JIB-4000 เป็นระบบการประมวลผลและสังเกตการณ์ลำแสงไอออนแบบโฟกัส (ระบบ FIB แบบลำแสงเดี่ยว) ที่มีคอลัมน์ไอออนประสิทธิภาพสูง ลำแสง Ga ion ที่เร่งแล้วจะถูกโฟกัสและนำไปใช้กับตัวอย่างเพื่อให้ใช้การสังเกตภาพ SIM ของพื้นผิวตัวอย่าง การกัด และการทับถมของวัสดุ เช่น คาร์บอนหรือทังสเตน นอกจากนี้ยังสามารถสร้างตัวอย่างภาคตัดขวางเพื่อสังเกตตัวอย่างภายในหรือตัวอย่างฟิล์มบางสำหรับการถ่ายภาพ TEM เมื่อเปรียบเทียบกับภาพ SEM ภาพ SIM จะแสดงความเปรียบต่างของแชนเนลที่เห็นได้ชัดเจนเนื่องจากความแตกต่างในการวางแนวคริสตัล เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการประเมินภาคตัดขวางของการเคลือบหลายชั้นและโครงสร้างโลหะ
คุณสมบัติ
คอลัมน์ FIB กำลังสูง
JIB-4000 รวมเอาคอลัมน์ FIB กำลังสูงที่มีกระแสลำแสงไอออนสูงสุด 60 nA ทำให้สามารถกัดงานตัดขวางได้อย่างรวดเร็ว การกัดความเร็วสูงด้วยกระแสไฟสูงมีประโยชน์อย่างยิ่งสำหรับการประมวลผลในพื้นที่ขนาดใหญ่ และสามารถสร้างหน้าตัดสำหรับการสังเกตได้ง่าย แม้ในขนาดมากกว่า 100 µm
FIB . ที่ใช้งานง่าย
JIB-4000 นำเสนอความสามารถในการทำงานที่ยอดเยี่ยมของคอลัมน์ FIB กำลังสูง แนวคิดการออกแบบสำหรับเครื่องมือนี้เป็นมิตรกับผู้ใช้ ด้วยรูปลักษณ์ภายนอกและ GUI ที่ออกแบบมาเพื่อสร้างระบบ FIB ที่ใช้งานง่าย เครื่องมือนี้สามารถใช้งานได้ง่ายแม้โดยผู้ใช้ที่ไม่ใช่ผู้เชี่ยวชาญ FIB ขนาดของเครื่องมือมีขนาดกะทัดรัด ซึ่งเล็กที่สุดในอุตสาหกรรม ทำให้สามารถติดตั้งได้ในตำแหน่งที่หลากหลายยิ่งขึ้น
เวทีคู่
การกำหนดค่ามาตรฐานของ JIB-4000 ประกอบด้วยแท่นวางตัวอย่างขนาดใหญ่เพื่อรองรับตัวอย่างจำนวนมาก นอกจากนี้ยังสามารถเพิ่มสเตจโกนิโอมิเตอร์แบบเข้าด้านข้างที่ช่วยให้ใส่ชิป TEM บนตัวจับได้โดยตรง ด้วยแท่นมอเตอร์ตัวอย่างจำนวนมาก จึงสามารถสังเกตพื้นผิวทั้งหมดของตัวอย่างจำนวนมากขนาด 20 มม. x 20 มม. การแลกเปลี่ยนชิ้นงานสามารถทำได้อย่างรวดเร็วผ่านห้องล็อคอากาศ สเตจโกนิโอมิเตอร์ทางเข้าด้านข้างเป็นสเตจเดียวกับที่ใช้กับระบบ JEOL TEM ดังนั้นจึงสามารถใช้ตัวจับยึดชิปออนกับระบบ JEOL TEM ได้ ทำให้ง่ายต่อการสลับระหว่างการกัด FIB และการสังเกตการณ์ TEM
ความมั่งคั่งของสิ่งที่แนบมา
มีสิ่งที่แนบมามากมายเพื่อรองรับการทำงานของ JIB-4000 รวมถึงระบบนำทาง CAD ที่มีประโยชน์สำหรับการใช้งานการปรับเปลี่ยนวงจร และระบบสแกนเวกเตอร์ที่มีประสิทธิภาพสำหรับการกัดรูปร่างพิเศษ ด้วยการเพิ่มอุปกรณ์ต่อพ่วงที่เหมาะสมเข้ากับ JIB-4000 ระบบสามารถรองรับการใช้งานนอกเหนือจากการเตรียมตัวอย่าง
ข้อบ่งชี้จำเพาะ
IBF
| แหล่งกำเนิดไอออน | แหล่งกำเนิดไอออนโลหะเหลวของ Ga |
|---|---|
| เร่งแรงดันไฟฟ้า | 1 ถึง 30 kV (ขั้นละ 5 kV) |
| การอวดอ้าง | ×60 (สำหรับค้นหาฟิลด์) ×200~×300,000 |
| ความละเอียดของภาพ | 5 นาโนเมตร (ที่ 30 กิโลโวลต์) |
| ลำแสงปัจจุบัน | สูงสุด 60 nA (ที่ 30 kV) |
| รูรับแสงที่เคลื่อนย้ายได้ | 12 ขั้นตอน (มอเตอร์ไดรฟ์) |
| รูปร่างของลำแสงไอออนระหว่างการกัด | สี่เหลี่ยมผืนผ้า เส้น และจุด |
| ขั้นตอนตัวอย่าง |
โกนิโอมิเตอร์ 5 แกนของชิ้นงานตัวอย่างจำนวนมาก X:±11 มม Y:±15 มม Z:0.5 ～ －23 มม ต:-5 ~ ＋60° องศา:360° ขนาดชิ้นงานสูงสุด 28 มม. เส้นผ่านศูนย์กลาง (สูง 13 มม.)/ เส้นผ่านศูนย์กลาง 50 มม. (สูง 2 มม.) |
|---|
ไฟล์แนบเสริม
ระบบหัวฉีดแก๊ส 2 (IB-02100GIS2)
คาร์ทริดสะสมคาร์บอน (IB-52110CDC2)
ตลับทังสเตนสะสม (IB-52120WDC2)
คาร์ทริดจ์การสะสมทองคำขาว (IB-52130WDC2)
สเตจ Goniometer ทางเข้าด้านข้าง (IB-01040SEG)
หัววัดกระแสไฟฟ้า (IB-04010PCD)
แผงการทำงาน (IB-05010OP)
ระบบนำทางบนเวที (IB-01200SNS)
FIB หัวจับ (EM-02210)
ตัวยึดตัวอย่างปริมาณมาก FIB (EM-02220)
ตัวยึดตัวอย่างจำนวนมาก FIB 1 (EM-02560FBSH1)
ตัวยึดตัวอย่างจำนวนมาก FIB 2 (EM-02570FBSH2)
อแดปเตอร์ตัวยึดชิ้นงานทดสอบ FE-SEM (EM-02580FSHA)
ตัวยึดกระสวย (EM-02280)
ระบบดูดบรรยากาศ (EM-02230)
คุณเป็นผู้เชี่ยวชาญทางการแพทย์หรือบุคลากรที่เกี่ยวข้องกับการรักษาพยาบาลหรือไม่?
ไม่
โปรดทราบว่าหน้าเหล่านี้ไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อให้ข้อมูลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์แก่ประชาชนทั่วไป