ปิด Btn

เลือกไซต์ภูมิภาคของคุณ

ปิดหน้านี้

JEM-F200 เป็นกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนชนิดส่องผ่านภาคสนาม ซึ่งมีความละเอียดเชิงพื้นที่และประสิทธิภาพการวิเคราะห์ที่สูงขึ้น ควบคู่ไปกับอินเทอร์เฟซผู้ใช้ที่ใช้งานง่ายสำหรับการใช้งานอเนกประสงค์

คุณสมบัติ

JEM-F200 เคลื่อนไหว (YouTube)

คลิกปุ่ม "เล่น" ในช่องด้านบน ภาพยนตร์จะเริ่มเล่น

การสังเกต TEM/STEM ความละเอียดสูงจากแรงดันไฟฟ้าความเร่งสูงไปต่ำ

JEM-F200 มีปืนอิเล็กตรอนที่ปล่อยสนามเย็น ซึ่งรับประกันความเสถียรสูง ความสว่างสูง และความละเอียดของพลังงานสูง (<0.33 eV) 
ปืนอิเล็กตรอนนี้ให้ภาพที่มีความละเอียดสูงขึ้นได้อย่างมีประสิทธิภาพโดยการลดความคลาดเคลื่อนของสีที่เกิดจากการแพร่กระจายพลังงานของแหล่งกำเนิดอิเล็กตรอน
นอกจากนี้ ด้วยการรวมความเชี่ยวชาญกว่า 10 ปีของ JEOL เข้ากับการออกแบบ เราได้ปรับปรุงเสถียรภาพทางกลและทางไฟฟ้าอย่างมีนัยสำคัญ 

การวิเคราะห์ EDS ที่ให้ปริมาณงานสูงและความแม่นยำสูง

JEM-F200 สามารถติดตั้งเครื่องตรวจจับดริฟท์ซิลิคอน (SDD) พื้นที่ขนาดใหญ่สองตัวพร้อมกัน ให้การวิเคราะห์ที่มีความไวสูง
พื้นที่ขนาดใหญ่และความไวสูงช่วยให้การวิเคราะห์ EDS มีประสิทธิภาพในเวลาเพียงเสี้ยววินาทีพร้อมความเสียหายที่ลดลง
นอกจากนี้ การใช้การแก้ไขการเคลื่อนตัวแบบความเร็วสูงและไม่สูญเสียข้อมูลผ่านภาพ STEM แบบสดในระหว่างการแมป EDS ช่วยให้การวัดมีประสิทธิภาพพร้อมทั้งลดความเสียหายของตัวอย่างจากลำอิเล็กตรอน

การวิเคราะห์ EELS ที่มีความละเอียดพลังงานสูง

CFEG ของ JEM-F200 สามารถรับการวิเคราะห์สถานะพันธะเคมีและโครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ที่ความละเอียดพลังงานสูง ซึ่งเกินความสามารถของปืนอิเล็กตรอนที่ปล่อยสนาม Schottky 
สิ่งนี้เกิดขึ้นได้โดยการใช้ปืนอิเล็กตรอนที่ปล่อยสนามเย็นซึ่งรับประกันความละเอียดของพลังงานสูง (<0.33 eV) พร้อมด้วย EELS (ตัวเลือก)

ใช้งานง่ายโดยมีความกดดันน้อยที่สุดแม้สำหรับผู้เริ่มต้น

JEM-F200 มาพร้อมกับอินเทอร์เฟซผู้ใช้ที่ใช้งานง่ายซึ่งเน้นความเป็นมิตรต่อผู้ใช้ 
มีฟังก์ชันอัตโนมัติที่ครอบคลุมสำหรับทั้ง TEM และ STEM ทำให้ง่ายสำหรับผู้เริ่มต้นใช้งาน
นอกจากนี้ เพื่อความสะดวกในการใส่และถอดตัวยึดตัวอย่าง SPECPORTER™ จึงถูกรวมไว้ด้วย ซึ่งช่วยให้สามารถแทรกตัวยึดตัวอย่างได้อย่างปลอดภัยและเป็นอัตโนมัติ
นอกจากนี้ แท่นตัวอย่างยังติดตั้งแท่น Pico แบบขับเคลื่อน ซึ่งช่วยให้สามารถเคลื่อนที่ระดับพิโกมิเตอร์ได้อย่างแม่นยำโดยไม่ต้องใช้กลไกขับเคลื่อนแบบพีโซ
ช่วยให้สามารถปรับขอบเขตการมองเห็นได้หลากหลาย ตั้งแต่ตาข่ายตัวอย่างทั้งหมดไปจนถึงการสร้างภาพระดับอะตอม

ฟังก์ชั่นอัตโนมัติ

อัตราขยายและชดเชยอัตโนมัติ → โฟกัสอัตโนมัติ → การแก้ไขสายตาเอียงอัตโนมัติ

ขั้นตอนการทำงานที่ราบรื่นตั้งแต่การเตรียมตัวอย่าง FIB ไปจนถึงการสร้างภาพ TEM/STEM

คาร์ทริดจ์แบบเอียงสองชั้นและตัวยึด TEM เฉพาะช่วยให้เชื่อมโยงระหว่างการทำงานของ TEM และ FIB ได้สะดวก
คาร์ทริดจ์สามารถถ่ายโอนระหว่างตัวยึด FIB และตัวยึดตัวอย่าง TEM ได้อย่างง่ายดายด้วยการสัมผัสเพียงครั้งเดียว ซึ่งช่วยลดความจำเป็นในการจัดการแผ่น TEM หลังจากการประมวลผล

กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่านเพื่อสังคมที่ยั่งยืน

JEM-F200 เป็นกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่านตัวแรกที่รวมโหมด ECO ไว้อย่างเป็นมาตรฐาน โหมดนี้จะรักษาอุปกรณ์อย่างมีประสิทธิภาพโดยใช้พลังงานน้อยที่สุดในช่วงที่ไม่ได้ใช้งาน ซึ่งช่วยประหยัดพลังงาน
การเปิดใช้งานโหมด ECO จะช่วยลดการใช้พลังงานลงเหลือประมาณหนึ่งในห้าของการใช้พลังงานระหว่างการทำงานปกติ ซึ่งมีส่วนช่วยให้สังคมมีความยั่งยืนมากขึ้น 
นอกจากนี้ ยังมีฟังก์ชันกำหนดเวลา ซึ่งช่วยให้เครื่องมือกลับสู่สถานะใช้งานได้จากโหมด ECO ตามวันที่และเวลาที่ระบุ

ข้อบ่งชี้จำเพาะ

Specification ความละเอียดสูงพิเศษ ความละเอียดสูง
ความละเอียด TEM
(ที่ 200 กิโลโวลต์)
ความละเอียดของจุด
ความละเอียดขัดแตะ
ขีดจำกัดของข้อมูล
นาโนเมตร 0.19
นาโนเมตร 0.1
≦0.11 นาโนเมตร (พร้อม Cold FEG)
≦0.12 นาโนเมตร (พร้อม Schottky FEG)
นาโนเมตร 0.23
นาโนเมตร 0.1
≦0.11 นาโนเมตร (พร้อม Cold FEG)
≦0.12 นาโนเมตร (พร้อม Schottky FEG)
ความละเอียด STEM
(ที่ 200 กิโลโวลต์)
รูปภาพ HAADF-STEM 0.14 นาโนเมตร (พร้อม Cold FEG)
0.16 นาโนเมตร (ด้วย Schottky FEG)
0.14 นาโนเมตร (พร้อม Cold FEG)
0.16 นาโนเมตร (ด้วย Schottky FEG)
ปืนอิเล็กตรอน ปืนอิเล็กตรอนที่ปล่อยสนามเย็น
ปืนอิเล็กตรอนแบบปล่อยสนามแบบชอตกี
แรงดันไฟฟ้าเร่ง 20 กิโลโวลต์~200 กิโลโวลต์
(สามารถเลือก 200 kV, 80 kV เป็นค่าเริ่มต้นได้ ส่วนแรงดันไฟฟ้าเร่งอื่นๆ เป็นตัวเลือก)
การเคลื่อนไหวของชิ้นงาน * X,Y ±1.0 มม. Z ±0.1 มม X,Y ±1.0 มม. Z ±0.2 มม
มุมเอียงของชิ้นงาน * TX/TY (ตัวยึดแบบเอียงสองชั้น) ±25°/ ±25°
TX (ตัวยึดแบบเอียงสูง) ±60°
TX/TY (ตัวยึดแบบเอียงสองชั้น) ±35° / ±30°
TX (ตัวยึดแบบเอียงสูง) ±80°
ตัวเลือกการติดตั้งที่สำคัญ เครื่องเอ็กซ์เรย์สเปกโทรสโกปีแบบกระจายพลังงาน (EDS)、สเปกโทรสโกปีการสูญเสียพลังงานของอิเล็กตรอน (EELS)、
กล้องดิจิตอล、ระบบเอกซเรย์ TEM/STEM/EDS

* ช่วงการเคลื่อนไหวอาจเปลี่ยนแปลงได้ขึ้นอยู่กับประเภทของตัวยึดชิ้นงาน หรือไม่ว่าจะใส่รูรับแสงใกล้วัตถุหรือไม่

ดาวน์โหลดแคตตาล็อก

การใช้งาน

แอปพลิเคชัน JEM-F200

รูปภาพ

วัสดุ: Si [110] STEM ความละเอียดสูง

  • ตัวอย่าง: ศรี [110]

  • กล้องจุลทรรศน์: JEM-F200 HR ขั้ว-พีซ พร้อม CFEG

  • สภาพ: 200kV, STEM

วัสดุ: ชั้นโมโน MoS2 แผ่น

  • ตัวอย่าง: โมโนเลเยอร์ MoS2 แผ่น

  • กล้องจุลทรรศน์: JEM-F200 HR ขั้ว-พีซ พร้อม CFEG

  • สภาพ: 200kV, STEM

วิทยาศาสตร์เพื่อชีวิต: ภาพ TEM ของพอลิเมอร์ ABS ที่ 80kV

  • ตัวอย่าง: โพลิเมอร์ ABS

  • กล้องจุลทรรศน์: JEM-F200 HR ขั้ว-พีซ พร้อม CFEG

  • เงื่อนไข: 80kV, TEM

  • การเตรียมตัวอย่าง: microtome

วัสดุ: SrTiO3/SDD คู่

ด้วยการประมวลผลฟิลเตอร์ภาพ

  • ตัวอย่าง: SrTiO3

  • กล้องจุลทรรศน์: JEM-F200 HR ขั้ว-พีซ พร้อม CFEG

  • สภาพ: 200 kV, STEM, Dual SDD(100 mm2 ×2), 256x256 พิกเซล, ใช้เวลาในการทำแผนที่ 10 นาที

วัสดุ: ปรับปรุง FEG เย็น

ความสว่างสูงพร้อมการกระจายพลังงานเพียงเล็กน้อย

การวิเคราะห์สถานะพันธะเคมีของ Carbon allotropes โดย EELS

  • ตัวอย่าง: allotropes คาร์บอน

  • กล้องจุลทรรศน์: JEM-F200 HR ขั้ว-พีซ พร้อม CFEG

  • เงื่อนไข: 80kV, ภาพ TEM, EELS QuantumER

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

ข้อมูลเพิ่มเติม

พื้นฐานวิทยาศาสตร์

คำอธิบายง่ายๆ เกี่ยวกับกลไกและ
การใช้งานผลิตภัณฑ์ JEOL

ปิดหน้านี้
แจ้งให้ทราบ

คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?

ไม่

โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป

ติดต่อ

เจอีโอแอล ให้บริการสนับสนุนที่หลากหลายเพื่อให้แน่ใจว่าลูกค้าของเราสามารถใช้ผลิตภัณฑ์ของเราได้อย่างสบายใจ
โปรดติดต่อเรา