JBX-6300FS สามารถเขียนรูปแบบลงไปที่ 8 นาโนเมตรหรือน้อยกว่าได้อย่างง่ายดาย (ผลลัพธ์จริง: 5 นาโนเมตร) โดยใช้ระบบแสงอิเล็กตรอนที่ปรับลำแสงอิเล็กตรอนขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 2.1 นาโนเมตรโดยอัตโนมัติที่แรงดันเร่งความเร็ว 100kV นอกจากนี้ ระบบ EB นี้ยังให้ความแม่นยำในการเย็บและโอเวอร์เลย์สูงที่ 9 นาโนเมตรหรือน้อยกว่า ซึ่งให้ประสิทธิภาพด้านต้นทุนที่สูง นอกจากนี้ ฟังก์ชันการแก้ไขอัตโนมัติที่ไม่เหมือนใครซึ่งพัฒนาโดย JEOL ช่วยให้สามารถเขียนรูปแบบที่มีความแม่นยำสูงได้ JBX-6300FS ตอบสนองความต้องการที่หลากหลาย เช่น การวิจัยและพัฒนาอุปกรณ์ล้ำสมัย การวิจัยและพัฒนาที่เกี่ยวข้องกับนาโนเทคโนโลยี และการผลิตอุปกรณ์สื่อสาร
คุณสมบัติ
JBX-6300FS สามารถเขียนรูปแบบที่มีความแม่นยำสูงแม้ที่มุมและขอบเขตของสนามด้วยการใช้ระบบออปติคัลอิเล็กตรอนที่ทรงพลังซึ่งจะแก้ไขการบิดเบือนที่เกิดจากการเบี่ยงเบนของลำแสงโดยอัตโนมัติ
เนื่องจาก JBX-6300FS มีสเตจความแม่นยำสูงที่ใช้ Beam Positioning DAC 19 บิตที่มีความละเอียด 0.125 นาโนเมตร และเลเซอร์อินเตอร์เฟอโรมิเตอร์ที่มีความละเอียด 0.6 นาโนเมตร ความแม่นยำของตำแหน่งการเขียนระดับสูงสุดที่ 9 นาโนเมตรหรือน้อยกว่าจึงทำได้สำหรับฟิลด์ขนาดเล็กถึง เขตข้อมูลขนาดใหญ่
JBX-6300FS มีฟังก์ชันการปรับลำแสงอัตโนมัติ ทำให้สามารถแก้ไขขนาดลำแสงและแก้ไขตำแหน่งของลำแสงได้ในระหว่างการเขียนแบบ
สามารถตั้งเวลาแก้ไขสำหรับแต่ละฟิลด์หรือแต่ละรูปแบบได้ ฟังก์ชันนี้มีประสิทธิภาพมากสำหรับการเขียนเป็นเวลานานโดยไม่มีตัวดำเนินการ เช่น ในวันหยุดสุดสัปดาห์หรือวันหยุดติดต่อกัน
JBX-6300FS ลดเวลาในการเขียนแพทเทิร์นได้อย่างมาก เนื่องจากความเร็วในการสแกนสูงถึง 50MHz และเนื่องจากเวลาโอเวอร์เฮดของเครื่องลดลงมากที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้ การดำเนินการจนถึงการเริ่มเขียนนั้นง่ายมาก เช่นเดียวกับการโฟกัสอัตโนมัติ ซึ่งช่วยเพิ่มปริมาณงานทั้งหมด
หากใช้ตัวโหลดอัตโนมัติ (ตัวเลือก) JBX-6300FS สามารถเขียนต่อเนื่องสำหรับตัวจับยึดชิ้นงานได้สูงสุด 10 ชิ้น (เช่น: เขียนต่อเนื่องได้สูงสุด 10 เวเฟอร์ขนาด 150 มม.φ, สูงสุด 40 เวเฟอร์ขนาด 50 มม.φ เป็นต้น ※หากต้องการดำเนินการต่อเนื่อง การเขียนผู้ถือตัวอย่างเทียบเท่ากับจำนวนวัสดุ) JEOL ได้ส่งมอบระบบ EB ดังกล่าวไปยังสายการผลิตในญี่ปุ่นและต่างประเทศ
การใช้โปรแกรม Fine Pitch Control (โปรแกรมการปรับแบบละเอียดขนาดภาคสนาม) ช่วยให้ JBX-6300FS ประดิษฐ์ตะแกรงที่มีช่วงเวลาร้องเจี๊ยก ๆ เช่น เลเซอร์ DFB
ผลงานเบื้องต้น
กว่า 40 ปี JEOL ได้ส่งมอบระบบ EB จำนวนมากให้กับสถาบันวิจัยและสายการผลิตในญี่ปุ่นและต่างประเทศ
ข้อบ่งชี้จำเพาะ
ปืนอิเล็กตรอน | ZrO/W ประเภท Shottky |
---|---|
วิธีการเขียน | ลำแสงเฉพาะจุด, การสแกนเวกเตอร์, ก้าวและทำซ้ำ |
บัญชี แรงดันไฟฟ้า | 25kV (ตัวเลือก), 50kV, 100kV |
ขนาดวัสดุ | เวเฟอร์สูงสุด 200 มม., หน้ากากสูงสุด 5 นิ้วหรือ 6 นิ้ว, ตัวอย่างขนาดเล็กทุกขนาด |
ขนาดฟิลด์สูงสุด | 2000μmX2000μm |
ช่วงการเคลื่อนที่ของเวที | 190mmX170mm |
ความแม่นยำในการวางซ้อน | ≦±9นาโนเมตร |
ความแม่นยำในการเย็บสนาม | ≦±9นาโนเมตร |
ความเร็วในการสแกน | ขึ้นไป 50MHz |
ข้อมูลเพิ่มเติม


คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?
ไม่
โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป