวเลือกเต็มรูปแบบ) สามารถเพิ่มอุปกรณ์เสริมในรุ่น G1 ได้ตามต้องการ
ฟังก์ชั่นใหม่
มีกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคอลให้เลือกใช้เพื่อตรวจสอบรูปแบบบนตัวอย่างโดยไม่ต้านทานแสง ไฟสัญญาณเตือนแบบชั้นถูกจัดเตรียมไว้เป็นมาตรฐานสำหรับการตรวจสอบการทำงานของระบบด้วยสายตา
ความละเอียดของตำแหน่งเลเซอร์
ตำแหน่งเวทีถูกวัดและควบคุมในขั้นตอน 0.6 นาโนเมตรเป็นมาตรฐาน และในขั้นตอน 0.15 นาโนเมตรพร้อมการอัพเกรดเสริม
ระบบควบคุม
ระบบปฏิบัติการ Linux® ที่ใช้งานได้หลากหลายรวมกับส่วนต่อประสานกราฟิกกับผู้ใช้แบบใหม่ช่วยให้ใช้งานได้ง่าย โปรแกรมเตรียมข้อมูลรองรับทั้ง Linux® และ Windows®
รุ่น 200 kV！
แรงดันไฟเร่งสูงสุด สู่โลก 200 kV
JBX-8100FS เป็นระบบ EBL การเขียนโดยตรงพร้อม Gaussian Beam Optics ที่ออกแบบมาเพื่อใช้ความต้องการปริมาณงานสูงและความแม่นยำสูงจากแอปพลิเคชันที่หลากหลาย
แพลตฟอร์มแบบแยกส่วนและสามารถอัพเกรดได้รองรับหลากหลายสาขาตั้งแต่การประดิษฐ์โครงสร้างนาโนขั้นสูงไปจนถึงการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำแบบผสม
การเปิดใช้งานแอปพลิเคชันขั้นสูง เช่น โฮโลแกรม สเกลสีเทา และอาร์เรย์ไมโครเลนส์
ภาพด้านล่างคือการเปรียบเทียบ EBL ระหว่าง 100 kV และ 200 kV
200 kV แสดงให้เห็นถึงเอฟเฟกต์การเรียวที่ลดลงพร้อมความต้านทานที่หนามาก
การเปรียบเทียบแรงดันไฟฟ้าแบบเร่งความเร็วระหว่าง 100kV และ 200kV (ตัวอย่าง: ตัวต้านทานแบบหนา 10um)
แรงดันไฟเร่ง 100 kV
3,000มคก./ตร.ซม.2
แรงดันไฟเร่ง 200 kV
5,000มคก./ตร.ซม.2
ต้านทาน : PMMA
ความหนา : 10um
ขนาดสนาม : 500um
ความกว้างของลวดลาย : 2um
พื้นผิว : Si
ประกาศเกี่ยวกับ:
Windows เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ Microsoft Corporation ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ
Linux®เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ Linus Torvalds ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ
ข้อบ่งชี้จำเพาะ
| รุ่น | G1 (รุ่นเริ่มต้น) | G2 (รุ่นฟูลออปชั่น) | G3 (รุ่น 200kV) |
|---|---|---|---|
| วิธีการเขียน | ลำแสงเฉพาะจุด การสแกนเวกเตอร์ ก้าวและทำซ้ำ | ← | ← |
| แรงดันไฟฟ้าเร่ง | 100 kV | 100 กิโลโวลต์ / 50 กิโลโวลต์ | 200 กิโลโวลต์ / 130 กิโลโวลต์ / 100 กิโลโวลต์ / 50 กิโลโวลต์ |
| ลำแสงปัจจุบัน | 5 10 ×-12 ถึง 2 × 10-7 A | ← | ← |
| ขนาดสนาม | สูงสุด 1,000 µm × 1,000 µm | สูงสุด 2,000 µm × 2,000 µm | ← |
| ความเร็วในการสแกน | สูงสุด 125 MHz | ← | ← |
| พื้นที่เคลื่อนย้ายเวที | 190 มม. 170 มม | ← | ← |
| ความแม่นยำในการวางซ้อน | ≦±9 นาโนเมตร | ← | ≦±8 นาโนเมตร |
| ความแม่นยำในการเย็บ | ≦±9 นาโนเมตร | ← | ≦±8 นาโนเมตร |
| ข้อกำหนดด้านไฟฟ้า (ปกติ) | 3KVA | ← | ← |
| ขนาดพื้นผิว | เวเฟอร์สูงสุด 200 มม.Φ
ช่องว่างหน้ากาก 6 นิ้ว ตัวอย่างขนาดเล็กทุกขนาด |
← | ← |
| การถ่ายโอนพื้นผิว | รถตักอัตโนมัติเครื่องเดียว | ตลับบรรจุอัตโนมัติ 12 ตลับ | ← |
| ตัวเลือกการติดตั้งที่สำคัญ | กล้องจุลทรรศน์ออปติคอล
โปรแกรมไฟฟ้าแรงสูง 25 kV โปรแกรมเตรียมข้อมูล ใบอนุญาตเพิ่มเติม ระบบควบคุมลำแสงเลเซอร์ความละเอียดสูง |
||
ดาวน์โหลดแคตตาล็อก
JBX-8100FS ซีรี่ส์ Electron Beam Lithography System
การใช้งาน
แอปพลิเคชัน JBX-8100FS
การพัฒนา JBX-8100FS Electron Beam Lithography System
รูปภาพ
ข้อมูลเพิ่มเติม
คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?
ไม่
โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป