เจบีเอ็กซ์-3200เอ็มวีเอส
อิเล็กตรอนบีมลิโทกราฟีซิสเทม
JBX-3200MVS เป็นระบบลิโธกราฟีลำแสงอิเล็กตรอนที่มีรูปร่างแปรผันสำหรับการสร้างหน้ากากของโหนดขนาด 32 นาโนเมตรถึง 28 นาโนเมตร เทคโนโลยีขั้นสูงช่วยให้เกิดความเร็วสูง ความแม่นยำสูง และความน่าเชื่อถือสูง ระบบ EB นี้ใช้ลำแสงอิเล็กตรอน 50 กิโลโวลต์ที่มีรูปร่างแปรผันและแท่นตัวอย่างแบบขั้นบันไดและทำซ้ำ
คุณสมบัติ
ระบบ EB นี้ใช้ข้อดีของวิธีการเขียนแบบขั้นตอนและทำซ้ำ โดยผสานฟังก์ชันต่างๆ เข้าด้วยกัน เช่น ฟังก์ชันปรับระดับปริมาณการเขียนและฟังก์ชันการเขียนแบบซ้อน ซึ่งทำให้สามารถรองรับการแก้ไขอเนกประสงค์ที่จำเป็นสำหรับการสร้างรูปแบบของมาสก์และเรติเคิลรุ่นเก่าได้
ร้านขายหน้ากากเชลยและร้านขายหน้ากากพ่อค้าในญี่ปุ่นและต่างประเทศ
(ไม่เปิดเผยชื่อลูกค้า)
ร้านขายหน้ากากเชลยและร้านขายหน้ากากพ่อค้าในญี่ปุ่นและต่างประเทศ
(ไม่เปิดเผยชื่อลูกค้า)
ข้อบ่งชี้จำเพาะ
| ความแม่นยำในการเย็บ | ≦±3.5 นาโนเมตร |
|---|---|
| ความแม่นยำในการวางซ้อน | ≦±5 นาโนเมตร |
ข้อมูลเพิ่มเติม
คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?
โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป