JEM-3100F 300 kV กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบปล่อยภาคสนาม
ยกเลิก
JEM-3100F ซึ่งเป็นกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนเชิงวิเคราะห์ความละเอียดสูง สามารถถ่ายภาพโครงสร้างและการวิเคราะห์วัสดุในระดับนาโนเมตรที่มีความละเอียดระดับนาโนเมตรได้ ระบบออปติคอลอิเล็กตรอนที่ล้ำสมัยของกล้องจุลทรรศน์นี้ช่วยให้เราได้ภาพที่คมชัดด้วยความละเอียด 0.1 นาโนเมตรทั้งในโหมด TEM และ STEM JEM-3100F ได้ปรับปรุงความเสถียรทางกลและทางไฟฟ้า ให้ลำแสงอิเล็กตรอนที่เสถียรแม้สำหรับโพรบ 0.14 นาโนเมตร คุณสมบัติเหล่านี้ทำให้ JEM-3100F เป็นเครื่องมือวิจัยที่ทรงพลังสำหรับการวิเคราะห์วัสดุในระดับอะตอม
คุณสมบัติ
ปืนยิงภาคสนาม (FEG)
การเพิ่มความสว่างของโพรบอิเล็กตรอนบนชิ้นงานทำให้อัตราส่วน S/N ดีขึ้นในการวิเคราะห์พื้นที่นาโนและภาพที่สังเกตได้ FEG ซึ่งใช้สำหรับ JEM-3100F ให้ความสว่างที่สูงกว่า LaB ประมาณ 2 ลำดับ6 ปืนอิเล็กตรอน ด้วย FEG คอนทราสต์ของภาพที่มีความละเอียดสูงก็ได้รับการปรับปรุงเช่นกัน เนื่องจากให้แสงที่สอดคล้องกันสูงพร้อมการกระจายพลังงานที่แคบ นอกจากนี้ยังมีโฮโลแกรมอิเล็กตรอนที่ต้องการการส่องสว่างที่สัมพันธ์กันสูงสำหรับกล้องจุลทรรศน์นี้ที่มีอุปกรณ์เสริมปริซึมอิเล็กตรอนแบบคู่
คอนเดนเซอร์-เลนส์ใกล้วัตถุ*1
สำหรับการลดเส้นผ่านศูนย์กลางโพรบ จำเป็นต้องใช้ค่าสัมประสิทธิ์ความคลาดเคลื่อนเล็กน้อยสำหรับเลนส์ใกล้วัตถุที่ให้แสงสว่าง เลนส์ใกล้วัตถุแบบคอนเดนเซอร์ ซึ่งให้การทำงานของเลนส์คอนเดนเซอร์และเลนส์ใกล้วัตถุ สามารถทำให้ค่าสัมประสิทธิ์ความคลาดเคลื่อนมีค่าน้อยได้ JEM-3100F ใช้เลนส์ใกล้วัตถุคอนเดนเซอร์ที่พัฒนาขึ้นใหม่เป็นเลนส์ใกล้วัตถุ เลนส์ใกล้วัตถุนี้*2นอกจากการนำเสนอความคลาดเคลื่อนทรงกลมและความคลาดเคลื่อนของสีในระดับที่ดีที่สุดในโลกแล้ว 0.6 มม. และ 1.3 มม. ตามลำดับ ยังได้รับการออกแบบโดยคำนึงถึงการจัดวางที่เหมาะสมของ Cold Finger ป้องกันการปนเปื้อนและเครื่องตรวจจับ EDS ด้วยเหตุนี้ การวิเคราะห์องค์ประกอบและการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนของพื้นที่นาโนเมตรของชิ้นงานสามารถทำได้ด้วยหัววัดขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 0.4 นาโนเมตรพร้อมการสังเกตความละเอียดสูงพิเศษพร้อมกัน
สำหรับการกำหนดค่า UHR และ HR
สำหรับการกำหนดค่า UHR
โกนิโอมิเตอร์เข้าด้านข้างชนิดควบคุมแบบใหม่
JEM-3100F ใช้โกนิโอมิเตอร์แบบเข้าด้านข้างพร้อมการควบคุมเซอร์โวมอเตอร์ที่นำมาใช้ใหม่ ปรับปรุงความสามารถในการทำงานของระยะชิ้นงานทดสอบให้มากขึ้นกว่าเดิม นอกจากนี้ เนื่องจากกล้องจุลทรรศน์มีกลไกไดรฟ์เพียโซเป็นมาตรฐาน ความสามารถในการเคลื่อนย้ายขอบเขตการมองเห็นด้วยกำลังขยายสูงจึงดีขึ้นอย่างมากเมื่อผู้ใช้เปลี่ยนไปใช้ไดรฟ์เพียโซ นอกจากนี้ อุปกรณ์ควบคุมแบบไม่มีดริฟท์ที่ใช้ไดรฟ์เพียโซมีให้ใช้งานเป็นอุปกรณ์เสริม นอกจากนี้ ฝาครอบกันอากาศ (Clam Shell) ที่ป้องกันโกนิออมิเตอร์ยังช่วยเพิ่มความต้านทานต่อเสียงและความแปรปรวนของความดันบรรยากาศ
ระบบเลือกลำแสงด่วน
JEM-3100F ให้สภาพแสงของเลนส์ที่หลากหลาย แบ่งออกเป็นสี่โหมดการส่องสว่างต่อไปนี้:
โหมด TEM: สำหรับการสังเกตภาพ TEM
โหมด EDS: สำหรับการวิเคราะห์องค์ประกอบ
โหมด NBD: สำหรับการเลี้ยวเบนจากพื้นที่นาโนเมตร
โหมด CBD: สำหรับการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนในลำแสงมาบรรจบกัน
สามารถเลือกโหมดการส่องสว่างที่เหมาะสมตามวัตถุประสงค์ของผู้ใช้ได้ด้วยการสัมผัสปุ่มเพียงครั้งเดียว ขณะสังเกตภาพ TEM สามารถรับไมโครโพรบที่ต้องการได้โดยใช้ปุ่มง่ายๆ เพื่อทำการวิเคราะห์พื้นที่ไมโครที่แม่นยำ
ข้อบ่งชี้จำเพาะ
| องค์ประกอบ※ 1 | ความละเอียดสูงพิเศษ (UHR) | ความละเอียดสูง (HR) | ความคมชัดสูง (HC) |
|---|---|---|---|
| ความละเอียด | |||
| ภาพอนุภาค TEM | นาโนเมตร 0.17 | นาโนเมตร 0.19 | นาโนเมตร 0.26 |
| ภาพโครงตาข่าย TEM | นาโนเมตร 0.1 | นาโนเมตร 0.1 | นาโนเมตร 0.14 |
| ภาพทุ่งสว่าง STEM※ 2 | นาโนเมตร 0.14 | นาโนเมตร 0.14 | - |
| ภาพทุ่งมืด STEM※ 3 | นาโนเมตร 0.14 | นาโนเมตร 0.14 | - |
| แรงดันไฟฟ้าเร่ง | 300 กิโลโวลต์，200 กิโลโวลต์，100 กิโลโวลต์※ 4 | ||
| ขั้นตอนขั้นต่ำ | V 100 | ||
| แหล่งกำเนิดอิเล็กตรอน | |||
| Emitter | ZrO/W(100) ชอตต์กี | ||
| ความสว่าง | 7 × 108A/ซม.2･sr หรือมากกว่า | ||
| สูญญากาศ | ถึง 3×10-8 Pa | ||
| โพรบปัจจุบัน | 0.5 nA หรือมากกว่าที่เส้นผ่านศูนย์กลางโพรบ 1 นาโนเมตร | ||
| ความเสถียรของแหล่งจ่ายไฟ | |||
| แรงดันไฟฟ้าเร่ง | 2 × 10-6/นาที | ||
| กระแสของเลนส์ใกล้วัตถุ | 1 × 10-6/นาที | ||
| พารามิเตอร์ทางแสงสำหรับเลนส์ใกล้วัตถุ | |||
| ความยาวโฟกัส | 2.7 มม | 3.0 มม | 3.9 มม |
| ค่าสัมประสิทธิ์ความคลาดเคลื่อนทรงกลม | 0.6 มม | 1.1 มม | 3.2 มม |
| ค่าสัมประสิทธิ์ความคลาดสี | 1.5 มม | 1.8 มม | 3.0 มม |
| ความยาวโฟกัสขั้นต่ำที่เปลี่ยนแปลงได้ | นาโนเมตร 1.0 | นาโนเมตร 1.4 | นาโนเมตร 4.1 |
| ขนาดลำแสง (ตัวเลือก α) ในหน่วย nmφ | |||
| โหมด TEM | 2 ถึง 5(3) | 7 ถึง 30(-) | |
| โหมด EDS | 0.4 ถึง 1.6(5) | 4 ถึง 20(-) | |
| โหมด NBD | 0.4 ถึง 1.6(5) | - | |
| โหมด CBD | 0.4 ถึง 1.6(8) | - | |
| การเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนมาบรรจบกัน | |||
| มุมบรรจบกัน(2α) | 1.5 ถึง 20 mrad หรือมากกว่า | - | |
| มุมการยอมรับ (ครึ่งมุม) | ฮิต° | - | |
| การอวดอ้าง | |||
| MAG | ×4,000 ถึง 1,500,000 | ×3,000 ถึง 1,000,000 | |
| แม็กต่ำ | ×60 ถึง 15,000 | ||
| ซาแม็ก | ×10,000 ถึง 500,000 | ×6,000 ถึง 300,000 | |
| ความยาวของกล้องเลี้ยวเบน | |||
| การเลี้ยวเบนของพื้นที่ที่เลือก(มิลลิเมตร) | เพื่อ 12 200 | เพื่อ 200 3000 | |
| การเลี้ยวเบนของการกระจายตัวสูง(ม.) | เพื่อ 4 80 | 4 ถึง 80 | |
| ห้องตัวอย่าง※ 5 | |||
| ช่วงการเคลื่อนที่ของชิ้นงาน (XY / Z) (มม. ) |
เอ็กซ์, ย : 2 ซี : 0.2 |
เอ็กซ์, ย : 2 ซี : 0.4 |
เอ็กซ์, ย : 2 ซี : 0.4 |
| มุมเอียงของชิ้นงาน(X / Y) | ±25°／±25° | ±35°／±30° | ±38°／±30° |
| EDS※ 6 | |||
| มุมทึบ | 0.13 วิ | 0.09 วิ | |
| มุมบินขึ้น | ° 25 | ° 20 | |
ระบุการกำหนดค่าอย่างใดอย่างหนึ่ง (UHR, HR หรือ HC) เมื่อสั่งซื้อ JEM-3100F
ในการสังเกตภาพ STEM จำเป็นต้องใช้อุปกรณ์สังเกตการณ์ภาพสแกนเสริม
ในการสังเกตภาพฟิลด์มืด STEM จำเป็นต้องใช้อุปกรณ์สังเกตการณ์ภาพฟิลด์มืดที่เป็นอุปกรณ์เสริม
ในการสังเกตภาพที่ 100 kV และ 200 kV จำเป็นต้องใช้สวิตช์สั้นอิเล็กโทรดที่เป็นอุปกรณ์เสริม
ค่าที่แสดงไว้สำหรับกรณีที่ใช้ตัวยึดเอียงชิ้นงาน
จำเป็นต้องมี EDS เสริม ประสิทธิภาพที่ระบุไว้สำหรับ 30 มม2.
รูปภาพ
ข้อมูลเพิ่มเติม
คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?
ไม่
โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป