JSM-7610F กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดสนาม Schottky

JSM-7610F เป็นกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดภาคสนาม Schottky ที่มีความละเอียดสูงพิเศษซึ่งมีเลนส์ใกล้วัตถุแบบกึ่งเลนส์ ออปติกกำลังสูงสามารถให้ปริมาณงานสูงและการวิเคราะห์ประสิทธิภาพสูง นอกจากนี้ยังเหมาะสำหรับการวิเคราะห์ความละเอียดเชิงพื้นที่สูง นอกจากนี้ โหมด Gentle Beam ยังช่วยลดการแทรกซึมของอิเล็กตรอนตกกระทบไปยังชิ้นงานทดสอบ ทำให้คุณสามารถสังเกตพื้นผิวด้านบนสุดได้โดยใช้พลังงานลงจอดสองสามร้อย

คุณสมบัติ

การถ่ายภาพความละเอียดสูงและการวิเคราะห์ประสิทธิภาพสูงด้วยเลนส์ใกล้วัตถุกึ่งในเลนส์

JSM-7610F ผสมผสานเทคโนโลยีที่ได้รับการพิสูจน์แล้วสองอย่าง – คอลัมน์อิเล็กตรอนกับเลนส์ใกล้วัตถุกึ่งเลนส์ซึ่งสามารถให้ภาพที่มีความละเอียดสูงโดยใช้แรงดันไฟฟ้าที่เร่งต่ำและ Schottky FEG ในเลนส์ซึ่งสามารถให้กระแสโพรบขนาดใหญ่ที่เสถียร – เพื่อมอบความละเอียดสูงพิเศษด้วย กระแสโพรบที่หลากหลายสำหรับการใช้งานทั้งหมด (ไม่กี่ pA ถึงมากกว่า 200 nA)
Schottky FEG ในเลนส์เป็นการผสมผสานระหว่าง Schottky FEG และเลนส์คอนเดนเซอร์ตัวแรก และออกแบบมาเพื่อรวบรวมอิเล็กตรอนจากตัวปล่อยอย่างมีประสิทธิภาพ

ภาพพื้นผิวด้านบนสุดที่แรงดันไฟฟ้าเร่งต่ำด้วยโหมด Gentle Beam (GB)

โหมด Gentle Beam (GB) จะใช้แรงดันลบกับชิ้นงานทดสอบ และลดความเร็วของอิเล็กตรอนตกกระทบก่อนที่จะฉายรังสีไปยังชิ้นงานทดสอบ ดังนั้น ความละเอียดจะดีขึ้นด้วยแรงดันไฟเร่งที่ต่ำมาก
ดังนั้น 7610F จึงสามารถสังเกตพื้นผิวด้านบนสุดได้ไม่กี่ร้อย eV ซึ่งยากต่อการสังเกตตัวอย่างตามแบบแผนและแบบไม่นำไฟฟ้า เช่น เซรามิกส์และเซมิคอนดักเตอร์ เป็นต้น

ปริมาณงานสูงและการวิเคราะห์ประสิทธิภาพสูงโดย High Power Optics

High Power Optics สร้างโพรบอิเล็กตรอนแบบละเอียดสำหรับทั้งการสังเกตและการวิเคราะห์
เลนส์ควบคุมมุมรูรับแสงจะรักษาขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางของโพรบขนาดเล็กไว้ได้แม้ในกระแสโพรบที่ใหญ่กว่า
ด้วยการใช้ทั้งสองเทคนิค 7610F จึงเหมาะสำหรับการวิเคราะห์ที่หลากหลายด้วย EDS, WDS, CL ฯลฯ

ตัวอย่างการใช้งาน

การถ่ายภาพความละเอียดสูงด้วยเลนส์ใกล้วัตถุกึ่งเลนส์

ตัวอย่าง: Pt Catalyst Accelerating Voltage 15 kV

ตัวอย่าง: ท่อนาโนคาร์บอน แรงดันไฟเร่ง 30 kV

การวิเคราะห์ความละเอียดเชิงพื้นที่สูงด้วยเลนส์ใกล้วัตถุกึ่งในเลนส์

ภาพตัดขวาง LED (การวิเคราะห์ EDS ของหลายชั้นที่ต่ำกว่า 100 นาโนเมตร)

การถ่ายภาพพื้นผิวด้านบนสุดที่พลังงานการลงจอดต่ำเป็นพิเศษด้วยโหมด Gentle Beam (GB)

ตัวอย่าง: กรอง Landing energy 500 eV

ตัวอย่าง: Mesoporous Silica Landing พลังงาน 800 eV

ข้อบ่งชี้จำเพาะ

ตัวเลือกหลัก

เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนสะท้อนกลับแบบหดได้ (RBEI)
เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงสะท้อนกลับมุมต่ำ (LABE)
การสแกนเครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบส่งกำลัง (STEM)
ระบบนำทางบนเวที (SNS)
อุปกรณ์ทำความสะอาดไอออน
เอ็กซ์เรย์สเปกโตรมิเตอร์แบบกระจายพลังงาน (EDS)
เอ็กซ์เรย์สเปกโตรมิเตอร์แบบกระจายความยาวคลื่น (WDS)
เครื่องตรวจจับ Cathodoluminescence (CL)
ที่ยึดตัวอย่าง มีตัวยึดตัวอย่างให้เลือกหลากหลายให้เลือก

การใช้งาน

แอปพลิเคชัน JSM-7610F

เคล็มโน้ต

การประยุกต์ใช้ MALDI: การวิเคราะห์ฟิล์มบางอินทรีย์

LIBnote

รูปภาพ

• 

  เจเอสเอ็ม-7610F

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

miXcroscopy™ Linked Optical & Scanning Electron Microscopy System

ตัวจับยึดชิ้นงานทดสอบเดียวกันนี้ใช้ได้กับทั้งกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัลและกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ด้วยเหตุนี้ ด้วยการจัดการข้อมูลบนเวทีด้วยซอฟต์แวร์เฉพาะ จึงเป็นไปได้ที่ระบบจะบันทึกตำแหน่งที่สังเกตได้ด้วยกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัล แล้วขยายพื้นที่เดียวกันเพิ่มเติมด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดเพื่อสังเกตโครงสร้างที่ละเอียดด้วยกำลังขยายที่สูงขึ้น & ความละเอียดสูงขึ้น เป้าหมายการสังเกตที่พบด้วยกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัลสามารถสังเกตได้อย่างลงตัวด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดโดยไม่ต้องค้นหาเป้าหมายอีกครั้ง ขณะนี้คุณสามารถเปรียบเทียบและตรวจสอบภาพกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัลและภาพกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดได้อย่างราบรื่นและง่ายดาย

ข้อมูลเพิ่มเติม