เจม-2200FS
การปล่อยสนามอิเล็กตรอน
กล้องจุลทรรศน์
JEM-2200FS ซึ่งเป็นกล้องจุลทรรศน์อิเลคตรอนเชิงวิเคราะห์ที่ล้ำสมัย ติดตั้งปืนปล่อยสนามขนาด 200kV (FEG) และตัวกรองพลังงานในคอลัมน์ (ตัวกรองโอเมก้า) ที่ช่วยให้ได้ภาพที่สูญเสียเป็นศูนย์ซึ่งมีอิเล็กตรอนที่ไม่ยืดหยุ่น ทำให้ได้ภาพที่คมชัดและมีคอนทราสต์สูง และภาพที่กรองด้วยพลังงานซึ่งสร้างด้วยอิเล็กตรอนที่มีการสูญเสียต่ำหรือพลังงานจากการสูญเสียแกนกลางจะให้ข้อมูลสถานะทางเคมีหรือองค์ประกอบของตัวอย่าง นอกจากนี้ยังมีสเปกโทรสโกปีสำหรับการวิเคราะห์องค์ประกอบและการวิเคราะห์ทางเคมีของตัวอย่าง
คุณสมบัติ
ตัวกรองพลังงานในคอลัมน์ (ตัวกรองโอเมก้า)
ตัวกรองพลังงานในคอลัมน์ช่วยให้คุณได้ภาพที่กรองพลังงานและสเปกตรัมการสูญเสียพลังงานอิเล็กตรอน ฟิลเตอร์ที่ออกแบบอย่างเหมาะสมที่สุดให้ภาพที่ปราศจากการบิดเบือน
ระบบควบคุม
ส่วนประกอบหลักของ JEM-2200FS เช่น ระบบออปติคัล ระยะโกนิโอมิเตอร์ และระบบอพยพ ได้รับการควบคุมโดย PC อย่างสมบูรณ์ ระบบนี้สร้างข้อมูลคุณภาพสูงได้อย่างเสถียร
ระบบการถ่ายภาพ
ระบบภาพใหม่ซึ่งประกอบด้วยเลนส์ระดับกลางสี่ขั้นตอนและเลนส์โปรเจ็กเตอร์สองขั้นตอน ให้ภาพ TEM ที่กรองพลังงานโดยปราศจากการหมุนภาพและรูปแบบการเลี้ยวเบนของช่วงการขยายและความยาวกล้องที่หลากหลาย
โกนิโอมิเตอร์แบบควบคุมด้วยเพียโซ
ระยะโกนิโอมิเตอร์แบบใหม่ที่มีอุปกรณ์เพียโซช่วยให้การทำงานค้นหาขอบเขตการมองเห็นในระดับอะตอมเป็นไปอย่างราบรื่น
บูรณาการกับเครื่องมืออื่น ๆ
ไมโครสโคปสามารถควบคุมได้อย่างเต็มที่ด้วยพีซี แนวคิดการออกแบบช่วยให้เรารวมระบบ EDS และกล้อง CCD เข้าด้วยกันได้
ข้อบ่งชี้จำเพาะ
| องค์ประกอบ※ 1 | ความละเอียดสูงพิเศษ (UHR) |
ความละเอียดสูง (ทรัพยากรบุคคล) |
ความเอียงของชิ้นงานสูง (HT) |
Cryo (CR) |
ความคมชัดสูง (เอชซี) |
|---|---|---|---|---|---|
| ความละเอียด | |||||
| จุด ขัดแตะ |
นาโนเมตร 0.19 นาโนเมตร 0.1 |
นาโนเมตร 0.23 นาโนเมตร 0.1 |
นาโนเมตร 0.25 นาโนเมตร 0.1 |
นาโนเมตร 0.27 นาโนเมตร 0.14 |
นาโนเมตร 0.31 นาโนเมตร 0.14 |
| ความละเอียดพลังงาน | 0.8 eV (FWHM สูญเสียศูนย์) | ||||
| บัญชี แรงดันไฟฟ้า | 160 กิโลโวลต์，200 กิโลโวลต์※ 2 | ||||
| ขนาดขั้นตอนขั้นต่ำ กะพลังงาน |
V 50 สูงสุด 3,000 V (ในขั้นละ 0.2 V) |
||||
| แหล่งกำเนิดอิเล็กตรอน | |||||
| Emitter | ZrO/W(100) ชอตต์กี | ||||
| ความสว่าง | ≧4×108 A／ซม2 ・ อาวุโส | ||||
| สูญญากาศ | ×ฮิต-8 ป้าสั่ง | ||||
| โพรบปัจจุบัน | 0.5 nA ที่โพรบ 1 นาโนเมตร | ||||
| เสถียรภาพของพลังงาน | |||||
| บัญชี แรงดันไฟฟ้า | ≦1×10-6/นาที | ||||
| OL ปัจจุบัน | ≦1×10-6/นาที | ||||
| กรองกระแส | ≦1×10-6/นาที | ||||
| เลนส์ใกล้วัตถุ | |||||
| ความยาวโฟกัส | 1.9 มม | 2.3 มม | 2.7 มม | 2.8 มม | 3.9 มม |
| เป็นทรงกลม ความคลาด |
0.5 มม | 1.0 มม | 1.4 มม | 2.0 มม | 3.3 มม |
| รงค์ ความคลาด |
1.1 มม | 1.4 มม | 1.8 มม | 2.1 มม | 3.0 มม |
| ขั้นตอนขั้นต่ำ | นาโนเมตร 1.0 | นาโนเมตร 1.4 | นาโนเมตร 1.8 | นาโนเมตร 2.0 | นาโนเมตร 5.2 |
| ขนาดสปอต (เส้นผ่านศูนย์กลาง) | |||||
| โหมด TEM | 2 ถึง 5 นาโนเมตร | ７ ถึง30 นาโนเมตร | |||
| โหมด EDS | 0.5 ถึง 2.4 นาโนเมตร | 1.0 ถึง 2.4 นาโนเมตร | - | 4 ถึง 20 นาโนเมตร | |
| โหมด NBD | - | - | |||
| โหมด CBD | 1.0 ถึง 2.4 นาโนเมตร | - | |||
| การเลี้ยวเบนของ CB | |||||
| การลู่เข้า มุม(2α) |
1.5 ถึง 20 mrad หรือมากกว่า | - | |||
| มุมรับ | ± 10 ° | - | |||
| การอวดอ้าง | |||||
| โหมด MAG | ×2,000 ถึง 1,500,000 | ×2,000 ถึง 1,200,000 | ×1,500 ถึง1,000,000 | ×1,200 ถึง600,000 | |
| โหมด LOW MAG | ×50 ถึง1,500 | ||||
| โหมด SA MAG | ×10,000 ถึง800,000 | ×8,000 ถึง 600,000 | ×8,000 ถึง500,000 | ×5,000 ถึง 400,000 | |
| ขนาดขอบเขตการมองเห็นสำหรับภาพที่เลือกพลังงาน | เส้นผ่านศูนย์กลาง 80 มม. บนระนาบภาพสุดท้าย (ฟิล์ม) เมื่อเลือก 10 eV เส้นผ่านศูนย์กลาง 25 มม. บนระนาบภาพสุดท้าย (ฟิล์ม) เมื่อเลือก 2 eV |
||||
| ความยาวกล้อง | |||||
| การเลี้ยวเบน SA | 150 ถึง 1,500 มม. | 200 ถึง2,000 มม. | 250 ถึง2,500 มม. | 300 ถึง3,000 มม. | |
| การกระจายตัวของ EELS | |||||
| บนร่อง | 1.2 μm／eV ที่ 200 kV | ||||
| บนระนาบภาพสุดท้าย | 50 ถึง300 μm／eV ที่ 200 kV | ||||
| ห้องตัวอย่าง | |||||
| กะ(XY / Z) | 2มม.／0.2มม | 2มม.／0.4มม | 2มม.／0.4มม | 2มม.／0.4มม | 2มม.／0.4มม |
| ตัวอย่างเอียง X / Y *3 | ±25°／±25° | ±35°／±30° | ±42°／±30° | ±15°／±10° | ±38°／±30° |
| มุมเอียงของชิ้นงาน (X)※ 4 | ± 25 ° | ± 80 ° | ± 80 ° | ± 80 ° | ± 80 ° |
| EDS※ 5 | |||||
| มุมทึบ※ 6 | 0.13 วิ | - | 0.09 วิ | ||
| มุมบินขึ้น | ° 25 | - | ° 20 | ||
เลือกการกำหนดค่าอย่างใดอย่างหนึ่งเมื่อสั่งซื้อ JEM-2200FS
80 kV, 100 kV และ 120 kV เป็นไปได้เมื่อใช้สวิตช์ลัดวงจรที่เป็นอุปกรณ์เสริมสำหรับท่อเร่งความเร็ว
เมื่อใช้ตัวจับยึดชิ้นงานทดสอบ
เมื่อใช้ตัวยึดชิ้นงานแบบเอียงสูง
จำเป็นต้องมีตัวตรวจจับ EDS ซึ่งเป็นอุปกรณ์เสริม
เมื่อ 30 มม2 ติดตั้งเครื่องตรวจจับแล้ว
ดาวน์โหลดแคตตาล็อก
JEM-2200FS กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดภาคสนาม
การใช้งาน
แอปพลิเคชัน JEM-2200FS
การแสดงภาพพันธะไฮโดรเจน: อิเล็กตรอนและผลึกนาโนนาโน NMR
สำรวจตัวอย่างชีวภาพในแบบ 3 มิติ นอกเหนือจากการตรวจเอกซเรย์อิเล็กตรอนแบบคลาสสิก
การแมปองค์ประกอบความละเอียดปรมาณูโดย EELS และ XEDS ใน STEM . ที่แก้ไขความคลาดเคลื่อน
รูปภาพ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
กล้อง CMOS แบบเชื่อมต่อไฟเบอร์ความไวสูง เสียงรบกวนต่ำ รุ่น SightSKY™
เซ็นเซอร์ CMOS พิกเซล 19 ล้านพิกเซล ความไวสูง และสัญญาณรบกวนต่ำ ช่วยให้สามารถถ่ายภาพตัวอย่างที่มีรายละเอียดละเอียดได้ และให้ภาพที่มีสัญญาณต่อสัญญาณรบกวนสูง แม้จะใช้ปริมาณอิเล็กตรอนน้อย ชัตเตอร์ทั่วโลกและอัตราเฟรมสูง (58 fps/โหมดพิกเซลเต็ม) ช่วยให้สามารถจับภาพชุดได้โดยมีสิ่งแปลกปลอมน้อยลงในระหว่างการศึกษาการสังเกตแบบไดนามิกในสถานที่ ระบบกล้อง SightSKY™ รองรับการบูรณาการกับแพลตฟอร์มการวิเคราะห์แบบบูรณาการ FEMTUS™ ของ JEOL ทำให้ใช้งานและรวบรวมข้อมูลได้ง่าย
ข้อมูลเพิ่มเติม
คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?
ไม่
โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป