JSM-7610FPlus กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดสนาม Schottky

คุณสมบัติ

คุณสมบัติ

ระบบออปติคัลที่ได้รับการยกย่องอย่างสูงของ JSM-7610F ได้รับการอัปเดต เพื่อให้ได้ความละเอียดที่ดียิ่งขึ้น (15 kV 0.8 nm, 1 kV 1.0nm) และตอนนี้มีจำหน่ายในชื่อ JSM-7610FPlus
เลนส์ใกล้วัตถุชนิด Semi-in และ High Power Optics ของระบบการฉายรังสีให้การสังเกตที่มีความละเอียดเชิงพื้นที่สูงและความสามารถในการวิเคราะห์ที่เสถียร
นอกจากนี้ JSM-7610FPlus ยังสามารถติดตั้งเพื่อตอบสนองความต้องการของผู้ใช้ที่หลากหลาย รวมถึงการสังเกตแรงดันไฟฟ้าที่เร่งต่ำด้วยโหมด GENTLEBEAM™ และการเลือกสัญญาณโดยใช้ตัวกรอง r

เลนส์ใกล้วัตถุกึ่งเลนส์

การออกแบบเลนส์ใกล้วัตถุกึ่งเลนส์ช่วยให้สามารถสังเกตการณ์ด้วยความละเอียดสูงพิเศษด้วยตัวตรวจจับในเลนส์

ตัวอย่าง：อนุภาคแพลตตินั่มตัวเร่งปฏิกิริยานาโนบนคาร์บอน 15kV

เลนส์กำลังสูง

ระบบออปติคัลอิเล็กตรอนแบบพิเศษช่วยให้วิเคราะห์และสังเกตได้หลากหลายด้วยกำลังขยายสูง ปืนอิเล็กตรอนแบบปล่อยสนามชอตต์กี้ในเลนส์ซึ่งสามารถส่งกระแสโพรบได้ 10 เท่าของปืนอิเล็กตรอนแบบปล่อยสนามชอตต์กี้ทั่วไป (FEG) พร้อมด้วยเลนส์ควบคุมมุมรูรับแสง (ACL) ที่สามารถรักษาขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางโพรบขนาดเล็กไว้ด้วย มุมคอนเวอร์เจนซ์ที่เหมาะสมแม้กระแสโพรบที่เพิ่มขึ้น ทำให้สามารถใช้กระแสโพรบ 200 nA ขึ้นไปได้ ออปติกกำลังสูงมอบประสิทธิภาพทั้งหมดที่คุณต้องการเพื่อดำเนินการทุกอย่างตั้งแต่การดูด้วยกำลังขยายสูงไปจนถึงการวิเคราะห์ EDS และ EBSD

ปืนอิเล็กตรอน Schottky ในเลนส์

ปืนอิเล็กตรอนแบบปล่อยประจุสนามในเลนส์ Schottky รวมปืนอิเล็กตรอนกับเลนส์คอนเดนเซอร์ความคลาดเคลื่อนต่ำเพื่อให้สามารถรวบรวมอิเล็กตรอนที่เกิดจากปืนอิเล็กตรอนได้อย่างมีประสิทธิภาพ

เลนส์ควบคุมมุมรูรับแสง (ACL)

เลนส์ควบคุมมุมรูรับแสง (ACL) อยู่ในตำแหน่งเหนือเลนส์ใกล้วัตถุเพื่อปรับมุมรูรับแสงของเลนส์ใกล้วัตถุให้เหมาะสมโดยอัตโนมัติตลอดช่วงปัจจุบันของโพรบทั้งหมด ทำให้ได้เส้นผ่านศูนย์กลางของโพรบที่เล็กกว่าระบบทั่วไปได้ แม้ว่ากระแสโพรบจะมีขนาดใหญ่ก็ตาม

เส้นผ่านศูนย์กลางของโพรบขนาดเล็ก แม้จะมีกระแสโพรบขนาดใหญ่

กระแสโพรบที่เสถียรสูงสำหรับเวลาการวิเคราะห์ที่ยาวนานขึ้น

ปืนอิเล็กตรอนแบบปล่อยสนาม Schottky ในตัวให้กระแสโพรบที่เสถียร

โหมด GENTLEBEAM™

ในโหมด GENTLEBEAM™ (โหมด GB) จะใช้แรงดันไฟฟ้ากับชิ้นงานทดสอบเพื่อลดแรงดันตกกระทบของอิเล็กตรอนก่อนที่จะกระทบกับชิ้นงานทดสอบ ทำให้สามารถสังเกตการณ์ได้ความละเอียดสูงด้วยแรงดันไฟฟ้าแบบเร่งความเร็วที่ต่ำถึง 100 V
เนื่องจากบริเวณกระเจิงของลำอิเล็กตรอนภายในชิ้นงานมีขนาดเล็ก จึงง่ายต่อการสังเกตโครงสร้างจุลภาคบนพื้นผิว และลดผลกระทบต่อชิ้นงานทดสอบที่ไวต่อความเสียหายจากความร้อนได้ สามารถสังเกตชิ้นงานที่ไม่นำไฟฟ้าได้ง่ายโดยลดการชาร์จลง ความละเอียดโหมด GB 1 kV ด้วย JSM-7610FPlus คือ 1.0 นาโนเมตร

ผลกระทบของโหมด GB

โหมด GB ปรับปรุงความละเอียดที่แรงดันไฟฟ้าเร่งต่ำ

ปรับปรุงความละเอียดที่แรงดันไฟฟ้าเร่งต่ำ

r-กรอง

r-filter ยุคต่อไป

r-filter รุ่นต่อไปคือตัวกรองพลังงานที่มีเอกลักษณ์เฉพาะที่รวมอิเล็กโทรดควบคุมอิเล็กตรอนสำรอง อิเล็กโทรดควบคุมอิเล็กตรอนที่กระจัดกระจายกลับ และอิเล็กโทรดตัวกรอง เมื่อพื้นผิวของชิ้นงานทดสอบถูกฉายรังสีด้วยลำอิเล็กตรอน อิเล็กตรอนที่มีพลังงานต่างๆ จะถูกปล่อยออกมาจากพื้นผิว ตัวกรอง r ใหม่ทำให้สามารถเลือกตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิและอิเล็กตรอนที่กระเจิงกลับจากตัวอย่างได้ ในขณะที่ลำแสงอิเล็กตรอนถูกตรึงไว้ที่กึ่งกลางเลนส์โดยใช้สนามไฟฟ้าสถิตหลายสนามผสมกัน
เมื่อเปรียบเทียบกับ r-filter ของรุ่นก่อนหน้า r-filter รุ่นต่อไปมีสัญญาณเพิ่มขึ้น 3 เท่า

การตรวจจับสัญญาณด้วย r-filter ใหม่

เครื่องตรวจจับ LABE (ตัวเลือก)

เครื่องตรวจจับ LABE (Low Angle Backscatter Electron) สามารถตรวจจับพลังงานต่ำมากและอิเล็กตรอนที่กระเจิงกลับในมุมต่ำมากซึ่งก่อนหน้านี้ไม่สามารถตรวจจับได้
ข้อมูลเชิงทอพอโลยีโดยละเอียดของพื้นผิวชิ้นงานทดสอบสามารถรับได้ที่แรงดันไฟฟ้าเร่งที่ต่ำมาก และข้อมูลองค์ประกอบของชิ้นงานทดสอบสามารถสังเกตได้ด้วยความละเอียดที่ดีที่แรงดันไฟฟ้าที่มีความเร่งสูง

เครื่องตรวจจับ LABE: ภาพอิเล็กตรอนที่มีการกระเจิงกลับในมุมต่ำ

ความคมชัดของเม็ดคริสตัลแบบฟิล์มบางสามารถสังเกตได้โดยใช้อิเล็กตรอนที่กระจัดกระจายกลับด้วยแรงดันไฟฟ้าเร่งที่ต่ำมาก

ขยาย

เอ็กซ์เรย์สเปกโตรมิเตอร์แบบกระจายพลังงาน (EDS)

High Power Optics ทำให้สามารถใช้ประโยชน์จากคุณสมบัติของตัวตรวจจับ EDS (SDD: Silicon Drift Detector) ได้อย่างมีประสิทธิภาพ ซึ่งทำให้อิ่มตัวได้ยากแม้จะใช้กระแสโพรบขนาดใหญ่ ด้วยการใช้แรงดันไฟเร่งต่ำและกระแสโพรบขนาดใหญ่ การทำแผนที่คุณภาพดีสามารถทำได้ในระยะเวลาอันสั้น ภาพด้านล่างแสดงการวิเคราะห์ชั้นกราฟีนและกราไฟท์ที่บางมากบนซับสเตรต Ni ที่ได้รับใน 2 นาที

แม้จะใช้ตัวตรวจจับ SSD 10 mm2 แบบพื้นฐาน ก็ยังสามารถวิเคราะห์ภาพตัดขวางของฟิล์มหลายชั้นที่มีขนาดประมาณ 100 นาโนเมตรได้ในเวลาเพียง 30 วินาที

เอ็กซ์เรย์สเปกโตรมิเตอร์แบบกระจายความยาวคลื่น (WDS)

เนื่องจาก High Power Optics ให้กระแสโพรบขนาดใหญ่ที่มีเส้นผ่านศูนย์กลางโพรบเล็ก คุณจึงสามารถใช้ประโยชน์จากคุณสมบัติของ WDS ได้อย่างเต็มที่ การใช้ WDS ช่วยให้สามารถยืนยันความแตกต่างของความเข้มข้นของการติดตามหรือการทับซ้อนขององค์ประกอบในตัวอย่าง ซึ่งไม่สามารถระบุได้ด้วย EDS

เครื่องตรวจจับ Cathodoluminescence (CL)

CL เป็นปรากฏการณ์ของแสงที่มองเห็นได้ซึ่งเกิดขึ้นเมื่อชิ้นงานสัมผัสกับลำอิเล็กตรอน แสงที่เกิดจากตัวอย่างจะถูกรวบรวมโดยใช้กระจกปรับโฟกัสและตรวจพบ ภาพด้านล่างเป็นภาพอิเล็กตรอนทุติยภูมิและภาพ CL ที่ได้จากการเลี้ยวเบนของเพชรที่ 1 kV การสังเกตภาพ CL ด้วยแรงดันไฟฟ้าที่มีความเร่งต่ำเผยให้เห็นข้อบกพร่องในพื้นผิวเพชรที่มีความละเอียดที่ดี

ห้องตัวอย่างเหมาะสำหรับการวิเคราะห์

ห้องตัวอย่างได้รับการออกแบบมาเพื่อให้สามารถติดตั้งเครื่องตรวจจับต่างๆ ในรูปแบบที่เหมาะสม รวมทั้งเครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิ, เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจัดกระจาย, EDS, EBSD, WDS, STEM และเครื่องตรวจจับ cathodoluminescence
เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนสำรอง EDS และ EBSD อยู่ในตำแหน่งที่สามารถมองเห็นได้พร้อมกันบนชิ้นงานที่เอียง โดยพอร์ต EBSD ตั้งฉากกับความเอียงยูเซนตริกบนเวที

สามารถติดตั้งอุปกรณ์เสริมต่างๆ ได้พร้อมกัน

ข้อบ่งชี้จำเพาะ

• สามารถเลือกหรือไม่เลือกก็ได้

• Microsoft Windows เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ Microsoft Corporation ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

ดาวน์โหลดแคตตาล็อก

JSM-7610FPlus กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดสนาม Schottky

การใช้งาน

แอปพลิเคชัน JSM-7610FPlus

ไครโอโน้ต

ข้อมูลเพิ่มเติม