【เลิกผลิตแล้ว】กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด Schottky Field Emission รุ่น JSM-7200F

JSM-7200F มีความละเอียดเชิงพื้นที่สูงกว่ารุ่นทั่วไปมากที่แรงดันไฟฟ้าเร่งสูงและต่ำโดยใช้เทคโนโลยีที่ใช้สำหรับ "In-Lens SchottkyPlus" ซึ่งเป็นเลนส์อิเล็กตรอนที่ติดตั้งในรุ่นเรือธงของเรา JSM-7800FPRIME และโดยการผสมผสาน TTLS (ระบบผ่านเลนส์). กระแสโพรบสูงสุด 300 nA ยังรับประกันเนื่องจากคุณสมบัติดังกล่าวข้างต้น ดังนั้น JSM-7200F จึงเป็น FE-SEM อเนกประสงค์รุ่นใหม่ที่มีความสามารถในการสังเกตการณ์ที่มีความละเอียดสูง การวิเคราะห์ปริมาณงานสูง ใช้งานง่าย และขยายได้

คุณสมบัติ

คุณสมบัติหลักของ JSM-7200F คือออปติกอิเล็กตรอนที่ใช้เทคโนโลยี "In-Lens SchottkyPlus", GB (โหมด Gentle Beam), TTLS (Through-The-Lens System) ที่ช่วยให้การสังเกตความละเอียดสูงที่แรงดันไฟฟ้าเร่งต่ำและควบคุมปริมาณของ ตัวตรวจจับด้านบนจะตรวจจับสัญญาณพลังงานต่ำ และเลนส์ใกล้วัตถุแบบไฮบริดที่รวมเลนส์แม่เหล็กและเลนส์ไฟฟ้าสถิตเข้าด้วยกัน

ปืน Schottky Electron ในเลนส์

ปืนอิเล็กตรอน Schottky ในเลนส์ (จดสิทธิบัตร JEOL) ได้รับการพัฒนาโดยการปรับรูปทรงเรขาคณิตของปืนอิเล็กตรอนและเลนส์คอนเดนเซอร์ที่มีความคลาดต่ำให้เหมาะสม ด้วยเทคโนโลยีเฉพาะนี้ อิเล็กตรอนที่ปล่อยออกมาจากปืนอิเล็กตรอนจะสามารถนำมาใช้ได้อย่างมีประสิทธิภาพกว่าแบบเดิม ดังนั้นหัววัดอิเล็กตรอนที่มีเส้นผ่านศูนย์กลางเล็กลงแม้จะมีกระแสมากก็เป็นไปได้ ดังนั้น JSM-7200F จึงมีความสามารถในการวิเคราะห์ปริมาณงานสูง (EDS, WDS, EBSD เป็นต้น)

TTLS (ระบบผ่านเลนส์)

TTLS (ระบบผ่านเลนส์) เป็นระบบที่ช่วยให้การสังเกตมีความละเอียดสูงที่แรงดันความเร่งต่ำ และยังสามารถเลือกสัญญาณต่างๆ ที่สร้างจากชิ้นงานโดยใช้ GB (โหมดลำแสงอ่อนโยน)
ด้วยการใช้แรงดันไบอัสกับชิ้นงานทดสอบด้วย GB (โหมดลำแสงอ่อนโยน) อิเล็กตรอนที่ตกกระทบจะถูกลดความเร็วลงและอิเล็กตรอนที่ปล่อยออกมาจากชิ้นงานจะถูกเร่งขึ้น ดังนั้นจึงเป็นไปได้ที่จะได้ภาพที่มีความละเอียดสูงพร้อมอัตราส่วนสัญญาณต่อสัญญาณรบกวนที่ดีขึ้นแม้ในระดับต่ำ แรงดันเร่ง / แรงดันลงจอด
แรงดันการกรองของตัวกรองพลังงานที่ติดตั้งบน TTLS ช่วยให้คุณควบคุมปริมาณของอิเล็กตรอนทุติยภูมิที่เครื่องตรวจจับด้านบนจะตรวจจับได้ ดังนั้น ภาพของพื้นผิวด้านบนของชิ้นงานที่สร้างโดยอิเล็กตรอนที่กระจายกลับมุมสูงเท่านั้นจึงสามารถสังเกตได้ที่แรงดันเร่งต่ำด้วยตัวตรวจจับอิเล็กตรอนส่วนบน (UED)
อิเล็กตรอนพลังงานต่ำซึ่งตรวจไม่พบด้วย UED และผลักออกไปด้วยแรงดันการกรอง สามารถตรวจจับได้ด้วยตัวตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิบน (USD) ซึ่งเป็นอุปกรณ์เสริม ดังนั้น JSM-7200F จึงสามารถตรวจจับทั้งภาพอิเล็กตรอนทุติยภูมิและภาพอิเล็กตรอนที่กระจายกลับได้พร้อมกัน

เลนส์ใกล้วัตถุแบบไฮบริด (การรวมกันของเลนส์แม่เหล็กและเลนส์ไฟฟ้าสถิต)

JSM-7200F ใช้เลนส์ใกล้วัตถุที่ออกแบบใหม่ที่เรียกว่า “เลนส์ไฮบริด”
เลนส์ไฮบริดผสมผสานระหว่างเลนส์แม่เหล็กและเลนส์ไฟฟ้าสถิตเพื่อลดความคลาดเคลื่อน ดังนั้นจึงเป็นไปได้ที่จะได้ความละเอียดเชิงพื้นที่ที่สูงขึ้นเมื่อเทียบกับเลนส์เอาท์ทั่วไป JSM-7200F ยังรักษาความสามารถในการใช้งานของเลนส์ออกแบบเดิม ดังนั้นจึงไม่มีปัญหาในการสังเกตและวิเคราะห์ตัวอย่างแม่เหล็ก

การใช้งาน

ข้อมูลที่ถ่ายโดยใช้เลนส์ไฮบริดและ GB (โหมด Gentle Beam)

เลนส์ไฮบริดที่มีความคลาดเคลื่อนต่ำและ ＧB (โหมดลำแสงอ่อนโยน) ช่วยให้สามารถสังเกตวัสดุฉนวนที่มีความละเอียดสูงที่แรงดันไฟฟ้าเร่งต่ำมาก

×ฮิต

×ฮิต

แรงดันลงจอด: 0.5 kV
ตัวอย่าง: Mesoporous silica (ได้รับความอนุเคราะห์จากศาสตราจารย์ Shunai Che มหาวิทยาลัย Shanghai Jiao Tong ประเทศจีน)

ข้อมูลที่นำมาโดยตัวตรวจจับอิเล็กตรอนส่วนบน (UED) พร้อมตัวกรองพลังงาน

ภาพเหล่านี้ถ่ายโดย UED ที่แรงดันไฟฟ้าที่มีอัตราเร่งต่ำ ภาพเหล่านี้เป็นภาพอิเล็กตรอนที่มีการกระเจิงกลับจากมุมสูงพร้อมข้อมูลที่มีองค์ประกอบครบถ้วน แต่ภาพที่ถ่ายที่ 0.8 kV แสดงโครงสร้างที่ละเอียดกว่าของพื้นผิวด้านบนมากเมื่อเทียบกับภาพที่ถ่ายที่ 5 kV จำเป็นต้องมีไม่เพียงแค่ตัวตรวจจับอิเล็กตรอนส่วนบน (UED) เท่านั้น แต่ยังต้องมีตัวกรองพลังงานเพื่อให้ได้ภาพอิเล็กตรอนที่กระจายกลับของพื้นผิวด้านบนเพื่อตัดอิเล็กตรอนทุติยภูมิออก

แรงดันเร่ง: 0.8 kV (ไปทางซ้าย), 5kV (ไปทางขวา)
กรองพลังงาน : -250 V
ตัวอย่าง: พื้นผิวของแผ่น Au

ข้อบ่งชี้จำเพาะ

ตัวเลือกหลัก

• เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนแบบกระจายกลับแบบยืดหดได้ (RBED)

• เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิตอนบน (USD)

• เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิสูญญากาศต่ำ (LV-SED)

• เอ็กซ์เรย์สเปกโตรเมทรีแบบกระจายพลังงาน (EDS)

• การเลี้ยวเบนของการกระจายอิเล็กตรอนกลับ (EBSD)

• เอ็กซ์เรย์สเปกโทรเมทรีแบบกระจายความยาวคลื่น (WDS)

• แท่นวางชิ้นงานขนาดใหญ่ (SS100S)

• ห้องแลกเปลี่ยนสิ่งส่งตรวจ (Type1)

• ระบบนำทางบนเวที (SNS)

• กล้องแชมเบอร์

• ตารางการทำงาน

• สมายล์วิว

• สเปกโตรมิเตอร์เอ็กซ์เรย์แบบอ่อน (SXES)

การใช้งาน

แอปพลิเคชัน JSM-7200F

เคล็มโน้ต

Urushiหมายเหตุ

ขอแนะนำกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดด้วยความเย็น

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

สเปกโตรมิเตอร์เอ็กซ์เรย์แบบอ่อน (SXES)

Soft X-Ray Emission Spectrometer (SXES) เป็นสเปกโตรมิเตอร์ความละเอียดสูงพิเศษที่ประกอบด้วยตะแกรงเลี้ยวเบนแสงที่พัฒนาขึ้นใหม่และกล้อง X-ray CCD ความไวสูง
เช่นเดียวกับ EDS การตรวจจับแบบขนานสามารถทำได้ และการวิเคราะห์ความละเอียดพลังงานสูงพิเศษ 0.3 eV (มาตรฐาน Fermi-edge, Al-L) สามารถทำได้ ซึ่งเหนือกว่าความละเอียดด้านพลังงานของ WDS

miXcroscopy™ Linked Optical & Scanning Electron Microscopy System

ตัวจับยึดชิ้นงานทดสอบเดียวกันนี้ใช้ได้กับทั้งกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัลและกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ด้วยเหตุนี้ ด้วยการจัดการข้อมูลบนเวทีด้วยซอฟต์แวร์เฉพาะ จึงเป็นไปได้ที่ระบบจะบันทึกตำแหน่งที่สังเกตได้ด้วยกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัล แล้วขยายพื้นที่เดียวกันเพิ่มเติมด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดเพื่อสังเกตโครงสร้างที่ละเอียดด้วยกำลังขยายที่สูงขึ้น & ความละเอียดสูงขึ้น เป้าหมายการสังเกตที่พบด้วยกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัลสามารถสังเกตได้อย่างลงตัวด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดโดยไม่ต้องค้นหาเป้าหมายอีกครั้ง ขณะนี้คุณสามารถเปรียบเทียบและตรวจสอบภาพกล้องจุลทรรศน์แบบออปติคัลและภาพกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดได้อย่างราบรื่นและง่ายดาย

ซีเรียลบล็อกหน้า SEM JSM-7200F・7800F / Gatan 3View®2XP

3View®2XP (Gatan Inc.) ถูกรวมเข้ากับกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดการปลดปล่อยสนามชอตต์กี ซึ่งสามารถผลิตโพรบอิเล็กตรอนแบบละเอียดที่กระแสไฟฟ้าสูงในระยะเวลานาน ทำให้สามารถสร้างภาพตัดขวางของชิ้นงานทดสอบและรับภาพได้โดยอัตโนมัติ การสร้างภาพ 3 มิติขึ้นใหม่ช่วยให้สามารถวิเคราะห์โครงสร้างที่ละเอียดในสามมิติได้อย่างละเอียด

ข้อมูลเพิ่มเติม