【เลิกผลิตแล้ว】กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด Schottky Field Emission รุ่น JSM-7200F
ยกเลิก

สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายอีกต่อไปแล้ว
หากคุณต้องการทราบข้อมูลล่าสุดเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการหรือต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับทางเลือกอื่นๆ โปรดคลิกที่ลิงก์ด้านล่าง เราหวังว่าคุณจะใช้ผลิตภัณฑ์ของเราต่อไป
JSM-7200F มีความละเอียดเชิงพื้นที่สูงกว่ารุ่นทั่วไปมากที่แรงดันไฟฟ้าเร่งสูงและต่ำโดยใช้เทคโนโลยีที่ใช้สำหรับ "In-Lens SchottkyPlus" ซึ่งเป็นเลนส์อิเล็กตรอนที่ติดตั้งในรุ่นเรือธงของเรา JSM-7800FPRIME และโดยการผสมผสาน TTLS (ระบบผ่านเลนส์). กระแสโพรบสูงสุด 300 nA ยังรับประกันเนื่องจากคุณสมบัติดังกล่าวข้างต้น ดังนั้น JSM-7200F จึงเป็น FE-SEM อเนกประสงค์รุ่นใหม่ที่มีความสามารถในการสังเกตการณ์ที่มีความละเอียดสูง การวิเคราะห์ปริมาณงานสูง ใช้งานง่าย และขยายได้
คุณสมบัติ
คุณสมบัติหลักของ JSM-7200F คือออปติกอิเล็กตรอนที่ใช้เทคโนโลยี "In-Lens SchottkyPlus", GB (โหมด Gentle Beam), TTLS (Through-The-Lens System) ที่ช่วยให้การสังเกตความละเอียดสูงที่แรงดันไฟฟ้าเร่งต่ำและควบคุมปริมาณของ ตัวตรวจจับด้านบนจะตรวจจับสัญญาณพลังงานต่ำ และเลนส์ใกล้วัตถุแบบไฮบริดที่รวมเลนส์แม่เหล็กและเลนส์ไฟฟ้าสถิตเข้าด้วยกัน
ปืน Schottky Electron ในเลนส์
ปืนอิเล็กตรอน Schottky ในเลนส์ (จดสิทธิบัตร JEOL) ได้รับการพัฒนาโดยการปรับรูปทรงเรขาคณิตของปืนอิเล็กตรอนและเลนส์คอนเดนเซอร์ที่มีความคลาดต่ำให้เหมาะสม ด้วยเทคโนโลยีเฉพาะนี้ อิเล็กตรอนที่ปล่อยออกมาจากปืนอิเล็กตรอนจะสามารถนำมาใช้ได้อย่างมีประสิทธิภาพกว่าแบบเดิม ดังนั้นหัววัดอิเล็กตรอนที่มีเส้นผ่านศูนย์กลางเล็กลงแม้จะมีกระแสมากก็เป็นไปได้ ดังนั้น JSM-7200F จึงมีความสามารถในการวิเคราะห์ปริมาณงานสูง (EDS, WDS, EBSD เป็นต้น)
TTLS (ระบบผ่านเลนส์)
TTLS (ระบบผ่านเลนส์) เป็นระบบที่ช่วยให้การสังเกตมีความละเอียดสูงที่แรงดันความเร่งต่ำ และยังสามารถเลือกสัญญาณต่างๆ ที่สร้างจากชิ้นงานโดยใช้ GB (โหมดลำแสงอ่อนโยน)
ด้วยการใช้แรงดันไบอัสกับชิ้นงานทดสอบด้วย GB (โหมดลำแสงอ่อนโยน) อิเล็กตรอนที่ตกกระทบจะถูกลดความเร็วลงและอิเล็กตรอนที่ปล่อยออกมาจากชิ้นงานจะถูกเร่งขึ้น ดังนั้นจึงเป็นไปได้ที่จะได้ภาพที่มีความละเอียดสูงพร้อมอัตราส่วนสัญญาณต่อสัญญาณรบกวนที่ดีขึ้นแม้ในระดับต่ำ แรงดันเร่ง / แรงดันลงจอด
แรงดันการกรองของตัวกรองพลังงานที่ติดตั้งบน TTLS ช่วยให้คุณควบคุมปริมาณของอิเล็กตรอนทุติยภูมิที่เครื่องตรวจจับด้านบนจะตรวจจับได้ ดังนั้น ภาพของพื้นผิวด้านบนของชิ้นงานที่สร้างโดยอิเล็กตรอนที่กระจายกลับมุมสูงเท่านั้นจึงสามารถสังเกตได้ที่แรงดันเร่งต่ำด้วยตัวตรวจจับอิเล็กตรอนส่วนบน (UED)
อิเล็กตรอนพลังงานต่ำซึ่งตรวจไม่พบด้วย UED และผลักออกไปด้วยแรงดันการกรอง สามารถตรวจจับได้ด้วยตัวตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิบน (USD) ซึ่งเป็นอุปกรณ์เสริม ดังนั้น JSM-7200F จึงสามารถตรวจจับทั้งภาพอิเล็กตรอนทุติยภูมิและภาพอิเล็กตรอนที่กระจายกลับได้พร้อมกัน
เลนส์ใกล้วัตถุแบบไฮบริด (การรวมกันของเลนส์แม่เหล็กและเลนส์ไฟฟ้าสถิต)
JSM-7200F ใช้เลนส์ใกล้วัตถุที่ออกแบบใหม่ที่เรียกว่า “เลนส์ไฮบริด”
เลนส์ไฮบริดผสมผสานระหว่างเลนส์แม่เหล็กและเลนส์ไฟฟ้าสถิตเพื่อลดความคลาดเคลื่อน ดังนั้นจึงเป็นไปได้ที่จะได้ความละเอียดเชิงพื้นที่ที่สูงขึ้นเมื่อเทียบกับเลนส์เอาท์ทั่วไป JSM-7200F ยังรักษาความสามารถในการใช้งานของเลนส์ออกแบบเดิม ดังนั้นจึงไม่มีปัญหาในการสังเกตและวิเคราะห์ตัวอย่างแม่เหล็ก
การใช้งาน
ข้อมูลที่ถ่ายโดยใช้เลนส์ไฮบริดและ GB (โหมด Gentle Beam)
เลนส์ไฮบริดที่มีความคลาดเคลื่อนต่ำและ GB (โหมดลำแสงอ่อนโยน) ช่วยให้สามารถสังเกตวัสดุฉนวนที่มีความละเอียดสูงที่แรงดันไฟฟ้าเร่งต่ำมาก

×ฮิต

×ฮิต
แรงดันลงจอด: 0.5 kV
ตัวอย่าง: Mesoporous silica (ได้รับความอนุเคราะห์จากศาสตราจารย์ Shunai Che มหาวิทยาลัย Shanghai Jiao Tong ประเทศจีน)
ข้อมูลที่นำมาโดยตัวตรวจจับอิเล็กตรอนส่วนบน (UED) พร้อมตัวกรองพลังงาน
ภาพเหล่านี้ถ่ายโดย UED ที่แรงดันไฟฟ้าที่มีอัตราเร่งต่ำ ภาพเหล่านี้เป็นภาพอิเล็กตรอนที่มีการกระเจิงกลับจากมุมสูงพร้อมข้อมูลที่มีองค์ประกอบครบถ้วน แต่ภาพที่ถ่ายที่ 0.8 kV แสดงโครงสร้างที่ละเอียดกว่าของพื้นผิวด้านบนมากเมื่อเทียบกับภาพที่ถ่ายที่ 5 kV จำเป็นต้องมีไม่เพียงแค่ตัวตรวจจับอิเล็กตรอนส่วนบน (UED) เท่านั้น แต่ยังต้องมีตัวกรองพลังงานเพื่อให้ได้ภาพอิเล็กตรอนที่กระจายกลับของพื้นผิวด้านบนเพื่อตัดอิเล็กตรอนทุติยภูมิออก


แรงดันเร่ง: 0.8 kV (ไปทางซ้าย), 5kV (ไปทางขวา)
กรองพลังงาน : -250 V
ตัวอย่าง: พื้นผิวของแผ่น Au
ข้อบ่งชี้จำเพาะ
เจเอสเอ็ม-7200F | JSM-7200F พร้อมโหมดสุญญากาศต่ำ (LV) * ตัวเลือก | |
ความละเอียด (1 กิโลโวลต์) | นาโนเมตร 1.6 | |
ความละเอียด (20 กิโลโวลต์) | 1.0 นาโนเมตร | |
ความละเอียด (การวิเคราะห์) | นาโนเมตร 3.0
(15 kV, WD:10 มม., กระแสโพรบ:5 nA) |
|
การอวดอ้าง | x10 ถึง x1,000,000 | |
แรงดันไฟฟ้าเร่ง | 0.01 ถึง 30 kV | |
โพรบปัจจุบัน | 1 pA ถึง 300 nA | |
เครื่องตรวจจับ (มาตรฐาน) | ยูอีดี, แอลอีดี | |
เครื่องตรวจจับ (ไม่จำเป็น) | ดอลลาร์สหรัฐฯ, เรดเบด | |
ปืนอิเล็กตรอน | ปืนอิเล็กตรอนปล่อยสนามชอตต์กี้ในเลนส์ | |
เลนส์ควบคุมมุมรูรับแสง | สร้างขึ้นใน | |
เลนส์ใกล้วัตถุ | เลนส์ทรงกรวย | |
ขั้นตอนตัวอย่าง | ระยะโกนิโอมิเตอร์แบบยูเซนตริกอย่างเต็มที่ | |
การเคลื่อนไหวบนเวที | X: 70 มม. Y: 50 มม. Z: 2 ถึง 41 มม.
เอียง: -5 ถึง 70°, การหมุน: 360° |
|
การควบคุมมอเตอร์ | ควบคุมมอเตอร์ 5 แกน | |
ห้องแลกเปลี่ยนตัวอย่าง | เส้นผ่านศูนย์กลางสูงสุด : 100 มม
ความสูงสูงสุด : 40 มม (ระบายด้วยไนโตรเจนแห้ง) |
|
ความชัดลึกขนาดใหญ่ (LDF) | สร้างขึ้นใน | |
โหมด LV | - | สร้างขึ้นใน |
เครื่องตรวจจับ LV | - | LV-เบด, LV-SED
(ถ้ามี) |
ความละเอียด LV | - | 1.8 นาโนเมตร (30 กิโลโวลต์) |
ความดันในโหมด LV | - | 10 ป่าถึง 300 ป่า |
การควบคุมปาก | - | บน GUI การทำงาน |
นำก๊าซ | ก๊าซไนโตรเจน | |
ระบบการอพยพ (SIP, TMP) | จิบ x 2, TMP | |
ระบบการอพยพ (RP) | RP x 1 | RP x 2 |
ตัวเลือกหลัก
เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจายกลับแบบยืดหดได้ (RBED)
เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิตอนบน (USD)
เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิสูญญากาศต่ำ (LV-SED)
เอ็กซ์เรย์สเปกโตรเมทรีแบบกระจายพลังงาน (EDS)
การเลี้ยวเบนของการกระจายอิเล็กตรอนกลับ (EBSD)
เอ็กซ์เรย์สเปกโทรเมทรีแบบกระจายความยาวคลื่น (WDS)
แท่นวางชิ้นงานขนาดใหญ่ (SS100S)
ห้องแลกเปลี่ยนสิ่งส่งตรวจ (Type1)
ระบบนำทางบนเวที (SNS)
กล้องแชมเบอร์
ตารางการทำงาน
สมายล์วิว
สเปกโตรมิเตอร์เอ็กซ์เรย์แบบอ่อน (SXES)
การใช้งาน
แอปพลิเคชัน JSM-7200F
ขอแนะนำกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดด้วยความเย็น
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
สินค้าที่เกี่ยวข้อง

สเปกโตรมิเตอร์เอ็กซ์เรย์แบบอ่อน (SXES)
Soft X-Ray Emission Spectrometer (SXES) เป็นสเปกโตรมิเตอร์ความละเอียดสูงพิเศษที่ประกอบด้วยตะแกรงเลี้ยวเบนแสงที่พัฒนาขึ้นใหม่และกล้อง X-ray CCD ความไวสูง
เช่นเดียวกับ EDS การตรวจจับแบบขนานสามารถทำได้ และการวิเคราะห์ความละเอียดพลังงานสูงพิเศษ 0.3 eV (มาตรฐาน Fermi-edge, Al-L) สามารถทำได้ ซึ่งเหนือกว่าความละเอียดด้านพลังงานของ WDS

miXcroscopy™ Linked Optical & Scanning Electron Microscopy System
ตัวจับยึดชิ้นงานทดสอบเดียวกันนี้ใช้ได้กับทั้งกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัลและกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ด้วยเหตุนี้ ด้วยการจัดการข้อมูลบนเวทีด้วยซอฟต์แวร์เฉพาะ จึงเป็นไปได้ที่ระบบจะบันทึกตำแหน่งที่สังเกตได้ด้วยกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัล แล้วขยายพื้นที่เดียวกันเพิ่มเติมด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดเพื่อสังเกตโครงสร้างที่ละเอียดด้วยกำลังขยายที่สูงขึ้น & ความละเอียดสูงขึ้น เป้าหมายการสังเกตที่พบด้วยกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัลสามารถสังเกตได้อย่างลงตัวด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดโดยไม่ต้องค้นหาเป้าหมายอีกครั้ง ขณะนี้คุณสามารถเปรียบเทียบและตรวจสอบภาพกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัลและภาพกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดได้อย่างราบรื่นและง่ายดาย

ซีเรียลบล็อกหน้า SEM JSM-7200F・7800F / Gatan 3View®2XP
3View®2XP (Gatan Inc.) ถูกรวมเข้ากับกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดการปลดปล่อยสนามชอตต์กี ซึ่งสามารถผลิตโพรบอิเล็กตรอนแบบละเอียดที่กระแสไฟฟ้าสูงในระยะเวลานาน ทำให้สามารถสร้างภาพตัดขวางของชิ้นงานทดสอบและรับภาพได้โดยอัตโนมัติ การสร้างภาพ 3 มิติขึ้นใหม่ช่วยให้สามารถวิเคราะห์โครงสร้างที่ละเอียดในสามมิติได้อย่างละเอียด
ข้อมูลเพิ่มเติม


คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?
ไม่
โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป