JSM-7800FPRIME กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดสนาม Schottky

คุณสมบัติ

JSM-7800FPRIME มอบความละเอียดที่ดีที่สุดในโลกด้วยการรวมเอา Gentle Beam (GBSH) ความละเอียดสูงพิเศษที่พัฒนาขึ้นใหม่ นอกจากนี้ กระแสโพรบสูงสุดของปืน Schottky Plus ในเลนส์ได้เพิ่มขึ้นจาก 200 nA เป็น 500 nA

ปืนยิงอิเล็กตรอนในสนาม Schottky Plus ในเลนส์

ความสว่างที่สูงขึ้นทำได้โดยการปรับใช้ปืนอิเล็กตรอนและเลนส์คอนเดนเซอร์ที่มีความคลาดเคลื่อนต่ำ กระแสของโพรบตั้งแต่ไม่กี่ pA ถึงหลายสิบของ nA นั้นได้รับแม้จะมีแรงดันไฟฟ้าที่เร่งต่ำโดยการรวบรวมอิเล็กตรอนที่สร้างจากปืนอย่างมีประสิทธิภาพ ทำให้สามารถทำการสังเกตการณ์ที่มีความละเอียดสูง เช่นเดียวกับการทำแผนที่องค์ประกอบความเร็วสูงและ EBSD บนนาโน - ปรับสเกลในขณะที่รักษารูรับแสงเป้าหมายที่เล็กที่สุด

การสังเกตพื้นผิวโดยใช้ GBSH (Gentle Beam Super High Resolution)

ที่มีอยู่ *Gentle Beam (GB) ได้รับการปรับปรุงเพื่อใช้แรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้นกับชิ้นงานทดสอบ ทำให้ได้ภาพที่มีความละเอียดสูงเป็นพิเศษพร้อมแรงดันไฟฟ้าที่มีอัตราเร่งต่ำ GBSH ช่วยให้คุณสามารถเลือกแรงดันไฟฟ้าเร่งที่เหมาะสมที่สุดกับการใช้งาน ตั้งแต่การสังเกตพื้นผิวของชิ้นงานไปจนถึงการวิเคราะห์องค์ประกอบในระดับนาโน

• Gentle Beam(GB) เป็นเทคนิคของการใช้แรงดันไบอัสกับชิ้นงานเพื่อลดความเร็วของอิเล็กตรอนที่ตกกระทบ และเร่งความเร็วของอิเล็กตรอนที่ปล่อยออกมา

การถ่ายภาพพื้นผิวด้านบนโดยใช้ Gentle Beam

ด้วยการใช้แรงดันไบอัสกับชิ้นงาน (GB) ความเร็วของอิเล็กตรอนที่ตกกระทบจะลดลงและความเร็วของอิเล็กตรอนที่ปล่อยออกมาจะเพิ่มขึ้น ซึ่งช่วยให้ได้ภาพความละเอียดสูงที่มีอัตราส่วนสัญญาณต่อสัญญาณรบกวนที่ดี แม้ว่าจะมีแรงดันลงจอดของชิ้นงานทดสอบต่ำก็ตาม หากใช้โหมด GBSH ซึ่งอนุญาตให้ใช้แรงดันไบอัสที่สูงขึ้น การสังเกตที่มีความละเอียดสูงสามารถทำได้แม้ที่แรงดันลงจอดเพียงไม่กี่สิบ eV

การได้มาซึ่งข้อมูลทั้งหมดโดยใช้ตัวตรวจจับหลายตัว

JSM-7800F ประกอบด้วยตัวตรวจจับ 4 ประเภท ได้แก่ ตัวตรวจจับอิเล็กตรอนบน (UED) ตัวตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิบน (USD) ตัวตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจายกลับ (BED) และตัวตรวจจับอิเล็กตรอนล่าง (LED) สำหรับ UED การรวบรวมอิเล็กตรอนทุติยภูมิและการกระจายกลับของอิเล็กตรอนสามารถเปลี่ยนแปลงได้ตามแรงดันไฟฟ้าของตัวกรอง ทำให้สามารถเลือกพลังงานอิเล็กตรอนสำหรับการได้มาของภาพได้ USD ตรวจจับอิเล็กตรอนพลังงานต่ำที่ถูกปฏิเสธโดยตารางตัวกรอง ด้วย BED คอนทราสต์แชนเนล - คอนทราสต์สามารถสังเกตได้อย่างชัดเจนโดยการตรวจจับอิเล็กตรอนที่กระจายกลับมุมสูงหรือมุมต่ำ LED ช่วยให้ได้ภาพที่มีลักษณะเป็น 3 มิติ รวมถึงข้อมูลความหยาบของพื้นผิวจากเอฟเฟกต์การส่องสว่าง

ข้อบ่งชี้จำเพาะ

ตัวเลือกหลัก

• เอ็กซ์เรย์สเปกโตรมิเตอร์แบบกระจายพลังงาน (EDS)

• เอ็กซ์เรย์สเปกโตรมิเตอร์แบบกระจายความยาวคลื่น (WDS)

• ระบบการเลี้ยวเบนแบบกระจายกลับของอิเล็กตรอน (EBSD)

• เครื่องตรวจจับคาโทโดลูมิเนสเซนซ์ (CLD)

การใช้งาน

แอปพลิเคชั่น JSM-7800FPRIME

LIBnote

การประยุกต์ใช้กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดเพื่อการถ่ายภาพความคลาดเคลื่อนในเหล็ก

อิเล็กตรอนกระเจิงมุมสูงและอิเล็กตรอนกระเจิงมุมต่ำ

อิเล็กตรอนกระจัดกระจาย

การจำแนกลักษณะแบคทีเรียอย่างรวดเร็วโดยใช้ ClairScope และ SpiralTOF

รูปภาพ

• 

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

miXcroscopy™ Linked Optical & Scanning Electron Microscopy System

ตัวจับยึดชิ้นงานทดสอบเดียวกันนี้ใช้ได้กับทั้งกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัลและกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ด้วยเหตุนี้ ด้วยการจัดการข้อมูลบนเวทีด้วยซอฟต์แวร์เฉพาะ จึงเป็นไปได้ที่ระบบจะบันทึกตำแหน่งที่สังเกตได้ด้วยกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัล แล้วขยายพื้นที่เดียวกันเพิ่มเติมด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดเพื่อสังเกตโครงสร้างที่ละเอียดด้วยกำลังขยายที่สูงขึ้น & ความละเอียดสูงขึ้น เป้าหมายการสังเกตที่พบด้วยกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัลสามารถสังเกตได้อย่างลงตัวด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดโดยไม่ต้องค้นหาเป้าหมายอีกครั้ง ขณะนี้คุณสามารถเปรียบเทียบและตรวจสอบภาพกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัลและภาพกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดได้อย่างราบรื่นและง่ายดาย

ข้อมูลเพิ่มเติม